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電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.49 no.1 = no.415, 2012년, pp.1 - 7
김지선 (건국대학교 전자공학부) , 박기찬 (건국대학교 전자공학부) , 오환술 (건국대학교 전자공학부)
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We have developed a new gate driver circuit for liquid crystal displays using oxide thin-film transistors (TFTs). In the new gate driver, negative gate bias is applied to turn off the oxide TFTs because the oxide TFT occasionally has negative threshold voltage (VT). In addition, we employed three pa...
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| CMOS 회로 제조 시 단점은? | 최근 액정 디스플레이 패널은 유리기판 위에 트랜지스터 회로를 내장하여 구조를 단순화하는 기술을 적용하고 있다. 이 경우, CMOS(complementary metaloxide-semiconductor) 회로를 사용하면 다양한 회로를 구현하기 쉽지만, N형 트랜지스터와 P형 트랜지스터를 모두 제작해야 하므로 제조 공정이 복잡하고 비용이 증가하는 단점이 있다. 디스플레이 공정에서는 제조비용절감이 특히 중요하므로 N형 또는 P형 트랜지스터 한 종류만을 사용하는 회로가 주로 적용되고 있다. | |
| 산화물 박막트랜지스터의 장점은? | 기존의 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘 박막트랜지스터 외에 최근에는 In-Ga-Zn-O (IGZO) 와 같은 산화물 반도체를 사용하는 박막트랜지스터가 주목을 받고 있다. 산화물 박막트랜지스터는 비정질 실리콘 박막트랜지스터보다는 전자 이동도가 높고, 다결정 실리콘 박막트랜지스터보다는 특성이 균일하면서 제조비용이 낮기 때문이다.[3] | |
| 산화물 박막트랜지스터는 공정 조건 변화에 민감하고 공핍형으로 동작하는 경우가 많은데, 이에 따라 필요한 설계는? | 그러나 산화물 박막트랜지스터는 공정 조건의 변화에 민감하고, 게이트에 전압을 인가하면서 빛을 조사하면 문턱전압(VT)이 음의 값을 갖게 되어 공핍형(depletion mode)으로 동작하는 경우가 많다. 그래서 기존의 박막트랜지스터 회로와 다르게 공핍형 특성에 대응하는 회로 설계가 필요하다.[4] 심지원 등은 이러한 문제를 해결하기 위한 게이트 드라이버 회로를 제안한 바가 있으나, 래치(latch)를 사용하므로 트랜지스터 수가 많고, N형 트랜지스터로만 구성한 래치에 흐르는 정전류에 의해서 소비전력이 증가할 우려가 있다. |
J. Yoon, J. Kang, and O. Kwon, "High Efficient P-Type Only Cross-Coupled DC-DC Converter Using Low Temperature Poly-Si (LTPS) TFTs for Mobile Display Applications", in Proc. of Society for Information Display (SID) Int'l Symp., pp. 545-548, LA, USA, May 2008.
임도, 박기찬, 오환술, "N-Channel 산화물 TFT 기반의 저소비전력 논리 게이트 회로", 대한전자공학회 논문지 제48권 SD편, 제3호, 1-6쪽, 2010년 3 월
Y. Mo, M. Kim, C. Kang, J. Jeong, Y. Park, C. Choi, H. Kim, and S. Kim, "Amorphous Oxide TFT Backplane for Large Size AMOLED TVs", in Proc. of Society for Information Display (SID) Int'l Symp., pp. 1037-1040, Seattle, USA, May 2010.
C. Kang, Y. Park, S. Park, Y. Mo, B. Kim, and S. Kim, "Integrated Scan Driver with Oxide TFTs Using Floating Gate Method", in Proc. of Society for Information Display (SID) Int'l Symp., pp. 25-27, Los Angeles, USA, May 2011.
J. Shim, J. Park, I. Song, J.H. Chun, K.W. Kwon, "A Reliable, Low Power, On-Glass Row Driver Using N-type GIZO TFT", in Proc. of ITC-CSCC 2010, pp. 888-891, Pattaya, Thailand, July 2010.
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