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[국내논문] 600 V급 Planar Field Stop IGBT 최적 설계 및 전기적 특성 분석에 관한 연구
A Study on Optimal Design and Electrical Characteristics of 600 V Planar Field Stop IGBT 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.25 no.4, 2012년, pp.261 - 265  

남태진 (극동대학교 태양광공학과) ,  정은식 (메이플 세미컨덕터(주)) ,  강이구 (극동대학교 태양광공학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

IGBT(insulated gate bipolar transistor) is outstanding device for current conduction capabilities. IGBT design to control the large power switching device for power supply, converter, solar converter, electric home appliances, etc. like this IGBT device can be used in many places so to increase the ...

Keyword

#Field stop   #IGBT   #Non-punch through   #Power device  

AI 본문요약
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문제 정의

  • 이렇듯 IGBT 소자의 효율을 높이기 위해 tread-off 관계를 최적화 시키고자 여러 가지 구조들이 나오고 있다. 본 논문에서는 같은 항복전압을 가지면서 온 상태 전압강하를 낮출 수 있는 field stop 구조를 가지는 IGBT를 제안하고 최적화된 non-punch through planar IGBT와 field stop IGBT를 설계하여 두 소자의 전기적 특성을 비교 분석 및 고찰하였다.
  • 본 논문은 NPT planar IGBT에 N buffer층을 추가 하는 field stop IGBT를 설계하여 항복전압과 온 상태 전압강하 특성을 소자 시뮬레이션으로 확인하고 분석하였다. 그 결과 PNT IGBT에 N buffer층을 삽입한 field stop IGBT의 온 상태 전압강하와 항복전압이 NPT IGBT보다 미미하지만 향상된 것을 확인하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
IGBT는 어디에 사용되는가? IGBT (insulated gate bipolar transistor) 소자는 전류전도 능력이 뛰어난 소자이며, 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스로써 전원 공급 장치, 변환기, 태양광인버터, 가전제품 등에 널리 사용 되고 있다. 이러한 IGBT는 파워 반도체 소자인 만큼 항복 전압과 온-상태 전압 강하, 스위칭 속도, 신뢰성의 이상적인 파워 반도체 소자의 요구사항을 목표로 하고 있다.
IGBT (insulated gate bipolar transistor) 소자는 어떤 요구사항을 목표로 하는가? IGBT (insulated gate bipolar transistor) 소자는 전류전도 능력이 뛰어난 소자이며, 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스로써 전원 공급 장치, 변환기, 태양광인버터, 가전제품 등에 널리 사용 되고 있다. 이러한 IGBT는 파워 반도체 소자인 만큼 항복 전압과 온-상태 전압 강하, 스위칭 속도, 신뢰성의 이상적인 파워 반도체 소자의 요구사항을 목표로 하고 있다. 일반적으로 드리프트 영역의 농도를 낮추게 되면 항복 전압은 증가하지만 온 저항과 같은 기타 특성들이 감소하게 되므로 설계의 최적화 및 구조변경을 통해 항복전압특성과 온 상태 전압강하 특성을 개선시켜야 한다.
IGBT는 어떤 소자인가? IGBT (insulated gate bipolar transistor) 소자는 전류전도 능력이 뛰어난 소자이며, 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스로써 전원 공급 장치, 변환기, 태양광인버터, 가전제품 등에 널리 사용 되고 있다. 이러한 IGBT는 파워 반도체 소자인 만큼 항복 전압과 온-상태 전압 강하, 스위칭 속도, 신뢰성의 이상적인 파워 반도체 소자의 요구사항을 목표로 하고 있다.
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참고문헌 (5)

  1. B. J. Baliga, Power Electronics and Variable Frequency Drives (PWS Publishers, Boston, 1996) 

  2. E. G. Kang, B. S. Ahn, and T. J, Nam, J. KIEEME, 23, 273 (2010). 

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  3. J. S. Lee, E. G. Kang, and M. Y, Sung, J. KEEEME, 19, 912 (2006). 

  4. E. G. Kang and M. Y. Sung, J. KIEEME, 13, 371 (2000). 

    원문보기 상세보기

  5. E. G. Kang and M. Y. Sung, J. KIEEME, 15, 758 (2002). 

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