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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.24 no.2, 2011년, pp.108 - 111
최재완 (고려대학교 전기전자공학부 나노소자연구실) , 지현진 (고려대학교 전기전자공학부 나노소자연구실) , 정창욱 (한국외국어대학교 전자물리학과) , 이보화 (한국외국어대학교 전자물리학과) , 김규태 (고려대학교 전기전자공학부 나노소자연구실)
The semiconducting material of ZnO in II-VI group was well known as its good application for photo electronics, chemical sensors and field effect transistors due to the remarkable optical properties with wide energy band gap and great ionic reactivities. Up to now the growth of a good quality of ZnO...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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산화아연 물질은 어느분야에서 다양하게 사용되고 있는가? | 현재까지 산화아연 물질은 다양한 성장 방법 및 소자 제작에 따른 특성 평가에 있어서 활발한 연구가 진행되고 있다. III-V족 반도체인 GaN 더불어 II-VI 족 반도체 성질을 가지는 ZnO는 표면에서의 이온 반응성 및 뛰어난 광학적 성질 등을 이용하여, 화학 물질 센서, 발광 다이오드 (light emitting diode, LED), 광 검출기, 전계 효과 트랜지스터 (field effect transistor, FET) 등의 전자소자 분야에서 다양하게 사용되고 있다 [1-4]. | |
ZnO이 가지는 성질은 무엇인가? | 현재까지 산화아연 물질은 다양한 성장 방법 및 소자 제작에 따른 특성 평가에 있어서 활발한 연구가 진행되고 있다. III-V족 반도체인 GaN 더불어 II-VI 족 반도체 성질을 가지는 ZnO는 표면에서의 이온 반응성 및 뛰어난 광학적 성질 등을 이용하여, 화학 물질 센서, 발광 다이오드 (light emitting diode, LED), 광 검출기, 전계 효과 트랜지스터 (field effect transistor, FET) 등의 전자소자 분야에서 다양하게 사용되고 있다 [1-4]. | |
ZnO 물질을 이용한 발광소자 제작이 활발하게 이루어지도 있는 것은 무엇 때문인가? | ZnO의 경우 짧은 파장의 광소자 구현이 가능한 물질로 높은 결정성 및 상온에서 3.37 eV의 큰 밴드갭에너지, 60 meV의 큰 엑시톤 결합 에너지 (excition binding energy) 및 가시광 영역에서 높은 광학적 투과율을 가지는 이유로 ZnO 물질을 이용한 발광소자 제작이 활발히 이루어지고 있다 [3,4]. 특히 광소자 제작에 있어 높은 결정성을 가지는 박막의 구현은 소자의 특성을 결정하는 가장 중요한 부분으로 평가되고 있는데 박막의 구현 방법으로 화학기상증착법 (chemical vapor deposition, CVD), 유기금속 화학 증착법 (metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), 펄스 레이저 증착법 (pulsed laser deposition, PLD)이 많이 사용되고 있다. |
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