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Mn3O4 함량에 따른 ZnO의 결함과 입계 특성
Defects and Grain Boundary Properties of ZnO with Mn3O4 Contents 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.24 no.12, 2011년, pp.962 - 968  

홍연우 (한국세라믹기술원 미래융합세라믹본부) ,  신효순 (한국세라믹기술원 미래융합세라믹본부) ,  여동훈 (한국세라믹기술원 미래융합세라믹본부) ,  김진호 (경북대학교 신소재공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this study, we investigated the effects of Mn dopant (0.1~3.0 at% $Mn_3O_4$ sintered at 1000$^{\circ}C$ for 1 h in air) on the bulk trap (i.e. defect) and grain boundary properties of ZnO, ZM(0.1~3.0) using admittance spectroscopy (AS), and impedance-modulus spectroscopy (IS...

주제어

AI 본문요약
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제안 방법

  • Mn3O4를 0.1∼3.0 at% 첨가한 ZnO(ZM)에서 발현하는 결함과 입계 특성에 대하여 분석한 결과 다음과 같은 결론을 얻었다.
  • ZM(0.1∼3.0)의 입계 특성을 살펴보기 위하여 300∼640 K의 온도 범위에서 20 K 간격으로 impedance and modulus spectroscopy(IS & MS) 분석을 실시하였다.
  • 따라서 본 실험에서는 ZnO에 Mn을 0.1∼3.0 at% 첨가함에 따라 발현되는 결함과 그 입계 특성에 대하여 admittance spectroscopy와 impedance-modulus spectroscopy (IS & MS)를 이용하여 조사하였다.
  • 따라서 실험에서는 주파수는 100 Hz∼15 MHz 대역에서, 측정온도는 78∼760 K 범위에서 각 유전 함수 별로 주파수 응답도 (frequency explicit plot, Z"-logf or M"-logf)를 작성하여 각 피크의 최댓값에 대한 피크 온도 Tp와 피크 주파수 fmax를 구하고, 임피던스와 모듈러스 데이터에서 각 허수부의 최댓값 #와 #를 그래프 상에서 구하여 식 (4)를 이용하여 입계 저항(Rgb)과 정전용량(Cgb)을 추출하였다 [11].
  • 또한 ZM계의 입계 전위 장벽의 균일성과 온도에 대한 안전성을 평가하기 위하여 완화시간의 분포 함수 F(𝜏)를 사용하였으며, 이에 대한 자세한 실험방법과 계산은 다음과 같다 [11,14]. 상온 이상에서의 입계 특성에 대한 분포 파라미터 (distribution parameter, 𝛼) 즉, heterogeneity factor (𝛼-factor)는 측정한 Z"-logf 그래프로부터 Cole-Cole 모델을 적용하여 식 (5)를 이용하여 얻는다.
  • 0 at% 첨가함에 따라 발현되는 결함과 그 입계 특성에 대하여 admittance spectroscopy와 impedance-modulus spectroscopy (IS & MS)를 이용하여 조사하였다. 뿐만 아니라 입계 전위장벽의 안정성과 균일성에 대하여 고찰하였다.
  • 혼합된 슬러리는 건조기에서 100℃에서 24시간 건조하였으며, 건조된 케익은 알루미나 유발을 사용하여 잘게 부순 후 100 mesh체를 통과시켜 출발원료로 하였다. 성형체는 출발 원료를 11 mm𝜙의 원통형 금형에 충전하여 먼저 25 MPa로 1축 가압 성형한 후 98 MPa로 정수압 처리하여 제조하였다. 성형 시편은 1,000℃에서 1시간 공기 중에서 소결하였으며, 이때 승온 및 냉각 속도는 5℃/min.
  • 식 (6)을 이용하여 계산한 F(𝜏)를 log𝜏에 대해 도시하여 구한 스펙트럼을 계면 특성을 분석하는 도구로 이용하였으며, 𝛼-factor의 계산에는 주어진 Z"값에 대해 오차를 최소화하는 반복법으로 찾아내는 수치해석을 적용하였다.
  • 여기서 ln(ω/T2) vs. 1,000/T에서 그 기울기 (-Ebt/k)로부터 Ebt를 구하고, 절편 ln(2gA*σn/e)로부터 σn을 구하였다.
  • 이를 위한 측정에는 Impedance/gain phase analyzer (Hewlett Packard, 4194A, Japan)를 이용하여 78∼400 K까지 1.0 K/min의 속도로 승온하면서 2 K 간격으로 7개의 특정 주파수 (1∼5 MHz)를 정하여 각각의 conductance, G를 측정하였다 [8].

대상 데이터

  • 본 실험에서는 모상인 ZnO (99.9%, 고순도 화학, 일본)에 Mn3O4 (99.9%, 고순도 화학, 일본)를 0.1∼3.0 at% 첨가한 2성분계, ZM (0.1∼3.0)을 일반적인 세라믹 공정을 이용하여 혼합·제조하였다.

