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반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.11 no.2, 2012년, pp.13 - 16
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Zinc oxide (ZnO) films were deposited by an RF magnetron sputtering system with the RF power of 200W and 300W and flow rate of oxygen gases of 20 and 30 sccm, in order to research the growth of ZnO on carbon doped silicon oxide (SiOC) thin film. The reflectance of SiOC film on Si film deposited by t...
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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| ITO의 단점은 무엇인가? | 최근 들어 전세계적으로 다양한 산화물 소재를 개발하고 있고, 고 이동도와 고신뢰성 TFT 소자를 확보 하기 위한 노력이 이어지고 있다[1-5]. 전극을 형성하는 박막은 높은 광투과율과 ~10−4Ωcm 정도의 낮은 전기비저항을 가져야 하는데, 가장 널리 사용되는 투명전극으로 ITO (Indium Tin Oxide)는 인듐의 독성, 저온 증착의 어려움, 스퍼터링시 음이온 충격에 의한 막 손상으로 저항의 증가 및 액정디스플레이의 투명전극으로 사용될 경우 400°C정도의 높은 온도와 수소 플라즈마 분위기에서 장시간 노출시 열화로 인한 광학적 특성변화가 문제로 지적된다. 이러한 문제 해결의 대안으로 ZnO 산화물 반도체가 있는데 내습성 향상과 전도성 향상을 위해서 3족 원소인 B, In, Al, Ga 등을 도핑한 ZnO 투명전도막의 연구가 진행되고 있다. | |
| 전극을 형성하는 박막은 어떤 조건을 갖추어야 하는가? | 최근 들어 전세계적으로 다양한 산화물 소재를 개발하고 있고, 고 이동도와 고신뢰성 TFT 소자를 확보 하기 위한 노력이 이어지고 있다[1-5]. 전극을 형성하는 박막은 높은 광투과율과 ~10−4Ωcm 정도의 낮은 전기비저항을 가져야 하는데, 가장 널리 사용되는 투명전극으로 ITO (Indium Tin Oxide)는 인듐의 독성, 저온 증착의 어려움, 스퍼터링시 음이온 충격에 의한 막 손상으로 저항의 증가 및 액정디스플레이의 투명전극으로 사용될 경우 400°C정도의 높은 온도와 수소 플라즈마 분위기에서 장시간 노출시 열화로 인한 광학적 특성변화가 문제로 지적된다. 이러한 문제 해결의 대안으로 ZnO 산화물 반도체가 있는데 내습성 향상과 전도성 향상을 위해서 3족 원소인 B, In, Al, Ga 등을 도핑한 ZnO 투명전도막의 연구가 진행되고 있다. | |
| ZnO 산화물 반도체에 AI를 도핑할 경우 장점은 무엇인가? | 이러한 문제 해결의 대안으로 ZnO 산화물 반도체가 있는데 내습성 향상과 전도성 향상을 위해서 3족 원소인 B, In, Al, Ga 등을 도핑한 ZnO 투명전도막의 연구가 진행되고 있다. 이러한 원소들 중에서 Al로 도핑했을 때 가장 낮은 비저항을 얻을 수 있다고 알려져 있다[6-9]. 투명 전도성 박막은 기판 물질의 특성에 따라서 결정성이 달라지며, 고이동도를 위해서는 계면에서의 결정성의 불일치를 최소화 해야 한다. |
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Min Su Kim, Kwang Gug Yim, Gae Young Leem, Soaram Kim, Giwoong Nam, Do Yeob Kim, Sung O Kim, Dong Yul Lee, Jin Soo Kim and Jong Su Kim, "Nanocrystalline ZnO thin films Grown on Porous Silicon by Sol-gel Method and Effects of Post-annealing," Journal of the Korean Physical Society, vol. 59, pp. 346-352, 2011.
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