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UV-NIL 공정의 기포 결함에 대한 해석적 및 수치적 연구
Analytic and Numerical Study for air Bubble Defect of UV-NIL Process 원문보기

한국생산제조시스템학회지 = Journal of the Korean Society of Manufacturing Technology Engineers, v.21 no.3, 2012년, pp.473 - 478  

석정민 (서울대학교 기계항공공학부) ,  김남웅 (동양미래대학교 기계공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, the air bubble formation mechanism in the rectangular and triangular line-and-space pattern during dispensing UV Nanoimprint Lithography (UV-NIL) at an atmospheric condition is studied. To investigate the air bubble formation, an analytic model based on geometric approach and a numeri...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 기하학적 해석 모델은 과학적 엄밀성이 떨어지는 모델임에도 불구하고, 기포생성 조건을 찾아내는데 있어 유체유동해석 모델의 해석결과를 정성적으로 잘 추종하였다. 따라서 통상의 공정 조건이 적용되는 UV-NIL 공정에서 기하학적 모델의 유용성을 확인하였다.
  • 본 논문에서는 비진공 환경에서 UV-NIL 공정을 기반으로 하는 줄무늬 패턴 전사 공정이 이루어질 때, 기포 생성 메커니즘에 대하여 살펴보았다. 먼저, 기포가 발생하지 않고 완전한 충전이 이루어진 경우, 사각단면과 삼각단면에서 유동 선단의 전진 양상을 서로 비교하고 분석하였다.
  • 본 논문에서는 사각 및 삼각단면의 줄무늬 형상 패턴 몰드를 사용하는 UV NIL 공정에서 레지스트 유동 선단의 전진 양상과 기포 발생 조건을 밝히는 연구를 통해 다음과 같은 결론을 얻을 수 있었다.
  • 본 논문에서는 삼각단면 패턴의 UV NIL 공정에 대하여 새롭게 기하학적 해석을 모델을 유도한다. 공정시의 다양한 삼각 단면 패턴을 고려하기 위하여 삼각형의 꼭지각을 하나의 기하학적 변수로 고려하였다.
  • 본 절에서는 사각단면 패턴은 물론, Reddy가 다루지 않았던 삼각단면 패턴에 대해 유체유동해석을 수행하여 충전과정 중 발생하는 유동선단의 시간별 추이 및 유동선단의 재구성 경향 그리고 양 패턴의 유사성 및 상이점에 대하여 조사하였다. Fig.
  • 실제 작업 공정에서 이형과정을 고려하는 경우, 몰드와의 접촉각은 크게(소수성) 기판과의 접촉각은 작게(친수성) 설정하여야 하는 조건이 있으므로, 본 연구에서는 접촉각에 대한 관계를 파악하는 것에 초점을 맞추었다.
  • 2장에서 설명한 CFD에 기반한 수치해석모델은 정확한 물리적 거동을 모사할 수 있다는 장점이 있으나, 수치해석적으로 복잡한 2상유동을 고려하기 때문에 각 공정조건의 민감도를 살펴보는 데에는 시간이 많이 걸리는 단점이 있다. 이에 본 연구 에서는 기포가 발생하는 경우에 대하여 보다 간단하고 도식적인 방법을 적용하기 위하여 기하학적 모델을 적용하였다. 기하학적 모델에 의한 기포 생성 연구는 최초 Reddy(7)에 의해 제안 되었는데 본 논문에서는 그가 제안한 사각단면 패턴에 대한 기학학적 모델 외에, 새롭게 삼각단면 패턴에 대한 기하학적 모델을 새롭게 정의하였으며 이를 기포생성 연구에 적용하였다.
  • 기포가 생성되는 경우를 상정하여, 유체유동해석 결과와 기하학적 해석과의 결과를 비교하여 기포 발생 조건을 살펴 보았다. 일반적으로 UV NIL 공정시 대개 패턴의 몰드 패턴 형상은 이미 결정되어 있는 상태이므로, 공정에서 직접적으로 제어할 수 있는 물성 조건을 표면처리에 따른 접촉각 조건으로 상정하여, 접촉각의 변화에 따른 기포 생성 여부를 조사하는 것을 목적으로 하였다. 즉, 패턴의 형상과 잔류층의 높이를 고정한 상태에서 레지스트 대 기판 및 레지스트 대 몰드의 접촉각 즉, ΘS와 ΘM을 변수로 놓고 기포가 생성되기 시작하는 접촉각 조건을 조사하였다.

