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NTIS 바로가기한국전자통신학회 논문지 = The Journal of the Korea Institute of Electronic Communication Sciences, v.7 no.1, 2012년, pp.1 - 7
김민수 (경남대학교 정보통신공학과) , 장연길 (에이트론(주) 부설연구소) , 이영철 (경남대학교 정보통신공학과)
In this paper, An X-band solid state power amplifier(SSPA) for pulse compressed microwave signal with 60Watt power and power added efficiency(PAE) above 30% is described. Designed 60Watt high power amplifier(HPA) was implemented by cascade coupled amplifiers, and it is consisted on three stage drive...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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반도체 전력증폭단을 적용한 레이더의 특성은? | 1980년대 이후 화합물 반도체 설계기술의 발전에 따라 고출력 마이크로파 통신시스템에 반도체 기술을 적용하기 위한 연구가 많이 진행되었으며[1-2], 특히 레이단 출력단에서 수십∼수백KW급의 고출력 진공관 (tube)을 반도체 전력증폭단(SSPA, Solid State Power Amplifier)으로 대치시키기 위한 연구개발이급속히 진행되었다[3-5]. 반도체 전력증폭단(SSPA)의 적용한 레이더는 진공관에 비하여 송신기의 동작수명의 연장되며, 저 전압 전원공급이 가능하고, 반도체의 특성에 의하여 동작주파수의 대역폭을 최대 50%까지 넓힐 수 있으며, 특히 저출력의 SSPA 모듈의 다양한 배열구조를 이용하여 다양하고 유연한(flexible) 레이다 시스템 구현이 가능한 특성이 있다[6]. 이러한 특성의 반도체 레이다를 구현하기 위하여 레이다의 전송 파형의 관계를 만족시켜야 한다. | |
GaAs PHEMT와 GaN HEMT의 특징은? | 현재 X-대역 레이다 SSPA에 적용되는 반도체 소자는 GaAs PHEMT와 GaN HEMT가 이용되고 있다[11-12]. GaAs PHEMT는 빠른 전자이동도 특성과 게이트 길이(length)와 넓이(width)를 조정하여 수∼수십 와트까지의 출력으로 S-대역이상에 까지 다양하게 SSPA를 설계할 수 있다. 한편 넓은 반도체 밴드갭 특성을 이용하여 수 십 와트의 출력을 나타내는 GaN HEMT는 현재 X-대역 이상의 주파수 영역에서 수 십 와트에서 수 백 와트에 이르기 까지 높은 출력과 효율 및 큰 이득을 달성 할 수 있는 유용한 소자로 반도체 레이다의 SSPA소자로서 이용되고 있다[13]. | |
X-대역 레이다 SSPA에 적용된 반도체 소자는? | 펄스압축 레이다(pulse compression radar)의 전송파형은 듀티사이클에 따라 전송펄스의 확산시키며 다시 레이다 수신기에서 확산된 펄스를 다시 압축시키는 방식으로 레이다에서 수신된 탐지신호의 적용되는 알고리즘의 개발에 따라 다양한 성능을 나타내는 디지털 레이다를 형성할 수 있다[9-10]. 현재 X-대역 레이다 SSPA에 적용되는 반도체 소자는 GaAs PHEMT와 GaN HEMT가 이용되고 있다[11-12]. GaAs PHEMT는 빠른 전자이동도 특성과 게이트 길이(length)와 넓이(width)를 조정하여 수∼수십 와트까지의 출력으로 S-대역이상에 까지 다양하게 SSPA를 설계할 수 있다. |
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