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CW 레이저 조사에 의한 실리콘 웨이퍼의 손상 평가
Thermal Damage Characterization of Silicon Wafer Subjected to CW Laser Beam 원문보기

大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers. A. A, v.36 no.10, 2012년, pp.1241 - 1248  

최성호 (한양대학교 자동차공학과) ,  김정석 (한양대학교 자동차공학과) ,  장경영 (한양대학교 기계공학부) ,  신완순 (국방과학연구소)

초록
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본 연구의 목적은 CW 레이저 조사에 의한 실리콘 웨이퍼의 손상을 평가하는 것이다. 먼저, 레이저 조사에 의한 온도 및 응력 변화를 3 차원 유한요소해석 모델을 이용하여 예측하였다. 해석 결과, 93 $W/cm^2$의 레이저 빔이 조사되었을 때, 실리콘 웨이퍼의 표면의 응력은 약 140 MPa 까지 증가하였으며 균열이 발생할 것으로 예측되었다. 레이저 강도가 더욱 증가하여 186 $W/cm^2$ 일 때에는 실리콘 웨이퍼의 표면의 온도는 $1432^{\circ}C$까지 증가하였으며 표면부가 용융될 것으로 예상되었다. 실험 결과, 102 $W/cm^2$ 의 레이저 빔이 실리콘 웨이퍼 표면에 조사되었을 때 표면부에 균열이 발생하였고, 레이저 빔의 강도가 더욱 증가하여 140 $W/cm^2$ 일때 표면부에서 용융이 발생하였다. 용융이 발생하는 레이저 빔의 강도는 유한요소해석 결과보다 낮은 값이었으며 이는 표면부에서 생성된 균열에 의해 레이저 빔의 다중반사와 다중흡수가 일어나 레이저 빔의 흡수량이 증가하였기 때문이다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The objective of this study is to evaluate the thermal damage characterization of a silicon wafer subjected to a CW laser beam. The variation in temperature and stress during laser beam irradiation has been predicted using a three-dimensional numerical model. The simulation results indicate that the...

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  • 식 (1)의 해는 위치와 시간의 함수로서 온도분포를 나타내며, 어떤 위치에서 시간 t 경과 후의 온도 T 는 열원 분포함수인 A(x, y, z)와 이 문제에 관련된 경계조건들에 의하여 결정된다. 본 연구에 서는 열원 분포함수를 공간적으로 가우시안 형태로 가정하였고, 이 경우 입열량은 식 (3)과 같다
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
반도체 물질은 어떤 부분에 주로 사용되는가? 레이저와 반도체 물질간의 상호작용은 레이저 빔의 비접촉성과 신속성을 이용한 레이저 가공분야 뿐만 아니라 군사적인 무기체계에서 또한 활발히 연구되고 있다. (1,2) 반도체 물질은 주로 적외선 광학 시스템 또는 광 검출기의 기지 물질로 사용되고 있으며, 특히 실리콘은 3.45 의 높은 굴절률과 1.
입사되는 레이저 빔과 물질간의 상호작용 효과는 어떻게 구별되는가? 가간섭성의 레이저 빔이 반도체 물질에 입사하면, 반도체 물질의 특성과 입사 빔의 주파수에 의존하는 다양한 경로로 에너지의 일부가 물질에 흡수되며 나머지는 표면으로부터 반사되거나 물질을 투과하게 된다. 입사되는 레이저 빔과 물질간의 상호작용 효과는 E=hν 로 표현되는 주파수에 의한 에너지와 단위 시간당 입사되는 에너지인 파워에 의한 열효과로 대별할 수 있다. 이러한 열효과에 의한 손상으로 용융, 기화, 이온화 및 열응력에 의한 균열 및 파손이 있다.
레이저 빔 조사로 인해 발생하는 열응력은 어떤 법칙으로 구할 수 있는가? 레이저 빔 조사로 인해 재료의 온도가 상승하게 되면 열 응력이 작용하게 된다. 이러한 열 응력은 Duhamel-Neumann 법칙으로부터 구해지고 다음과 같다. (8,10)
질의응답 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (24)

  1. Kalisky, Y. and Kalisky, O., 2011, "Applications and Performance of High Power Lasers and in the Battlefield," Optical Materials, Vol. 34, pp. 457-460. 

  2. Lee, H. H., Gwak, M. C., Choi, J. H. and Yoh, J. I., 2008, "High Power Laser Driven Shock Compression of Metals and Its Innovative Applications," Trans. of the KSME (B), Vol. 32, No. 11, pp. 832-840. 

  3. Wang, X., Shen, Z. H., Lu, J. and Ni, X. W., 2010, "Laser-induced Damage Threshold of Silicon in Millisecond, Nanosecond, and Picosecond Regimes," Journal of the Applied Physics, Vol. 108, pp. 033103. 

  4. Rogalski, A., 2010, Infrared Detectors, 2nd edition, CRC Press, Boca Raton. 

  5. Arora, V. K. and Dawar, A. L., 1996, "Laser-induced Damage Studies in Silicon and Silicon-based Photodetectors," Applied Optics, Vol. 35, No. 36, pp. 7061-7065. 

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  8. Li, D. H., Zheng, X. J., Wu, B. and Zhou, Y. C., 2009, "Fracture Analysis of a Surface Through-Thickness Crack in PZT Thin Film under a Continuous Laser Irradiation," Engineering Fracture Mechanics, Vol. 76, pp. 525-532. 

  9. Murr, L. E. and Szilva, W. A., 1975, "Laser-Induced Fracture in Silicon," Journal of Materials Science, Vol. 10, pp. 1536-1548. 

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  22. Cook, R. F., 2006, "Strength and Sharp Contact Fracture of Silicon," Journal of Material Science, Vol. 41, pp. 841-872. 

  23. eong, S. M., Park, S. E., Oh, H. S. and Lee, H. L., 2004, "Evaluation of Damage on Silicon Wafers using the Angle Lapping Method and a Biaxial Fracture Strength Test," Journal of Ceramic Processing Research, Vol. 5, No. 5, pp. 171-174. 

  24. Choi, S. H., Kim, C. S., Jhang, K. Y. and Shin, W. S., 2011, "Influence of Surface Roughness on Morphology of Aluminum Alloy After Pulsed-Laser Irradiation," Trans. of the KSME (A), Vol. 35, No. 9, pp. 1105-1111. 

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