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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.26 no.2, 2013년, pp.83 - 86
The optical properties of ZnO thin film have been studied using photoluminescence(PL) spectroscopy with the change of sample temperatures from 10 K to 290 K. The spectrum at 10 K showed the characteristic emission lines of ZnO which were as follows: free exciton(FX) at 3.369 eV, neutral donor-bound ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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PL 연구는 무엇을 확인하기에 좋은 방법인가? | PL (photoluminescence) 연구는 결정의 질이나 물질 내 존재하는 불순물 등의 확인에 좋은 방법이다. 특히 낮은 온도에서의 PL 스펙트럼 분석은 열효과를 극소화시킴으로써 시료의 물리적 특성에 대한 보다 깊은 이해를 가능하게 한다. | |
ZnO란? | ZnO는 상온에서 3.37eV의 direct bandgap 에너지를 가진 투명한 반도체로서 현재 널리 이용되어지고있는 GaN와 유사한 물리적 특성을 가지고 있다. 자유전자 밀도가 1021/cm3을 초과할 정도의 높은 n-type 도핑이 가능할 뿐만 아니라 [1], p-type 도핑도 가능하다는 것이 점차적으로 보고되어지고 있다[2,3]. | |
ZnO는 어떤 도핑이 가능한가? | 37eV의 direct bandgap 에너지를 가진 투명한 반도체로서 현재 널리 이용되어지고있는 GaN와 유사한 물리적 특성을 가지고 있다. 자유전자 밀도가 1021/cm3을 초과할 정도의 높은 n-type 도핑이 가능할 뿐만 아니라 [1], p-type 도핑도 가능하다는 것이 점차적으로 보고되어지고 있다[2,3]. 양 방향으로의 도핑이 가능하다는 점과 더불어 넓은 bandgap 에너지는 투명한 전자 소자를 위한 물질뿐만 아니라 파란색에서 자외선 영역에 이르는 발광 소자로의 가능성을 극대화하고 있다 [4-7]. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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