이론/모형

  • 먼저 Mn의 함량에 따른 ZM계의 결함(defect)을 조사하기 위하여 admittance spectroscopy (zero d.c. bias)를 사용하였다 [8]. 재료의 각 결함 준위의 고유완화시간 (τn=1/ω, ω=2πf, f=주파수)은 다음과 같이 주어진다.
  • 상온 이상에서의 입계 특성에 대한 분포 파라미터 (distribution parameter, 𝛼) 즉, heterogeneity factor (𝛼-factor)는 측정한 Z"-logf 그래프로부터 Cole-Cole 모델을 적용하여 식 (5)를 이용하여 얻는다.
  • 0 mm 두께로 만든 후 양면에 ohmic contact용 Ag paste를 직경이 6 mm𝜙가 되게 실크 스크린으로 도포하여 소성로에 넣고 600℃에서 10분 열처리하여 준비하였다. 특성 측정에는 일반적인 2 단자법을 사용하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
ZnO에 Mn을 첨가한 경우에 바리스터 특성이 나타나는 이유는 무엇으로 보고되는가? ZnO를 기본으로 하는 재료가 갖는 흥미로운 물성들 가운데 특별히 ZnO에 Mn을 첨가할 경우 전류-전압 곡선에서 비선형적인 거동을 하는 바리스터 특성이 보고되었다 [9]. 이러한 2 성분계가 갖는 바리스터 특성은 소결 후 냉각 시 Mn의 가수 변화에 의한 입 계의 이중 Schottky 장벽의 형성에 기인하는 것으로 보고하고 있다 [9]. 또한 최근 Cr을 첨가한 ZnO에서도 비선형 계수가 ∼23 정도의 높은 바리스터 특성이 나타나며 이에 대한 결함과 입계 특성에 대하여 보고 되고 있다 [10,11].
ZnO 바리스터에서 반드시 첨가해야되는 액상소결 첨가제로 알려진 것은? 또한 최근 Cr을 첨가한 ZnO에서도 비선형 계수가 ∼23 정도의 높은 바리스터 특성이 나타나며 이에 대한 결함과 입계 특성에 대하여 보고 되고 있다 [10,11]. 따라서 ZnO 바리스터에서 반드시 첨가해야 바리스터 특성을 구현할 수 있는 것으로 알려진 이온반경이 큰 액상소결 첨가제인 Bi2O3나 Pr6O11이 없어도 ZnO에 비선형성이 큰 바리스터를 제조할 수 있는 길이 열렸다고 할 수 있다. 그러나 아직까지 액상 소결 첨가제가 없는 조성개발과 그 물성 해석에 대해서는 초보단계에 있다.
ZnO에 Mn을 첨가할시 반들어지는 입계의 전위 장벽, 즉 이중 Schottky 장벽의 역할은 무엇인가? 따라서 ZnO에 Mn을 첨가할 경우, 입계는 전형적인 바리스터 특성을 나타내는 이중 Schottky 장벽을 형성하게 하며, 이 전위 장벽은 Mn의 함량이나 소결 온도와 무관하게 일정한 ����-factor(=0.13)를 가지게 함으로써 그 입계를 온도에 대하여 순수한 ZnO 보다 주위 분위기(산소 등)와 온도에 대한 안정성을 크게 높일 뿐 아니라 보다 균일하게 함을 알 수 있다.
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참고문헌 (14)

  1. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, and T. Steiner, Superlattices and Microstructures, 34, 3 (2003). 

  2. F. A. Kroger, The Chemistry of Imperfect Crystals (North-Holland, Amsterdam, 1974) p. 743. 

  3. K. I. Hagemark, J. Solid State Chem. 16, 293 (1976). 

  4. M. H. Sukker and H. L. Tuller, Advances in Ceramics (American Ceramic Society, Columbus, 1983) p. 71. 

  5. J. Han, P. Q. Mantas, and A. M. R. Senos, J. Euro. Ceram. Soc., 22, 49 (2002). 

  6. D. R. Clarke, J. Am. Ceram. Soc., 82, 485 (1999). 

  7. T. K. Gupta, J. Am. Ceram. Soc., 73, 1817 (1990). 

  8. F. Greuter and G. Blatter, Semicond. Sci. Technol., 5, 111 (1990). 

  9. Y. W. Hong and J. H. Kim, Ceram. Int., 30, 1301 (2004). 

  10. Y. W Hong, H. S. Shin, D. H. Yeo, and J. H. Kim, J. KIEEME, 23, 875 (2010). 

  11. Y. W Hong, H. S. Shin, D. H. Yeo, J. H. Kim, and J. H. Kim, J. KIEEME, 22, 949 (2009). 

  12. Y. W. Hong, H. S. Shin, D. H. Yeo, J. H. Kim, and J. H. Kim, J. KIEEME, 21, 738 (2008). 

  13. M. Andres-Verges and A. R. West, J. Electroceram., 1, 125 (1997). 

  14. K. A. Abdullah, A. Bui, and A. Loubiere, J. Appl. Phys., 69, 4046 (1991). 

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