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제2세대 고온초전도 장선재 제조기술 현황 및 전망 원문보기

세라미스트 = Ceramist, v.15 no.6, 2012년, pp.7 - 15  

유상임 (서울대학교)

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문제 정의

  • 2축 배향된 완충층 위에 고성능의 초전도층를 증착하는 방식에는 유기금속화학기체증착법(Metal-organic chemical vapor deposition: MOCVD), 유기금속증착법 (Metal-organic deposition: MOD), 펄스레이저 증발법 (Pulsed laser deposition: PLD), 동시증발법 (Co-evaporation) 등의 제조 공정이 개발되었고, 최근 기존의 Coevaporation을 보다 획기적으로 개선한 EDDC (Evaporation using Drum in Dual Chamber)법과 동시증발반응법 (Reactive Co-Evaporation Deposition & Reaction: RCEDR) 공정이 국내 연구진에 의해 세계최초로 개발되어 큰 주목을 받고 있다. 다음으로 이러한 초전도층의 제조 공정에 대하여 자세히 살펴보고, 각각의 장단점을 논의 하고자 한다.
  • 상용화에 필요한 CC의 특성 및 기술적인 문제들은 대부분 해결된 것으로 보이지만, 대규모 상용화를 위해서는 보다 우수한 성능의 CC를 저가로 생산, 판매하는 것이 필수적이므로 현재는 이러한 상용화 기술개발이 가장 중요한 시점이라고 볼 수 있다. 본 고에서는 먼저 현재까지 보고된 장선의 고성능 CC 제조 기술을 살펴본 후 향후 전망에 대해 논의하고자 한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
1세대 BSCCO 고온초전도 선재에 주로 사용되는 공법은? 1세대 BSCCO 고온초전도 선재는 은(Ag)튜브에 초전도 분말을 주입하여 가공 열처리하는 Powder-InTube(PIT) 가공법이 주로 이용되고 있는데, 피복제로 고가의 은(Ag)을 사용해야 하는 관계로 실용화 시 경제성이 희박하다는 점이 상용화에 걸림돌이 되고 있다. 더구나 비록 Tc는 YBCO 혹은 REBCO보다 높지만 액체질소 온도 영역에서 취약한 자속 피닝 특성 때문에 낮은 비가 역자장(irreversibility field: 주어진 온도에서 자기장을 인가할 때 Jc가 0이 되는 임계자장)과 인가되는 자장의 세기가 증가함에 따라 Jc가 현저하게 감소됨으로 초전도 송전 케이블을 제외한 초전도 전력기기 응용에는 치명적인 한계가 있다.
액체질소를 냉매로 사용할 수 있는 온도영역은? 3 K)를 냉매로 고온초전도체를 실용화 할 수 있는 가능성이 열리게 되었다. 액체질소를 냉매로 사용할 수 있는 온도 영역(65~77 K)에서 고온초전도체를 산업에 응용하려면 높은 임계전류 (critical current, Ic)특성을 가지는 장선재의 제조기술 개발이 필수적이다. 그 필요성에 반해 고온초전도 장선재의 제조기술 개발이 상당히 지체된 것은 금속 산화물 세라믹 재료인 고온초전도체가 기계적으로 부스러지기 쉽기 때문에 금속 및 합금을 기반으로 하는 저온 초전도체 선재의 제조기술인 압출/인발 등의 소성가공을 적용할 수 없을 뿐 아니라, 손쉽게 제조할 수 있는 다결정 형태로는 높은 임계전류밀도 (critical current density, Jc)를 얻을 수 없기 때문이었다.
자속피닝 측면에서 PLD 공정이 가장 우수한 이유는? CC의 생산속도와는 달리 실제 응용에 중요한 자속피닝 측면에서는 PLD 공정이 가장 우수한 것으로 알려져 있다. 이는 자속피닝점을 형성하기 위해 이차상을 초전도 기저상 내부로 진입시킬 때, nanodot 혹은 columnar defect 형상으로 그 크기가 수 nm로 다른 공정들과 비교 하여 작게 형성되기 때문이다. MOCVD, MOD, EDDC 의 경우 수십 nm 크기의 구형 입자가 형성되어 자속피닝점의 효과가 PLD에 비하여 조금 떨어지며, 특히 RCEDR 공정으로 제조된 CC에서는 이차상의 크기가 거의 100 nm에 달하여, 22) 위의 공정 중 자속피닝 특성이 가장 뒤떨어진다.
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