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The semiconducting material of ZnO in II-VI group was well known as its good application for photo electronics, chemical sensors and field effect transistors due to the remarkable optical properties with wide energy band gap and great ionic reactivities. Up to now the growth of a good quality of ZnO...

주제어

AI 본문요약
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제안 방법

  • ZnO 박막의 표면 상태가 매끄러운 것은 원자힘 현미경으로 쉽게 확인할 수 있었으나 그 결정성을 확인하기 위해서는 추가적인 측정이 필요했는데, 이를 위해 HRXRD (high resolution X-ray diffraction)를 이용하여 θ-2θ X-선 회절 (X-ray diffraction, XRD)을 측정하였으며 표준 형태의 Cu Kα 방사에너지가 사용되었다.
  • 본 연구에서는 펄스 레이저 증착법 (PLD)을 이용하여 성장 온도 및 압력을 변화시키면서 성장된 ZnO 박막의 결정성을 관찰하였다.
  • 펄스 레이저 증착법을 이용하여 ZnO 박막을 형성하고 막의 질을 평가하기 위한 방법으로 원자힘 현미경을 이용한 표면의 거칠기 및 HRXRD 회절 패턴 측정을 이용한 박막의 결정성을 관찰하였다. 펄스 레이저 증착법을 이용했을 때 형성된 ZnO 박막은 우수한 결정성을 가지며 산소 분압 10 mTorr, 성장온도 650℃에서 ZnO 단결정의 (0001) 방향으로의 결정성 오차가 가장 작아 최적의 조건을 가지게 됨을 확인하였다.

대상 데이터

  • (0001) 방향의 ZnO 박막과 결정성의 오차가 비교적 작은 사파이어 (c-Al2O3)가 성장을 위한 기판으로 사용되었고 [4,6,7], 성장 에너지원으로써 193nm 파장의 엑시머 펄스 레이저가 쓰였다. 레이저 조건은 2.
  • 본 실험을 위한 타겟은 순도 99.999% 세라믹 ZnO 타겟으로 타겟과 기판과의 거리는 4.5cm로 고정하였다. PLD 시스템의 도식은 그림 1에서 확인할 수 있는데, 레이저는 여러 개의 반사 렌즈를 통하여 각도를 맞춘 후 광 집속을 위한 초점 (focal) 렌즈를 통하여 집속된 후 챔버 바로 앞 단에 장착된 UV 렌즈를 통해 진공 중의 타겟까지 이르게 된다.
  • PLD 시스템의 도식은 그림 1에서 확인할 수 있는데, 레이저는 여러 개의 반사 렌즈를 통하여 각도를 맞춘 후 광 집속을 위한 초점 (focal) 렌즈를 통하여 집속된 후 챔버 바로 앞 단에 장착된 UV 렌즈를 통해 진공 중의 타겟까지 이르게 된다. 사용된 가스 종류는 산소와 아르곤이며 ZnO 박막 성장 시 전체 압력을 일정하게 유지하기 위해 세밀히 조절되었다.

이론/모형

  • 일반적으로 펄스 레이저 증착법으로 박막을 형성하는 경우 박막의 두께를 nm 이하의 단위로 세밀하게 조절할 수 있을 뿐 아니라 다른 증착법에 비해 상대적으로 표면이 상당히 매끄러운 막을 형성할 수 있다. 성장된 ZnO 박막의 표면 상태를 확인하기 위해 원자힘 현미경 (atomic force microscopy, AFM)을 사용하였다 [8].
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
산화아연 물질은 어느분야에서 다양하게 사용되고 있는가? 현재까지 산화아연 물질은 다양한 성장 방법 및 소자 제작에 따른 특성 평가에 있어서 활발한 연구가 진행되고 있다. III-V족 반도체인 GaN 더불어 II-VI 족 반도체 성질을 가지는 ZnO는 표면에서의 이온 반응성 및 뛰어난 광학적 성질 등을 이용하여, 화학 물질 센서, 발광 다이오드 (light emitting diode, LED), 광 검출기, 전계 효과 트랜지스터 (field effect transistor, FET) 등의 전자소자 분야에서 다양하게 사용되고 있다 [1-4].
ZnO이 가지는 성질은 무엇인가? 현재까지 산화아연 물질은 다양한 성장 방법 및 소자 제작에 따른 특성 평가에 있어서 활발한 연구가 진행되고 있다. III-V족 반도체인 GaN 더불어 II-VI 족 반도체 성질을 가지는 ZnO는 표면에서의 이온 반응성 및 뛰어난 광학적 성질 등을 이용하여, 화학 물질 센서, 발광 다이오드 (light emitting diode, LED), 광 검출기, 전계 효과 트랜지스터 (field effect transistor, FET) 등의 전자소자 분야에서 다양하게 사용되고 있다 [1-4].
ZnO 물질을 이용한 발광소자 제작이 활발하게 이루어지도 있는 것은 무엇 때문인가? ZnO의 경우 짧은 파장의 광소자 구현이 가능한 물질로 높은 결정성 및 상온에서 3.37 eV의 큰 밴드갭에너지, 60 meV의 큰 엑시톤 결합 에너지 (excition binding energy) 및 가시광 영역에서 높은 광학적 투과율을 가지는 이유로 ZnO 물질을 이용한 발광소자 제작이 활발히 이루어지고 있다 [3,4]. 특히 광소자 제작에 있어 높은 결정성을 가지는 박막의 구현은 소자의 특성을 결정하는 가장 중요한 부분으로 평가되고 있는데 박막의 구현 방법으로 화학기상증착법 (chemical vapor deposition, CVD), 유기금속 화학 증착법 (metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), 펄스 레이저 증착법 (pulsed laser deposition, PLD)이 많이 사용되고 있다.
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참고문헌 (10)

  1. B.J. Jin, S.H. Bae, S.Y. Lee, S. Im, Mat. Sci. Eng. B. 71, 301 (2000). 

  2. X. W. Sun, H. S. Kwok, J. Appl. Phys. 86, 408 (1999). 

  3. Z. L. Wang, J. Phys-Condens. Mat. 16, 829 (2004). 

  4. B.J. Jin, S. Im, Thin Solid Films. 366, 107 (2000). 

  5. Y. Zhu, M. Ikeda, Y. Murakami, A. Tsukazaki, T. Fukumura, M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 46, 1000 (2007). 

  6. R. D. Vispute, V. Talyansky, Z. Trajanovic, S. Choopun, M. Downes, R. P. Sharma, T. Venkatesan, M. C. Woods, R. T. Lareau, K. A. Jones, A. A. Iliadis, Appl. Phys. Lett. 70, 2735 (1997). 

  7. E. M. Kaidashev, M. Lorenz, H. von Wenckstern, A. Rahm, H.-C. Semmelhack, K.-H. Han, G. Benndorf, C. Bundesmann, H. Hochmuth, M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 82, 3901 (2003). 

  8. J. M. Myoung, W. H. Yoon, D. H. Lee, I. Yun, S. H. Bae, S. Y. Lee, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 28 (2002). 

  9. C. Liu, S. H. Chang, T. W. Noh, J.-H. Song, J. Xie, Phys. Status. Solidi. B. 244, 1528 (2007). 

  10. C. Liu, S. H. Chang, T. W. Noh, M. Abouzaid, P. Ruterana, H. H. Lee, D.-W. Kim, J.-S. Chung, Appl. Phys. Lett. 90 (2007). 

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