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Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea = 전자공학회논문지, v.50 no.5, 2013년, pp.128 - 133
장성용 (충남대학교 전자공학과) , 신종관 (충남대학교 전자공학과) , 권혁민 (충남대학교 전자공학과) , 권성규 (충남대학교 전자공학과) , 성승용 (충남대학교 전자공학과) , 황선만 (충남대학교 전자공학과) , 장재형 (충남대학교 전자공학과) , 이가원 (충남대학교 전자공학과) , 이희덕 (충남대학교 전자공학과)
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In this paper, octagonal inductors for RFIC designs was fabricated with 90nm CMOS Technology to compare its quality factor and the effective inductance as functions of radius and number of turn. The quality factor decreases as the inner radius and the number of metal turned increase. However, the ef...
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| CMOS 기술의 발전에 따라 CMOS 응용분야는 그 범위가 어떻게 확대되었는가? | 최근 CMOS 기술이 급격히 진보됨에 따라, CMOS 응용분야는 GHz 주파수 대역의 RF 영역까지 그 범위가 확대 되었다. 이에 따라 많은 RF device가 고집적화된 스마트 폰, Tablet PC 등의 휴대용 통신 시스템에 사용이 되고 있으며, 동시에 저가격과 낮은 공급 전압, 낮은 전력 소모, 저잡음, 높은 주파수 동작 특성 등을 요구하고 있다. | |
| RF CMOS 기술은 무엇의 필수 요소라고 할 수 있는가? | 이에 따라 많은 RF device가 고집적화된 스마트 폰, Tablet PC 등의 휴대용 통신 시스템에 사용이 되고 있으며, 동시에 저가격과 낮은 공급 전압, 낮은 전력 소모, 저잡음, 높은 주파수 동작 특성 등을 요구하고 있다. 따라서 저잡음, 저가격 그리고 고집적 등의 장점을 갖는 RF CMOS 기술은 RF 집적회로 설계의 필수 요소라고 할 수 있다. 이러한 회로에서의 수동 소자의 역할은 RF 집적 회로를 설계하는데 성능을 좌우하는 중요한 역할을 하기 때문에, 수동 소자의 RF 특성 분석은 중요하다고 할 수 있다[1∼3]. | |
| 많은 RF device가 고집적화된 스마트폰, 태블릿 PC 등의 휴대용 통신 시스템에 사용이 될 수 있었던 원인은? | 최근 CMOS 기술이 급격히 진보됨에 따라, CMOS 응용분야는 GHz 주파수 대역의 RF 영역까지 그 범위가 확대 되었다. 이에 따라 많은 RF device가 고집적화된 스마트 폰, Tablet PC 등의 휴대용 통신 시스템에 사용이 되고 있으며, 동시에 저가격과 낮은 공급 전압, 낮은 전력 소모, 저잡음, 높은 주파수 동작 특성 등을 요구하고 있다. |
A. M. Niknejad, "Analysis, Design, and Optimization of Spiral Inductors and Transformers for Si RF IC's", IEEE Journal of Solid State Circuits, vol. 33, no. 10, pp. 1470-1481, Oct 1998.
C. Patrick, S. Simon Wong, "Physical Modeling of Spiral Inductors on Silicon", IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 47, no. 3, pp. 560-568, Mar. 2000.
김성균, 안성준, 김병성, " $0.13{\mu}m $ RF CMOS 공정 용 스케일러블 인덕터 모델링", 전자공학회 논문지 제46권 TC편 제1호, pp.94-101, 2009년, 1월.
H. W. Chiu, Y. S. Lin, K. Liu and S. S. Lu, "Temperature and Substrate Effects in Monolothic RF Inductors on Silicon With $6{\mu}m$ -Thick Top Metal for RFIC Applications," IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Vol. 19, no. 3, pp. 316-330, Aug. 2006.
차준영, 차지용, 이성현, "On-Wafer 패드 및 금속 배선의 De-embedding이 RF 트랜지스터 특성에 미치는 영향", RF 집적회로 기술 워크샵, 제 8회, pp.417, 2008.
T. E. Kolding, "A four-step method for de-embedding gigahertz on-wafer CMOS measurements", IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 47, no. 4, pp. 734-740, Apr. 2000.
M.C.A.M. Koolen, J.A.M. Geelen, and M.P.J.G. Versleijen, "An improved de-embedding technique for on-wafer high-frequency characterization", in Proc. IEEE Bipolar Circuits and Techno logy Meeting, pp. 188-191 Sept. 1991.
Y. Cao, R. A. Groves, X. Huang, N. D. amdmer, J. O. Plouchart, R A Wachnik, T J King, Chenming Hu, "Frequency Independent Equivalent Circuit Model for On-Chip Spiral Inductors", IEEE Journal of Solid State Circuits, Vol. 38, no. 3, pp. 419-426, Mar. 2003.
N. Burghartz, D. Edelstein, M. Soyuer, "RF Circuit Design Aspects of Spiral Inductors on Silicon", IEEE Journal of Solid State Circuits, vol. 33, no. 12, pp. 2028-2034, Dec. 1998.
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