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NTIS 바로가기한국항행학회논문지 = Journal of advanced navigation technology, v.17 no.6 = no.63, 2013년, pp.658 - 663
김영 (금오공과대학교 전자공학과) , 심석현 (금오공과대학교 전자공학과) , 윤영철 (관동대학교 전자정보통신공학부)
In this paper, a microstrip line implementation using via transition and its application of multilayer compact ring hybrid coupler are presented. This transition is the sandwich structure with via hole to connect two microstrip lines in different layer. For designing a compact RF/Microwave passive c...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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현대 통신 시스템에서 필요로 하고 있는것은? | 현대 통신 시스템은 컴팩트한 크기와 많은 데이터량을 처리할 수 있는 송수신 회로를 필요로 하고 있다. 이러한 요구 사항을 만족시키기 위한 무선 부품은 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic)를 사용하거나 웨이퍼 레벨에서 집적화된 칩 기술을 사용하고 있다 [1],[2]. | |
집적화한 부품을 개발하기 위해서 필요한 것은? | 이러한 집적화한 부품을 개발하기 위해서는 서로 다른 레이어에 존재하는 전송선로를 연결하는 구조가 필요한데 먼저, 서로 다른 레이어 선로를 연결하기 위해서 수직으로 연결된 비아 구조가 가장 많이 사용되고 있다 [3],[4]. 이러한 비아 홀은 저주파 특성을 나타내기 때문에 높은 주파수 신호의 처리에 제한적으로 사용된다. | |
웨이퍼 레벨에서 집적화한 부품을 개발하기 위해 사용하는 방법은? | 이러한 집적화한 부품을 개발하기 위해서는 서로 다른 레이어에 존재하는 전송선로를 연결하는 구조가 필요한데 먼저, 서로 다른 레이어 선로를 연결하기 위해서 수직으로 연결된 비아 구조가 가장 많이 사용되고 있다 [3],[4]. 이러한 비아 홀은 저주파 특성을 나타내기 때문에 높은 주파수 신호의 처리에 제한적으로 사용된다. 두 번째로는 캐비티(Cavity) 커플링을 이용한 신호 전달은 다른 레이어로 신호를 전달할 수 있지만 상대적으로 협대역의 특성이 나타난다[5],[6]. 마지막으로 어퍼춰 커플링 트랜지션은 어퍼춰(Aperture) 또는 마이크로스트립 종단의 모양에 의해서 변화를 줄 수 있으며 넓은 대역폭을 확보할 수 있으나 이것을 설계할 수 있는 식들이 존재하지 않는다 [7],[8]. |
S. M. Hu, L. Wang, Y.-Z. Xiong, T.G. Lim, B. Zhang. L. J. Shi, and X.J. Yuan, "TSV technology for millimeter-wave and terahertz design and applications," IEEE Trans. Compon., Packag., Manuf. Technol., vol. 1, no. 2, pp. 12-21, Feb. 2011.
J.-H. Lee, G. Dejean, S. Sarkar, S. Pinel, K. Lim, J. Papapolymerou, J. Laskar, and M.M. Tentzeris, "Highly integrated millimeter-wave passive components using 3-D LTCC system-on-package (SOP) technology," IEEE Microw. Theory Tech., vol. 53, no. 6, pp. 2012-2021, Jun. 2005.
M. Abbosh, "Ultra wideband vertical microstrip-microstrip transition," IEEE Microw. Antenna Propag., vol. 1, no. 5, pp. 968-972, Oct. 2007.
L. Zhu and K. Wu, "Ultra broadband vertical transition for multilayer integrated circuits," IEEE Micro. Guided Wave Lett., vol. 9, no. 11, pp. 453-455, Nov. 1999.
R. Valois, D. Baillargeat, S. Verdyme, M. Lahti, and T. Jaakola, "High performances of shielded LTCC vertical transitions from DC up to 50 GHz," IEEE Microw. Theory Tech., vol. 53, no. 6, pp. 2026-2032, Jun. 2005.
F. Casares-Miranda, C. Viereck, C. Camacho-Penalosa, and C. Caloz, "Vertical microstrip transition for multilayer microwave circuits with decoupled passive and active layers," IEEE Micro. Wireless Compon. Lett., vol. 16, no. 7, pp. 401-403, Jul. 2006.
T. Swierezynski, D. McNamara, and M. Clenet, "Via-walled cavities as vertical transitions in multilayer millimeter-wave circuits," Electron. Lett., vol. 39, no. 25, pp. 1829-1831, Dec. 2003.
Lafond, M. Himdi, J. Daniel, and N. HaeseRolland, "Microstrip/thick-slot/microstrip transition in millimeter waves," Microw. Opt. Technol. Lett., vol. 34, no. 2, pp. 100-103, Dec. 2003.
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