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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.25 no.4, 2012년, pp.290 - 293
전민철 (광운대학교 전자재료공학과) , 이규탁 (광운대학교 전자재료공학과) , 박상욱 (광운대학교 전자재료공학과) , 이경주 (고려대학교 전기전자전파공학부) , 문병무 (고려대학교 전기전자전파공학부) , 조원주 (광운대학교 전자재료공학과) , 고중혁 (광운대학교 전자재료공학과)
This article introduces the characterization of spin coated ZnO transparent conducting oxide on the flexible substrates. As a II-IV compound semiconductor, ZnO has a wide band gap of 3.37 eV with transparent properties. Due to this transparent properties, ZnO materials can be also employed as the tr...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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태양전지에 사용되는 투명전극에 주로 사용되는 재료는? | 태양전지에 사용되는 투명전극은 반도체 산화물 전극소재로써 SnO2, ITO (indium tin oxide), CdO, ZnO 등의 재료가 주로 이용되고 있으며, 이중 낮은 비저항값을 갖는 ITO 박막이 널리 이용되어 왔다.[1] | |
ZnO이 n형 반도체 성질을 가지는 이유는? | 현재 ZnO는 1980년대 후반부터 이미 투명 전극, 가스센서, display 소자 등 여러 분야에 널리 이용되어 왔으며 최근에는 발광소자 (LEDs), 압전소자, 태양전지, 레이저 소자 (LDs)등의 광학소자 분야 등에 응용되고 있다. ZnO는 II-IV족 화합물 반도체로써 상온에서 3.3 eV의 wide band gap을 갖는 반도체로써 결정구조는 wurzite와 비슷한 육방정계 (hexagonal)이며 이온화된 격자 간 원자에 의해 생긴 전자 때문에 n형 반도체 성질을 지니고 있다 [2-4]. | |
반도체 산화물 전극소재인 ZnO가 전기 전도성을 가지는 이유는? | ZnO가 전기전도성을 가지는 것은 결정을 형성하는 과정에서 산소의 frenkel 격자결함이 형성되어 doner 형의 불순물준위를 형성하기 때문이다. 그래서 ZnO는 상온에서 낮은 비저항 값을 갖게 된다. |
R. Tueta and M. Braguier, Thin Solid Films, 80, 143 (1981).
K. Nomura, H. Ohta, A. Takaki, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hoseno, Nature, 432, 488 (2004).
Y. L. Wang, H. S. Kim, D. P. Norton, S. J. Pearton, and F. Ren, Appl. Phys. Lett., 92, 112101 (2008).
R. Navamathavan, C. K. Choi, E. J. Yang, I. H. Lim, D. K. Hwang, and S. J. Park, Solid-State Electron., 52, 813 (2008).
J. F. Wager, Appl. Phys. Lett., 300, 1245 (2003).
H. Jin, S. K. Oh, H. J. Kang, S. W. Lee, Y. S. Lee, and M. H. Cho, Appl. Phys. Lett., 87, 212902 (2005).
S. J Lee and S. M Han, J. Kor. Ceram. Soc., 25, 645 (1988).
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