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인포메이션 디스플레이 = Information display, v.13 no.4, 2012년, pp.2 - 8
이양두 (고려대학교 전기전자전파공학부) , 주병권 (고려대학교 전기전자전파공학부)
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 금속 또는 반도체로 만들어진 미세 구조의 전계 에미터에 전압을 인가하면 어떠한 현상이 발생되는가? | 금속 또는 반도체로 만들어진 미 세 구조의 전계 에미터(Field Emitter)에 전압을 인가하면 높은 전기장이 유도되어 전자들이 에미터로부터 양자역학적으로 터널링되어진공속으로 방출된다. 전자 방출원은 마이크로 및 나노 팁형(Spindt)과 평면형이 있다. | |
| CNT 에미터 제조법 중 CVD법의 합성 과정은 어떻게 되는가? | CVD법은 실리콘 및 유리 기판에 촉매 금속(Ni, Co, Fe 등)을 증착하고 이 금속면을 에칭하여 나노 수준의 금속 입자를 형성시키고 500~1000oC에서 반응기체(탄소 소스) 가스(CH4, C2H2, C2H4, C2H6, CO)를 사용해서 탄소나노튜브를 합성한다. 촉매의 크기가 CNT직경에큰 영향을 준다. | |
| 실리콘 팁의 장단점은? | [그림 1]는 스핀트형의 에미터 구조와 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display : FED)를 이용한 DVD(Digital Versatile Disc/Digital Video Disc) 플레이어를 보여 주고 있다[1]. 실리콘 팁은 반도체 공정과 호환성이 있어서 구조 조절이 용이하고, 균일성이 우수 하지만, 패널 크기가 제한되는 단점을 가지고 있다. 금속팁의 대표적인 스핀트형 몰리브덴(Mo) 에미터는 높은 전류밀도를 얻을 수 있고, 강도 및 안정성이 우수한 특성을 가지고 있지만, 방출전류의 불안정성과 디바이스의 신뢰성 및 복잡한 제조 공정이 필요하다. |
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