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NTIS 바로가기大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers. A. A, v.36 no.10, 2012년, pp.1241 - 1248
최성호 (한양대학교 자동차공학과) , 김정석 (한양대학교 자동차공학과) , 장경영 (한양대학교 기계공학부) , 신완순 (국방과학연구소)
The objective of this study is to evaluate the thermal damage characterization of a silicon wafer subjected to a CW laser beam. The variation in temperature and stress during laser beam irradiation has been predicted using a three-dimensional numerical model. The simulation results indicate that the...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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반도체 물질은 어떤 부분에 주로 사용되는가? | 레이저와 반도체 물질간의 상호작용은 레이저 빔의 비접촉성과 신속성을 이용한 레이저 가공분야 뿐만 아니라 군사적인 무기체계에서 또한 활발히 연구되고 있다. (1,2) 반도체 물질은 주로 적외선 광학 시스템 또는 광 검출기의 기지 물질로 사용되고 있으며, 특히 실리콘은 3.45 의 높은 굴절률과 1. | |
입사되는 레이저 빔과 물질간의 상호작용 효과는 어떻게 구별되는가? | 가간섭성의 레이저 빔이 반도체 물질에 입사하면, 반도체 물질의 특성과 입사 빔의 주파수에 의존하는 다양한 경로로 에너지의 일부가 물질에 흡수되며 나머지는 표면으로부터 반사되거나 물질을 투과하게 된다. 입사되는 레이저 빔과 물질간의 상호작용 효과는 E=hν 로 표현되는 주파수에 의한 에너지와 단위 시간당 입사되는 에너지인 파워에 의한 열효과로 대별할 수 있다. 이러한 열효과에 의한 손상으로 용융, 기화, 이온화 및 열응력에 의한 균열 및 파손이 있다. | |
레이저 빔 조사로 인해 발생하는 열응력은 어떤 법칙으로 구할 수 있는가? | 레이저 빔 조사로 인해 재료의 온도가 상승하게 되면 열 응력이 작용하게 된다. 이러한 열 응력은 Duhamel-Neumann 법칙으로부터 구해지고 다음과 같다. (8,10) |
Kalisky, Y. and Kalisky, O., 2011, "Applications and Performance of High Power Lasers and in the Battlefield," Optical Materials, Vol. 34, pp. 457-460.
Wang, X., Shen, Z. H., Lu, J. and Ni, X. W., 2010, "Laser-induced Damage Threshold of Silicon in Millisecond, Nanosecond, and Picosecond Regimes," Journal of the Applied Physics, Vol. 108, pp. 033103.
Rogalski, A., 2010, Infrared Detectors, 2nd edition, CRC Press, Boca Raton.
Arora, V. K. and Dawar, A. L., 1996, "Laser-induced Damage Studies in Silicon and Silicon-based Photodetectors," Applied Optics, Vol. 35, No. 36, pp. 7061-7065.
Wang, X., Qin, Y., Wang, B., Zhang, L., Shen, Z., Lu, J. and Ni, X., 2011, "Numerical and Experimental Study of the Thermal Stress of Silicon Induced by a Millisecond Laser," Applied Optics, Vol. 50, No. 21, pp. 3725-3732.
Gross, T. S., Hening, S. D. and Watt, D. W., 1991, "Crack Formation During Laser Cutting of Silicon," Journal of Applied Physics, Vol. 69, No. 2, pp. 983-989.
Li, D. H., Zheng, X. J., Wu, B. and Zhou, Y. C., 2009, "Fracture Analysis of a Surface Through-Thickness Crack in PZT Thin Film under a Continuous Laser Irradiation," Engineering Fracture Mechanics, Vol. 76, pp. 525-532.
Murr, L. E. and Szilva, W. A., 1975, "Laser-Induced Fracture in Silicon," Journal of Materials Science, Vol. 10, pp. 1536-1548.
Conde, J. C., Martin, E., Gontad, F., Chiussi, S., Fornarini, L. and Leon, B., 2010, "Numerical Analysis of Temperature Profile and Thermal-Stress During Excimer Laser Induced Heteroepitaxial Growth of Patterned Amorphous Silicon and Germanium Bilayers Deposited on Si(100)," Thin Solid Films, Vol. 518, pp. 2431-2436.
Zorba, V., Boukos, N., Zergioti, I. and Fotakis, C., 2008, "Ultraviolet Femtosecond, Picosecond and Nanosecond Laser Microstructuring of Silicon: Structural and Optical Properties," Applied Optics, Vol. 47, No. 11, pp. 1846-1850.
Karnakis, D. M., 2006, "High Power Single-shot Laser Ablation of Silicon with Nanosecond 355 nm," Applied Surface Science, Vol. 252, pp. 7823-7825.
Said-Bacar, Z., Leroy, Y., Antoni, F., Slaoui, A. and Fogarassy, E., 2011, "Modeling of CW Laser Diode Irradiation of Amorphous Silicon Films," Applied Surface Science, Vol. 257, pp. 5127-5131.
Yan, J., Sakai, S., Isogai, H. and Izunome, K., 2009, "Recovery of Microstructure and Surface Topography of Grinding-Damaged Silicon Wafers by Nanosecond- Pulsed Laser Irradiation," Semiconductor Science and Technology, Vol. 24, pp. 105018.
Fu, Z., Wu, B., Gao, Y., Zhou, Y. and Yu, C., 2010, "Experimental Study of Infrared Nanosecond Laser Ablation of Silicon: The Multi-pulse Enhancement Effect," Applied Surface Science, Vol. 256, pp. 2092-2096.
Jellison, G. E. and Lowndes, D. H., 1982, "Optical Absorption Coefficient of Silicon at 1.152 at Elevated Temperatures," Applied Physics Letters, Vol. 41, pp. 594-596.
Fu, C. J. and Zhang, Z. M., 2006, "Nanoscale Radiation Heat Transfer for Silicon at Different Doping Levels," Journal of Heat and Mass Transfer, Vol. 49, pp. 1703-1718.
Bass, M., Decusatis, C., Enoch, J., Lakshminarayanan, V., Li, G., Macdonald, C., Mahajan, V. and Stryland, E. V., 2011, Handbook of Optics, 3rd Edition Volume IV, McGraw-Hill, New York.
Hull, R., 1999, Properties of Crystalline Silicon, INSPEC, London.
Kim, K. W., Lee, J. H., Suh, J. and Cho, H. Y., 2007, "Finite Element Analysis for Prediction of Band Shape of Nd:YAG Laser Fillet Welding," Trans. of the KSME (A), Vol. 31, No. 8, pp. 839-846.
Cook, R. F., 2006, "Strength and Sharp Contact Fracture of Silicon," Journal of Material Science, Vol. 41, pp. 841-872.
eong, S. M., Park, S. E., Oh, H. S. and Lee, H. L., 2004, "Evaluation of Damage on Silicon Wafers using the Angle Lapping Method and a Biaxial Fracture Strength Test," Journal of Ceramic Processing Research, Vol. 5, No. 5, pp. 171-174.
Choi, S. H., Kim, C. S., Jhang, K. Y. and Shin, W. S., 2011, "Influence of Surface Roughness on Morphology of Aluminum Alloy After Pulsed-Laser Irradiation," Trans. of the KSME (A), Vol. 35, No. 9, pp. 1105-1111.
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