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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.10 no.4, 2011년, pp.53 - 59
김남웅 (동양미래대학 기계공학부) , 김국원 (순천향대학교 공과대학 기계공학과)
Recently there have been considerable attentions on nanoimprint lithography (NIL) by the display device and semiconductor industry due to its potential abilities that enable cost-effective and high-throughput nanofabrication. Although one of the current major research trends of NIL is large-area pat...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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NIL이란 무엇인가? | 나노 임프린트 리소그래피 (Nanoimprint Lithography, NIL) 공정은 1990년대 중반에 최초 제안된 이래, 반도체 및 디스플레이 산업에서 기존 고가의 포토 리소그래피 공정을 대체할 수 있는 대안으로 활발한 연구가 이루어지고 있다[1,2]. NIL은 몰드(혹은 스탬프) 에 기 형성되어 있는 나노 구조의 패턴 형상을 기계적 가압을 통해 반복적으로 기판에 전사시키는 기술로서, 사용되는 레지스트의 종류 및 경화시키는 방법에 따라 대체적으로 열 나노임프린트 리소그래피 (Thermal NIL)와 자외선 나노임프린트 리소그래피(UV NIL)로 구별된다[3,4]. 이중 특히, UV NIL은 상온 및 저압 조건에서 공정이 이루어지기 때문에 생산성 면에서 Thermal NIL에 비해 강점을 갖는다. | |
임프린팅 공정을 전면 가압 방식으로 하였을 때 어떤 문제가 발생하는가? | 임프린팅 면적이 증가할수록, 몰드 상면 전면적에 걸쳐 균일한 압력으로 가압하기가 점점 더 어려워진다. 나아가 상면에 균일한 압력을 가한다 할지라도, 몰드에 형성되어 있는 패턴의 형상 및 크기가 일정치 않고 다양하다면, 몰드와 기판 사이의 레지스트에 압력불균형이 발생하고 이는 결국 기판에 전사되는 패턴의 잔류층 불균일을 초래하게 된다[5]. 더욱이 기판의 두께 공차나 스테이지의 편평도 공차를 고려한다면, 잔류층 불균일은 더욱 커지게 되는 것이다. 이러한 문제를 해결하기 위하여, 저강성의 유연(Soft) 몰드를 사용하여 종래의 전면 가압과 달리 롤러(Roller)를 사용하여 가압하는 방법이 제안 되어 연구되고 있다[6,7]. | |
NIL을 레지스트의 종류 및 경화 방법에 따라 구분하시오. | 나노 임프린트 리소그래피 (Nanoimprint Lithography, NIL) 공정은 1990년대 중반에 최초 제안된 이래, 반도체 및 디스플레이 산업에서 기존 고가의 포토 리소그래피 공정을 대체할 수 있는 대안으로 활발한 연구가 이루어지고 있다[1,2]. NIL은 몰드(혹은 스탬프) 에 기 형성되어 있는 나노 구조의 패턴 형상을 기계적 가압을 통해 반복적으로 기판에 전사시키는 기술로서, 사용되는 레지스트의 종류 및 경화시키는 방법에 따라 대체적으로 열 나노임프린트 리소그래피 (Thermal NIL)와 자외선 나노임프린트 리소그래피(UV NIL)로 구별된다[3,4]. 이중 특히, UV NIL은 상온 및 저압 조건에서 공정이 이루어지기 때문에 생산성 면에서 Thermal NIL에 비해 강점을 갖는다. |
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