가설 설정

  • Hiroshima 및 Hirai(2~3) 그룹에서는 사각단면의 줄무늬(line-and-space) 패턴을 고려하여 UV-NIL의 충전과정 중 발생하는 기포 생성 메커니즘을 수치적으로 연구하였다. 레지스트의 점성은 물과 같은 1cPs로 가정하고 몰드의 전진 속도는 40㎛/s로 고정한 채로 몰드와 기판 각각의 접촉각(contact angle)을 변화시켜가며 기포 생성 메커니즘을 보여주었다. 또한 기포 저감 대책으로서, 공기보다 레지스트에 대한 용해도가 더 큰 물질 환경 하의 공정을 제안하였다(4~5).
  • 이에 레지스트를 물(water)로 가정하여 점도(η)는 1cPs, 밀도(ρ)는 998.2kg/m 3 , 표면 장력 (σ)은 0.072N/m로 고려하였다.
  • 패턴 전체의 길이(L)는 1㎛이고, 초기에 레지스트가 일정만큼 유입된 상태(l0)에서 충전이 시작된다고 가정하였다. 경계 조건으로는 왼쪽 측면은 속도 입구(velocity inlet), 오른쪽 측면은 압력 출구(pressure outlet), 레지스트와 몰드 및 레지스트와 기판에 맞닿은 부분은 벽면(wall)으로 설정하였다.
  • 해석에서 고려하는 모델은 일정한 단면의 형상이 길이방향으로 충분히 길게 형성되어 있으므로 2차원으로 가정하여 해석을 수행할 수 있다. 또한 같은 모양의 단면이 반복적으로 이루어져 있으므로, 한 단위의 패턴 형상에 대하여 해석을 수행할 수 있다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
NIL 기술의 목표는? 최근 NIL 기술은 공정의 고속화 및 대면적화를 통한 대량생산 기술로의 전환을 목표로 하고 있다. 그러나 이를 실현하기 위해서는 이형(demolding) 결함, 비진공 환경에서 기포(bubble) 생성에 의한 패턴 결함 문제, 몰드 변형 및 내구성 문제, 다층 레이어 성형의 어려움 등 많은 문제를 기술적으로 해결해야만 한다.
나노 임프린트 리소그래피 공정은 어떻게 평가되고 있는가? 나노 임프린트 리소그래피(nanoimprint lithography, NIL) 공정은 10nm 이하의 뛰어난 미세 패턴 전사 능력과 단순한 작업 공정으로 인하여 현재 큰 주목을 받고 있는 마이크로/나노 패턴 제조 공정이다. 이 공정은 광학부품, 센서 등 마이크로/나노 일렉트로닉스 분야 혹은 반도체 및 디스플레이 산업에서 기존 고가의 포토 리소그래피(photo lithography) 공정을 대체할 주요한 대안으로 평가되고 있다 (1) .
나노 임프린트 리소그래피 공정이란? 나노 임프린트 리소그래피(nanoimprint lithography, NIL) 공정은 10nm 이하의 뛰어난 미세 패턴 전사 능력과 단순한 작업 공정으로 인하여 현재 큰 주목을 받고 있는 마이크로/나노 패턴 제조 공정이다. 이 공정은 광학부품, 센서 등 마이크로/나노 일렉트로닉스 분야 혹은 반도체 및 디스플레이 산업에서 기존 고가의 포토 리소그래피(photo lithography) 공정을 대체할 주요한 대안으로 평가되고 있다 (1) .
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참고문헌 (14)

  1. Chou, S. Y., and Krauss, P., 1997, "Imprint Lithography with Sub-10 nm Feature Size and High Throughput," Microelectronic Engineering, Vol. 35, No. 1-4, pp. 237-240. 

  2. Morihara, D., Hiroshima, H., and Hirai, Y., 2009, "Numerical study on Bubble Trapping in UV-nanoimprint Lithography," Microelectronic Engineering, Vol. 86, No. 4-6, pp. 684-687. 

  3. Nagaoka, Y., Morihara, D., Hiroshima, H., and Hirai, Y., 2009, "Simulation study on Bubble Trapping in UV Nanoimprint Lithography," Journal of Photopolymer Science and Technology, Vol. 22, No. 2, pp. 171-174. 

  4. Hiroshima, H., Komuro, M., Kasahara, N., Kurashima, Y., and Taniguchi, J., 2003, "Elimination of Pattern Defects of Nanoimprint under Atmospheric Condition," Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 42, pp. 3849-3853. 

  5. Hiroshima, H., and Komuro, M., 2007, "Control of Bubble Defects in UV Nanoimprint," Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 46, No. 9B, pp. 6391-6394. 

  6. Liang, X., Tan, H., Fu, Z., and Chou, S. Y., 2007, "Air Bubble Formation and Dissolution in Dispensing Nanoimprint Lithography," Nanotechnology, Vol. 18, No. 2, pp. 1-7. 

  7. Reddy, S., Schunk, P. R., and Bonnecaze, R. T., 2005, "Dynamics of Low Capillary Number Interfaces Moving through Sharp Features," Physics of Fluids, Vol. 17, No. 12, pp. 122104-1-6. 

  8. Reddy, S., and Bonnecaze, R. T., 2005, "Simulation of Fluid Flow in the Step and Flash Imprint Lithography Process," Microelectronic Engineering, Vol. 82, No. 1, pp. 60-70. 

  9. Hirt, C. W., and Nichols, B. D., 1981, "Volume of Fluid (VOF) Method for the Dynamics of Free Boundaries," Journal of Computational Physics, Vol. 39, pp. 201-225. 

  10. Lee, Y. H., Kim, N. W., and Sin, H. C., 2009, "Effect of Boundary Slip Phenomena in Nanoimprint Lithography Process," Journal of the KSMTE, Vol. 18, No. 2, pp. 144-153. 

  11. Park, J., Kim, Y., Yi, J., and Kwon, J., 2009, "Enhancement of the optical performance by optimization of optical sheets in direct illumination LCD backlight", Journal of the Optical Society of Korea, Vol. 13, No. 1, pp. 152-157. 

  12. Fulcher, R. A., 1985, "Effect of capillary number and its constituents on two-phase relative permeability curves", Journal of Petroleum Technology, Vol. 37, pp. 249-260. 

  13. Fluent 6.3.26, 2006, Fluent Inc, USA. 

  14. Rossen, W. R., 1990, "Theory of mobilization pressure gradient of flowing foams in porous media", Journal of Colloid and Interface Science, Vol. 136, pp. 38-53. 

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