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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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1세대 BSCCO 고온초전도 선재에 주로 사용되는 공법은? | 1세대 BSCCO 고온초전도 선재는 은(Ag)튜브에 초전도 분말을 주입하여 가공 열처리하는 Powder-InTube(PIT) 가공법이 주로 이용되고 있는데, 피복제로 고가의 은(Ag)을 사용해야 하는 관계로 실용화 시 경제성이 희박하다는 점이 상용화에 걸림돌이 되고 있다. 더구나 비록 Tc는 YBCO 혹은 REBCO보다 높지만 액체질소 온도 영역에서 취약한 자속 피닝 특성 때문에 낮은 비가 역자장(irreversibility field: 주어진 온도에서 자기장을 인가할 때 Jc가 0이 되는 임계자장)과 인가되는 자장의 세기가 증가함에 따라 Jc가 현저하게 감소됨으로 초전도 송전 케이블을 제외한 초전도 전력기기 응용에는 치명적인 한계가 있다. | |
액체질소를 냉매로 사용할 수 있는 온도영역은? | 3 K)를 냉매로 고온초전도체를 실용화 할 수 있는 가능성이 열리게 되었다. 액체질소를 냉매로 사용할 수 있는 온도 영역(65~77 K)에서 고온초전도체를 산업에 응용하려면 높은 임계전류 (critical current, Ic)특성을 가지는 장선재의 제조기술 개발이 필수적이다. 그 필요성에 반해 고온초전도 장선재의 제조기술 개발이 상당히 지체된 것은 금속 산화물 세라믹 재료인 고온초전도체가 기계적으로 부스러지기 쉽기 때문에 금속 및 합금을 기반으로 하는 저온 초전도체 선재의 제조기술인 압출/인발 등의 소성가공을 적용할 수 없을 뿐 아니라, 손쉽게 제조할 수 있는 다결정 형태로는 높은 임계전류밀도 (critical current density, Jc)를 얻을 수 없기 때문이었다. | |
자속피닝 측면에서 PLD 공정이 가장 우수한 이유는? | CC의 생산속도와는 달리 실제 응용에 중요한 자속피닝 측면에서는 PLD 공정이 가장 우수한 것으로 알려져 있다. 이는 자속피닝점을 형성하기 위해 이차상을 초전도 기저상 내부로 진입시킬 때, nanodot 혹은 columnar defect 형상으로 그 크기가 수 nm로 다른 공정들과 비교 하여 작게 형성되기 때문이다. MOCVD, MOD, EDDC 의 경우 수십 nm 크기의 구형 입자가 형성되어 자속피닝점의 효과가 PLD에 비하여 조금 떨어지며, 특히 RCEDR 공정으로 제조된 CC에서는 이차상의 크기가 거의 100 nm에 달하여, 22) 위의 공정 중 자속피닝 특성이 가장 뒤떨어진다. |
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