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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.21 no.2, 2011년, pp.115 - 119
이상훈 (연세대학교 신소재공학과 정보전자재료연구실) , 문경주 (연세대학교 신소재공학과 정보전자재료연구실) , 황성환 (연세대학교 신소재공학과 정보전자재료연구실) , 이태일 (연세대학교 신소재공학과 정보전자재료연구실) , 명재민 (연세대학교 신소재공학과 정보전자재료연구실)
Si Nanowire (NW) field effect transistors (FETs) were fabricated on hard Si and flexible polyimide (PI) substrates, and their electrical characteristics were compared. Si NWs used as channels were synthesized by electroless etching method at low temperature, and these NWs were refined using a centri...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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기존의 3차원 혹은 2차원 형태의 무기재료의 경우 단단한 기판을 이용한 트렌지스터를 제작하는 이유는? | 기존의 3차원 혹은 2차원 형태의 무기재료의 경우 형태가 변형되거나 외부에서 힘이 가해질 경우 재료의 결함으로 인하여 소자가 손상되기 때문에 이를 방지하기 위하여 단단한 기판을 이용한 트랜지스터가 제작되었다. 하지만 다양한 산업 기반에 트랜지스터 소자가 접목되면서 접을 수 있고 구길 수도 있는 재료에 대한 요구가 증가하고 있다. | |
p-type Si 나노와이어는 어떤 성질을 가지는 반도체 물질인가? | 연구에서는 유연한 성질을 갖는 반도체 물질로서 무전해 식각법을 이용한 p-type Si 나노와이어를 합성하여 field-effect transistor (FET) 소자를 제작하고 그 전기적 특성을 평가하였다. 유연한 성질을 갖는 polyimide (PI) 기판을 사용하여 유연소자의 구조를 설계하고 제작하였으며 기존의 단단한 Si 기판을 이용한 소자와의 전기적 특성을 비교하였다. | |
단단한 Si 기판 대신 유연한 PI 기판을 사용한 FET 소자의 경우 나노와이어의 이동도 차이는 크게 없었지만 Vth 와 S 값이 크게 증가하는 이유는? | 단단한 Si 기판 대신 유연한 PI 기판을 사용한 FET 소자의 경우 나노와이어의 이동도 차이는 크게 없었었으나 Vth 와 S 값이 크게 증가하는 것을 확인 할 수 있었다. 이는 PVP와 나노와이어 사이의 계면 및 전극과 나노와이어 사이의 계면에서 결함이 증가한 때문으로 생각된다. 유연기판에 제작한 FET 소자의 안정성을 시험한 결과, 500회의 bending 횟수에서는 안정적인 전기적 특성을 보였지만 1000회 이상부터 전기적 특성이 감소하기 시작하여 1500회의 bending 횟수에서는 초기 소자보다 약 1/2배만큼 이동도와 Ion/Ioff ratio가 감소하는 것을 확인 할 수 있었다. |
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