최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 = The Proceedings of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, v.24 no.6, 2013년, pp.25 - 36
초록이 없습니다.
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
레이더 및 통신 시스템을 교란하기 위해 지속적으로 연구개발 되어 배치되고 있는 것은? | 레이더 및 통신 시스템을 교란하기 위한 재머(jammer)로 광대역의 고출력 증폭기들이 지속적으로 연구되고 개발되어 배치되고 있다. 일반적으로 위협이 되는 통신 시스템 및 레이더의 교란은 6∼18 GHz의 광대역 증폭기가 원거리에서 고출력의 신호를 송신함으로써 이루어진다. | |
일반적으로 위협이 되는 통신 시스템 및 레이더의 교란은 어느정도의 주파수를 형성하는가? | 레이더 및 통신 시스템을 교란하기 위한 재머(jammer)로 광대역의 고출력 증폭기들이 지속적으로 연구되고 개발되어 배치되고 있다. 일반적으로 위협이 되는 통신 시스템 및 레이더의 교란은 6∼18 GHz의 광대역 증폭기가 원거리에서 고출력의 신호를 송신함으로써 이루어진다. 최근에 들어 원격 급조 폭발물들(Improvised Explosive Devices, IEDs)의 출현으로 전장 환경이 변화하고, IED를 활용한 광범위한 테러의 위협이 증가함에 따라 이들의 통신을 교란하기 위한 2∼6 GHz의 광대역 증폭기에 대한 요구도 함께 증가하고 있으며, 수십 W 수준의 광대역 증폭기를 효과적으로 구현하기 위한 소자의 개발 또한 가속화되고 있다. | |
최근 원격 급조 폭파물과 IED의 등장으로 인해 통신 시스템 및 레이더의 교란을 위해 새롭게 요구되는 주파수는? | 일반적으로 위협이 되는 통신 시스템 및 레이더의 교란은 6∼18 GHz의 광대역 증폭기가 원거리에서 고출력의 신호를 송신함으로써 이루어진다. 최근에 들어 원격 급조 폭발물들(Improvised Explosive Devices, IEDs)의 출현으로 전장 환경이 변화하고, IED를 활용한 광범위한 테러의 위협이 증가함에 따라 이들의 통신을 교란하기 위한 2∼6 GHz의 광대역 증폭기에 대한 요구도 함께 증가하고 있으며, 수십 W 수준의 광대역 증폭기를 효과적으로 구현하기 위한 소자의 개발 또한 가속화되고 있다. |
M. Golio, RF and Microwave Semiconductor Device Handbook, Chapter 9 (by Karen E. Moore), CRC Press, 2003.
R. J. Trew, "Wide bandgap semiconductor transistors for microwave power amplifiers", Microwave, pp. 46-54, Mar. 2000.
H. Okumura, "Present status and future prospect of widegap semiconductor high-power devices", Japanese Journal of Applied Physics, vol. 45, no. 10A. pp. 7565-7586, 2006.
D. W. Runton, B. Trabert, J. B. Shealy and R. Vetury, "History of GaN", IEEE Microwave Magazine, pp. 82-93, May. 2013.
U. Mishra, "Status of AlGaN/GaN HEMT technology- A UCSB perspective", in Proc. IEEE Gallium Arsenide Other Semiconductor Application Symp., pp. 21-27, 2005.
[Online] http://www.cree.com/news-and-events/creenews/press-releases, Jun. 2012.
S. Jia, Y. Dikme, D. Wang, K. J. Chen, K. M. Lau, and M. Heuken, "AlGaN-GaN HEMTs on patterend silicon (111) substate", IEEE Electron Devices Letters, vol. 26, no. 3, pp. 130-132, Mar. 2005.
M. Angeles, G. Garrido, and J. Grajal, Broadband GaN Power Amplifiers Design from [online] www.intechopen. com
D. Teeter, A. Platzker, and R. Bourque, "A compact network for eliminating parametric oscillations in high power MMIC amplifiers", IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, vol. 3, pp. 967-970, 1999.
I. Yasushi, M. Mitsuru, "An ultrabroadband monolithic lossy match power amplifier using prematching circuits", Electronics and Communications in Japan, Part 2, vol. 79, no. 5, pp. 24-37, 1996.
I. Yasushi, N. Masatoshi, K. Yasutaka, M. Mitsuru, and T. Tadashi, "A 4 to 25 GHz 0.5 W monolithic lossy match amplifier", IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, pp. 257-260, 1994.
T. Arell, T. Hongsmatip, "2-6 GHz commercial power amplifier", Applied Microwave Winter, pp. 51-56, 1993.
Y. Ayasli, R. L. Mozzi, J. L. Vorhaus, L. D. Reynolds, and R. A. Pucel, "A monolithic GaAs 1-13 GHz traveling-wave amplifier", IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, vol. 30, no. 7, pp. 976-981, Jul. 1982.
M. Campovecchio, R. Hilal, B. Le Bras, M. Lajugie, and J. Obregon, "Large signal design method of distributed power amplifiers applied to a 2-18 GHz GaAs chip exhibiting high power density performances", International Journal of Microwave and Millimeter-Wave Computer-Aided Engineering, vol. 6, no. 4, pp. 259-269, 1996.
C. Duperrier, M. Campovecchio, L. Roussel, M. Lajugie, and R. Quere, "New design method of uniform and nonuniform distributed power amplifiers", IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, vol. 49, no. 12, pp. 2494-2500, Dec. 2001.
C. Campbell, C. Lee, V. Williams, M. Y. Kao, H. Q. Tserng, P. Saunier, and T. Balisteri, "A wideband power amplifier MMIC utilizing GaN on SiC HEMT technology", IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 44, no. 10, pp. 2640-2647, Oct. 2009.
B. M. Green, V. Tilak, S. Lee, H. Kim, J. A. Smart, K. J. Webb, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, "Highpower broadband AlGaN / GaN HEMT MMIC's on SiC substrates", IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, pp. 1059-1062, 2001.
K. W. Kobayashi, Y. Chen, I. Smorchkova, B. Heying, W. B. Luo, W. Sutton, M. Wojtowicz, and A. Oki, "Multi-decade GaN HEMT cascode-distributed power amplifier", IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium Digest, pp. 369-372, 2009.
[online] http://www.triquint.com/products/all/amplifiers/ high-power-amplifiers
[online] http://cree.com/RF/Products/General-Purpose- Broadband-28-V
G. Mouginot, Z. Ouarch, B. Lefebvre, S. Heckmann, J. Lhortolar, D. Baglieri, D. Floriot, M. Camiade, H. Blanck, M. L. Pipec, D. Mesnager, and P. L. Helleye, "Three stage 6-18 GHz high gain and high power amplifier based on GaN technology", 2010 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, pp. 1392-1395, 2010.
[online] http://www.hittite.com/products/view.html/ view/HMC797
E. Reese, D. Allen, C. Lee, and T. Nguyen, "Wideband power amplifier MMICs utilizing GaN on SiC", IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, pp. 1230-1233, 2010.
[online] http://www.triquint.com/products/all/amplifiers/power-amplifiers
M. Rosker, "Wide bandgap semiconductor devices and MMICs: A DARPA perspective", CS MANTECH Conference, 2005.
P. Dennler, D. Schwantuschke, R. Quay and O. Ambacher, "8-42 GHz GaN non-uniform distributed power amplifier MMICs in microstrip technology", IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, pp. 1-3, 2012.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.