최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기한국정밀공학회지 = Journal of the Korean Society for Precision Engineering, v.30 no.1, 2013년, pp.128 - 133
김성만 (서울테크노파크 차세대융합기술연구소) , 조영학 (서울테크노파크 차세대융합기술연구소) , 이준형 (서울테크노파크 차세대융합기술연구소) , 노지형 (전자부품연구원 차세대융합센서 연구센터) , 이대성 (전자부품연구원 차세대융합센서 연구센터)
Si Nanowire (Si-NW) arrays were fabricated by top-down method. A relatively simple method is suggested to fabricate suspended silicon nanowire arrays. This method allows for the production of suspended silicon nanowire arrays using anisotropic wet etching and conventional MEMS method of SOI (Silicon...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
실리콘 나노와이어의 장점은? | 지난 10 년동안 큰 종횡비 (aspect ratio)를 갖는 1 차원 구조의 실리콘 나노와이어가 가지는 우수한 전기적, 광학적, 물리적 특성 때문에 이를 여러 분야에 적용하기 위한 연구가 활발히 진행되어 왔다.1-6 더욱이 실리콘 나노와이어는 다른 물질로 이루어진 나노 구조체에 비해 기존의 반도체공정을 그대로 사용할 수 있다는 장점을 가지고 있으며, 이외에도 p-type 혹은 n-type 의 in-situ 도핑을 통해 전기전도성을 쉽게 조절할 수 있으며, 무엇보다 현재 실리콘 반도체 기술로 소자를 대량생산할 수 있다는 장점이 있다. 따라서 많은 연구팀들이 실리콘 나노와이어를 센서에 활용하고자 하였고, 그 중 미국 하버드 대학교의 C. | |
top-down 방법으로 제작한 나노와이어 어레이의 장점은? | 실리콘 나노와이어를 제작하는 여러 방법 중에서도 top-down 방법으로 제작한 나노와이어 어레이는 나노와이어 개개의 규격과 성능을 신뢰할 수 있으며, 재현성 있는 나노와이어의 제작이 가능하고 나노와이어의 규격을 직접적으로 제어할 수 있다는 뛰어난 장점이 있는 반면, E-beam lithography, 또는 Focused Ion Beam (FIB) milling 과 같은 나노리소그라피(nanolithography) 방법을 이용해야 하는 단점이 있다. | |
gate전압이 증가함에 따라 문턱전압이 증가하며, 전류가 전형적인 FET 특성을 보이는 이유는? | 이 결과로부터 gate 전압이 증가함에 따라 문턱전압이 증가하며, 전류가 나노와이어를 따라 균일하게 흐르는 전형적인 FET 특성을 보이는 것을 알 수 있다. 나노와이어의 채널폭이 1 μm 이내로 형성되기 때문에 게이트의 전압의 효과가 충분히 채널 전체에 영향을 주기 때문인 것으로 파악된다. |
Moore, G. E., "Progress in digital intergrated electronics," International Electron Devices Meetings Technical Digest, pp. 11-13, 1975.
Haensch, W., Nowak, E. J., Dennard, R. H., Solomon, P. M., Bryant, A., Dokumaci, O. H., Kumar, A., Wang, X., Johnson, J. B., and Fischetti, M. V., "Silicon CMOS devices beyond scaling," IBM J. Res. Dev., Vol. 50, pp. 339-361, 2006.
Chau, R. S., Ghani, T., Mistry, K., Tyagi, S., and Bohr, M. T., "In search of forever continued transistor scaling one new material at a time," IEEE Trans. Semicond. Manuf., Vol. 18, pp. 26-36, 2005.
Service, R. F., "New Age Semiconductors Pick Up the Pace," Science, Vol. 287, pp. 415-417, 2000.
Uchikoga, S., "Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor Technologies for System-on-Glass Displays," MRS Bull., Vol. 27, pp. 881-886, 2002.
Wisnieff, R. L. and Ritsko, J. J., "Electronic displays for information technology," IBM J. Res. Dev., Vol. 44, pp. 409-422, 2000.
Cui, Y., Wei, Q., Park, H., and Lieber, C. M., "Nanowire Nanosensors for Highly Sensitive and Selective Detection of Biological and Chemical Species," Science, Vol. 293, pp. 1289-1292, 2001.
Yeo, K. H., Suk, S. D., Li, M., Yeoh, Y.-Y., Cho, K. H., Hong, K.-H., Yun, S. K., Lee, M. S., Cho, N. M., Lee, K. H., Hwang, D. H., Park, B. K., Kim, D.-W., Park, D., and Ryu, B.-I., "Gate-All-Around (GAA) Twin Silicon Nanowire MOSFET (TSNWFET) with 15 nm length gate and 4 nm radius nanowires," Proc. International Electron Devices Meetings Technical Digest, pp. 1-4, 2006.
Cheng, Y. T., Cho, Y. H., Takama, N., Low, P., Bergaud, C., and Kim, B. J., "Simple fabrication of Si nanowire and its biological application," Journal of Physics: Conference Series, Vol. 152, No. 1, Paper No. 012048, 2009.
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.