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Trench Gate를 이용한 Field Stop IGBT의 전기적 특성 분석에 관한 연구
A Study on Electrical Characteristics Improvement on Field Stop IGBT Using Trench Gate Structure 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.25 no.4, 2012년, pp.266 - 269  

남태진 (극동대학교 태양광공학과) ,  정은식 (메이플 세미컨턱터(주)) ,  정헌석 (극동대학교 태양광공학과) ,  강이구 (극동대학교 태양광공학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

The most recently IGBT (insulated gate bipolar mode transistor) devices are in the most current conduction capable devices and designed to the big switching power device. Use this number of the devices are need to high voltage and low on-state voltage drop. And then in this paper design of field sto...

주제어

#Power device   #Field Stop   #IGBT   #Trench gate  

AI 본문요약
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* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • 또한 동일한 크기의 소자에서는 trench gate 구조가 항복전압 특성이 좋다. 본 논문에서는 최적화 planar field stop IGBT와 trench field stop IGBT를 설계하여 두 소자의 전기적 특성 분석을 비교 분석 및 고찰하였다.
  • 본 논문은 planar field stop IGBT의 전기적 특성 향상을 위해 trench gate 구조를 제안하여 그 항복 전압과 온 상태 전압강하 특성을 소자 시뮬레이션으로 확인하고 분석하였다. 그 결과 trench gate 구조에 의해 JFET 영역이 없어짐으로, 온 상태 전압강하를 낮출 수 있었다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
파워 반도체 소자란? 파워 반도체 소자는 보통 1와트 이상의 전력 변환이나 제어를 하는 반도체 소자로 정류 다이오드, BJT (bipolar junction transistor), GTO (gate turn off thyristor), power MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor), IGBT (insulated gate bipolar transistor) 등이 사용되고 있다. 그 중 IGBT 소자는 전류전도 능력이 뛰어난 소자이며, 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스로써 전원 공급 장치, 변환기, 태양광 인버터, 가전제품 등에 널리 사용되고 있다.
파워 반도체 소자로는 어떤 것들이 사용되고 있는가? 파워 반도체 소자는 보통 1와트 이상의 전력 변환이나 제어를 하는 반도체 소자로 정류 다이오드, BJT (bipolar junction transistor), GTO (gate turn off thyristor), power MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor), IGBT (insulated gate bipolar transistor) 등이 사용되고 있다. 그 중 IGBT 소자는 전류전도 능력이 뛰어난 소자이며, 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스로써 전원 공급 장치, 변환기, 태양광 인버터, 가전제품 등에 널리 사용되고 있다.
파워 반도체 소자 중 IGBT의 장점은? 파워 반도체 소자는 보통 1와트 이상의 전력 변환이나 제어를 하는 반도체 소자로 정류 다이오드, BJT (bipolar junction transistor), GTO (gate turn off thyristor), power MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor), IGBT (insulated gate bipolar transistor) 등이 사용되고 있다. 그 중 IGBT 소자는 전류전도 능력이 뛰어난 소자이며, 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스로써 전원 공급 장치, 변환기, 태양광 인버터, 가전제품 등에 널리 사용되고 있다. 이러한 IGBT의 소자의 쓰임새가 많아짐에 따라 효율을 높이기 위해 여러 가지 구조들이 나오고 있으며 그 중 하나인 trench gate IGBT 구조가 나온 이후 기생 JFET (junction gate field-effect transistor) 성분이 발생하지 않으며 수직으로 형성된 gate channel을 통한 전류의 흐름이 원활하기 때문에 온 상태 전압강하 특성이 좋다.
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참고문헌 (5)

  1. S. S. Kyoung, J. H. Seo, Y. H. Kim, J. S. Lee, E. G. Kang, and M. Y. Sung, J. KIEEME, 22, 12 (2009). 

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  2. E. G. Kang, B. S. Ahn, and T. J, Nam, J. KIEEME, 23, 273 (2010). 

    원문보기 상세보기

  3. J. S. Lee, E. G. Kang, and M. Y, Sung, J. KEEEME, 19, 912 (2006). 

  4. E. G. Kang and M. Y. Sung, J. KIEEME, 13, 371 (2000). 

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  5. B. J. Baliga, Power Semiconductor Devices (PWS Publishing Company, New York, 1996). 

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