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CuO 세라믹스의 소결 온도 및 분위기에 따른 미세구조와 수축거동 변화
Effect of the Sintering Temperature and Atmosphere on the Microstructural Evolution and Shrinkage Behavior of CuO Ceramics 원문보기

한국세라믹학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society, v.49 no.6, 2012년, pp.528 - 534  

송주현 (경북대학교 신소재공학부) ,  이정아 (경북대학교 신소재공학부) ,  이준형 (경북대학교 신소재공학부) ,  허영우 (경북대학교 신소재공학부) ,  김정주 (경북대학교 신소재공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this study, the densification behavior and microstructural evolution of CuO were examined when this material was sintered at different temperatures in $O_2$, air and Ar atmospheres. The CuO samples maintained their phases even after prolonged sintering at $900-1100^{\circ}C$...

주제어

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문제 정의

  • 따라서 본 연구에서는 CuO계 세라믹스의 소결거동에 관한 기초 연구로써 소결온도 및 소결 분위기를 제어에 따른 CuO의 수축거동, 미세구조 변화 및 상전이 과정을 조사하고 이를 근거로 상전이 거동과 치밀화의 상관관계를 조사하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
투명 전도성 산화물로 연구되는 n-type 산화물은? 최근 디스플레이 산업, 태양전지 그리고 조명기기 등의 산업발전에 따라 산화물계 투명전도체의 연구가 지속적으로 증가되고 있다. 1,2) 지금까지 투명 전도성 산화물 연구는 대부분 n-type 산화물에 집중되어 왔는데 그 대표적인 예가 ITO(Sn - doped In2O3), AZO(Al - doped ZnO) 그리고 F가 치환된 SnO2 등이 있다. 또한 이들은 대부분 스퍼터 방법으로 박막을 성장시켜 응용하기 때문에 치밀한 target 제조가 중요한 것으로 고려되고 있다.
CuO 성형체를 Ar 분위기에서 소결할 때 시편 내부에 균열 및 기공이 발생되지 않은 이유는? 이것은 Rayleigh 불안정 현상으로 설명 하였다. 반면에 Ar 분위기에서 소결한 시편은 치밀화가 거의 되지 않은 관계로 산소기체가 시편 외부로 빠져 나오기가 용이하여 시편 내부에 균열 및 기공이 발생되지 않았다.
난소결성 재료로 알려진 ITO계나 SnO2계의 치밀화 증진을 위해 제안된 방법은? 또한 이들은 대부분 스퍼터 방법으로 박막을 성장시켜 응용하기 때문에 치밀한 target 제조가 중요한 것으로 고려되고 있다. 이에 따라, 난소결성 재료로 알려져 왔던 ITO계나 SnO2계의 치밀화 증진을 위해 소결 조제 첨가3), 고온 가압 소결4), 소결 분위기 조절 및 소결성이 우수한 나노 크기 분말제조5), 반응 소결 이용 등의 다양한 방법들이 제안되어 왔다.
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참고문헌 (20)

  1. T. Serin, A. Yildiz, S. H. Sahin, and N. Serin, "Multiphonon Hopping of Carriers in CuO Thin Films," Physica B, 406 3551-55 (2011). 

  2. A. Chen, H. Long, X. Li, Y. Li, G. Yang, and P. Lu, "Controlled Growth and Characteristics of Single-phase $Cu_2O$ and CuO Films by Pulsed Laser Deposition," Vacuum, 83 927-30 (2009). 

  3. J.-S. Kim, K.-W. Ryu, J.-H. Koh, and Y.-H. Lee, "Low Temperature Sintering Properties of the $0.6TiTe_3O_8-0.4MgTiO_3$ Ceramics with Sintering Adds," Kor. Inst. Elec. Res., 114-15 (2007). 

  4. B. L. Gehman, S. Jonsson, T. Rudoph, M. Scherer, M. Weigert, and R. Werner, "Influence of Manufacturing Process of Indium Tin Oxide Sputtering Targets on Sputtering Behavior," Thin Solid Films, 220 333-36 (1992). 

  5. J.-H. Song, J.-S. Lee, I.-S. Park, and D.-Y. Lim, "Preparation and Sinterability of Nanosize $TiO_2$ Powders using Supercritical Fluids," J. Kor. Ceram. Soc., 37 [7] 625-31 (2000). 

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  8. S. Suzuki, T. Miyata, and T. Minami, "p-type Semiconducting $Cu_2O$ -CoO Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering," J. Vac. Sci. Technol. A, 21 1336-41 (2003). 

  9. R. D. Schmidt-Whitley and M. Martinez-Clemente, "Growth and Microstructural Control of Single Crystal Cuprous Oxide $Cu_2O$ ", J. Crystal Growth, 23 113-20 (1974). 

  10. N. Kikuchi and K. Tonooka, "Electrical and Structural Properties of Ni-doped $Cu_2O$ Films Prepared by Pulsed Laser Deposition," Thin Solid Films, 486 33-7 (2005). 

  11. T. Serin, A. Yildiz, S. Horzum Sahin, and N. Serin, "Extraction of Important Electrical Parameters of CuO," Physica B, 406 575-78 (2011). 

  12. Y. K. Jeong and G. M. Choi, "Nonstoichiometry and Electrical Conduction of CuO," J. Phys. Chem. Solids, 57 81-4 (1996). 

  13. Y. Zhu, K. Mimura, and M. Isshiki, "Influence of Oxide Grain Morphology on Formation of The CuO Scale during Oxidation of Copper at $600-1000^{\circ}C$ ," Corrosion Sci., 47 537-44 (2005). 

  14. G. C. Wood and F. H. Stott, "The Influence of an Intermediate Annealing Treatment on the Oxidation of Copper and Nickel," Oxidation Metals, 14 187-205 (1980). 

  15. J. A. Rebane, N. V. Yakovlev, D. S. Chicherin, Y.. D. Tretyakov, Lidia I. Leonyuk, and V. G. Yakunin, "An Experimental Study of Copper Self-diffusion in CuO, $Y_2Cu_2O_5$ and $YBa_2Cu_3O_{7-x}$ by Secondary Neutral Mass Spectrometry," J. Mater. Chem., 7 2085-89 (1997). 

  16. F. A. Nichols and W. W. Mullins, "Surface-(interface-) and Volume-diffusion Contributions to Morphological Changes Driven by Capillarity," Trans. AIME, 233 1840-48 (1965). 

  17. J. W. Noh, S. S. Kim, and K. S. Churn, "Collapse of Interconnected Open Pores in Solid State Sintering of W-Ni," Metall. Trans. A., 23A 2141-45 (1992). 

  18. J. Roedel and A. M. Glaeser, "High-temperature Healing of Lithographically Introduced Cracks in Sapphire," J. Am. Ceram. Soc., 73 592-601 (1990). 

  19. H. H. Yu and Z. Suo, "An Axisymmetric Model of Poregrain Boundary Separation," J. Mech. Phys. Solid., 47 1131-55 (1999). 

  20. F. F. Lange and D. R. Clarke, "Morphological Changes of an Intergranular Thin Film in a Polycrystalline Spinel," J. Am. Ceram. Soc., 65 502-506 (1982). 

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