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[국내논문] 균질기를 이용한 에폭시-층상 실리케이트 나노콤포지트 분산 특성
Dispersion Properties of Epoxy-layered Silicate Nanocomposites Using Homogenizer 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.26 no.2, 2013년, pp.126 - 133  

이상극 (광운대학교 전기공학과) ,  박재준 (중부대학교 전기전자공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper presents a study on the dispersion effect of the X-Ray diffraction, glass transition and DMA properties of organic modifier clay/epoxy nanocomposites produced in a homogenizer. Several experiments were conducted including different types of dispersion condition with varying processing con...

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문제 정의

  • 본 연구의 목적은 에폭시 기반 유기화된 층상 실리케이트 나노입자의 균질 분산을 위하여, 균질기를 이용하여 최적의 교반 속도, 교반 적용 시간을 얻기 위하여 연구하였다. 그리고 분산 정도의 평가는 XRD를 이용하여 평가하였으며, 제조된 에폭시 나노 콤포지트의 열 특성으로 DSC를 이용하였고, 그리고 기계적 탄성 특성을 평가하기 위하여 DMA를 이용하였다.
  • 이는 어느 일정속도를 가하였을 때 층상 나노 입자의 층간에 고분자 측쇄의 삽입이 더욱 이루어진 것으로 여겨진다. 그러나 이 균질기로 나노입자를 전적으로 박리화 시키는 것은 어려운 것으로 사료되어 나노입자를 분산시키는 보조장치로 사용하기 위하여 본 연구를 진행한 것이다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
나노 콤포지트는 어떠한 단점을 가지는가? 그렇지만 나노 콤포지트는 항상 종래에 비하여 향상된 재료 특성만을 주는 것은 아니다. 사실, 미약하게 분산된 나노 콤포지트는 기계적 특성이 감소될 수 있고, 사용된 혼합기술에 의존될 수 있으며 또한 나노 크레이가 보강된 콤포지트에서는 상분리된 마이크로 콤포지트, 삽입된 나노 콤포지트 그리고 박리된 나노 콤포지트 등의 여러 가지 형식을 취할 수 있다. 상분리된 마이크로 콤포지트, 입자들 사이 응집된 경우 불균질한 분산 특성을 갖게되면 향상된 재료의 특성을 갖지 못한다 [3].
나노실리케이를 텍토이드에서 분리하여 박리시키는 것이 어려운 이유는 무엇인가? 혼합기술을 무시하고서 전체적으로 다층의 층상 구조를 갖는 나노실리케이트를 텍토이드 (tactoid)에서 분리하여 박리시키는 것을 매우 어려운 과제입니다[12]. 이러한 분산의 경우 대체로 수지가 갖는 점도가 높고, 나노 실리케이트의 길이가 50~150 nm 정도의 길이를 갖고 [13,14], 판상 클레이의 응집력인 반데르발스 (vanderwaals)력이 강하기 [12] 때문에 부분적인 박리를 피할 수가 없게 된다. 이런 부분적인 박리를 피하고 박리를 형성시키기 위한 연구가 무엇보다 중요한 것이다.
in-situ 삽입 중합법은 물질의 합성에 처음 사용되었는가? 혼합기술은 박리 정도에 중요한 역할을 하게 되고, 그리하여 많은 혼합 기술이 최근에 개발되어져 왔다. 즉, in-situ 삽입 중합법은 나일론-MMT (montmorillonite), 열가소성 기반 나노 콤포지트 재료에 처음 성공적으로 이용되어졌다. 삽입된 판상 사이로 고분자 수지를 침투시켜 나노 콤포지트를 합성하는데 사용되어졌다 [6].
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참고문헌 (21)

  1. R. Sarathi, R. K. Sahu, and P. Rajeshkumar, Mater. Sci. Eng., A445, 567 (2007). 

  2. N. Hayakawa, H. Maeda, S. Chigusa, and H. Okubo, Cryogenics, 40, 167 (2000). 

  3. B. Jo, S. Park, and D. Kim, Construct. Building Mater., 22, 14 (2008). 

  4. A. Yasmin, J. L. Abot, and I. M. Daniel, Scr. Mater., 49, 81 (2003). 

  5. A. Yasmin, J. J. Luo, and I. M. Daniel, Compos. Sci. Technol., 66, 1182 (2006). 

  6. D. C. Lee and L. W. Jang, J. Appl. Polym. Sci., 68, 1997 (1998). 

  7. H. R. Dennis, D. Hunter, D. Chang, S. Kim, and D. R. Paul, Polymer, 42, 9513 (2001). 

  8. R. A. Vaia, K. D. Jant, E. J. Kramer, E. P. Giannelis, Chem. Mater., 8, 2628 (1996). 

  9. J. J. Park and J. Y. Lee, IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul., 17, 1516 (2010). 

  10. J. J. Park, C. H. Lee, J. Y. Lee, and H. D. Kim, IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul., 18, 667 (2011). 

  11. S. D. Burnside and E. P. Giannelis, Chem. Mater., 7, 1597 (1995). 

  12. J. H. Park and S. Jana, Macromolecules, 36, 2758 (2003). 

  13. F. Hussain, M. Hojjati, M. Okamoto, and R. E. Gorga, J. Compos. Mater., 40, 1511 (2006). 

  14. C. L. Wu, M. Q. Zhang, M. Z. Rong, and K. Friedrich, Compos. Sci. Technol., 62, 1327 (2002). 

  15. I. J. Chin, Nanomaterials (Daeyoungsa, Seoul, 2005) p. 502-506. 

  16. D. Dean, A. M. Obore, S. Richmond, and E. Nyairo, Compos. Sci. Technol., 66, 2135 (2006). 

  17. T. Lan and T. J. Pinnavaia, Chem. Mater., 6, 2216 (1994). 

  18. J. Wang and S. Qin, Mater. Lett., 61, 4222 (2007). 

  19. T. Imai, Y. Hirano, H. Hirai, S. Kojima, and T. Shimizu, Conf. Rec. IEEE ISEI, 379 (2002). 

  20. L. Y. Lin, J. H. Lee, C. E. Hong, G. H. Yoo, and S. G. Advani, Compos. Sci. Technol., 66, 2116 (2006). 

  21. J. M. Brown, D. Curlss, and R. A. Vaia, Chem. Mater., 12, 3376 (2000). 

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