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메모리함수에 의한 단일 벽 탄소 나노튜브의 열전도도
Thermal Conductivity of Single-Walled Carbon Nanotube by Using Memory Function 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.22 no.3, 2013년, pp.144 - 149  

박정일 (경북대학교 물리학과 나노물리 연구실) ,  정해두 (한밭대학교 교양학부)

초록
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단일 벽 탄소 나노튜브(SWNT)의 열전도도를 구하기 위해서 메모리함수에 Kubo 등식을 사용하였다. 계산 과정에서 나타나는 발산의 문제를 해결하기 위해 전파인자는 연속 분수과정으로 전개하였다. 이러한 계산에서 메모리함수는 지금까지 제시된 다른 이론들 보다 많은 상호작용의 효과를 고려할 수 있다. SWNT에서 20 K 이하의 저온 영역은 온도의 증가에 따라 열전도도가 증가하며, (9,0) 보다 (10,0)이 다소 큰 값을 가지는데 이는 포논의 평균자유행로 $l_{ph}$가 직경의 크기와 관계 있음을 알 수 있다. 그리고 20 K 이상의 고온 영역에서는 비열이 거의 일정한 값을 가지므로 Umklapp 과정에 의해 열전도도는 감소하면서 최대값을 보이고, SWNT의 직경이 증가할수록 최대값의 위치도 고온 쪽으로 이동하는 것으로 조사되었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We use Memory function to examine the thermal conductivity as a function of the temperature in single-walled carbon nanotube (SWNT). We determine the Umklapp, normal and SWNT-substrate phonon scattering rate from the computed inverse spin relaxation time. Thermal conductivity increased as the diamet...

주제어

AI 본문요약
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제안 방법

  • Zigzag SWNT (9,0)과 (10,0)의 열전도도를 구하기 위해서 메모리함수에 Kubo 등식을 사용하였다. 계산 과정에서 발생하는 발산의 문제를 피하기 위해 전파인자는 연속 분수과정으로 전개하였다. 이러한 계산에서 메모리함수는 지금까지 제시된 다른 이론들 보다 많은 상호작용의 효과를 고려할 수 있는 식으로 지금까지의 실험적 연구를 보다 잘 설명 할 수 있을 것으로 기대된다.
  • 본 연구에서는 Kubo [12-14]의 선형 응답 이론에 밀도함수를 사용하여 메모리함수를 구하고, 이를 이용하여 zigzag SWNT (9,0)과 (10,0)에 대하여 열전도도를 각각 계산하였다. 더군다나 여러 종류의 SWNT 중에서 (9,0)과 (10,0)은 Fermi면 근처에서 상태밀도가 달라 각기 다른 특성을 보여주는 것으로 알려져 있다.
  • 더군다나 여러 종류의 SWNT 중에서 (9,0)과 (10,0)은 Fermi면 근처에서 상태밀도가 달라 각기 다른 특성을 보여주는 것으로 알려져 있다. 한편으로, 공명흡수 정점에서 메모리함수의 발산문제 [15]를 해결하기 위하여 계산 과정이 다소 번거롭긴 하지만 전파인자는 연속 분수 형식으로 전개하였으며, 이번 연구에서는 이론적인 고찰로 제한하기로 한다 [16-19].

이론/모형

  • Zigzag SWNT (9,0)과 (10,0)의 열전도도를 구하기 위해서 메모리함수에 Kubo 등식을 사용하였다. 계산 과정에서 발생하는 발산의 문제를 피하기 위해 전파인자는 연속 분수과정으로 전개하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
carbon nanotube의 열전도도는 어떠한가? 일반적인 경우 원자당 상호작용 에너지는 수 십 meV이지만 μm당의 결합에너지는 수 천 eV이므로 튜브 사이의 강한 van der Waals 상호작용은 실제시료를 거의 다발의 형태로 존재하게 만든다. 더군다나 CNT는 열전도도(thermal conductivity)가 600 WK-1・m-1이상의 매우 큰 값을 가지므로 복합재료의 열역학적 특성을 조절하기 위한 용도로 사용하기 위한 연구가 많이 이루어졌다 [4-8]. 
반도체 공정 기술의 눈부신 발전으로 전자 소자는 어떻게 변하고 있는가? 반도체 공정 기술의 눈부신 발전으로 전자 소자의 성능은 향상되고 그 크기는 점점 소형화 되어가고 있다. 특히 전기적, 열역학적 특성을 포함하는 여러 가지 특이한 물성들이 알려지면서 우수한 탄소나노튜브(carbon nanotube, CNT) 복합재료를 만들기 위한 노력이 이루어져 왔다 [1,2].
CNT는 어떻게 분류되는가? 특히 전기적, 열역학적 특성을 포함하는 여러 가지 특이한 물성들이 알려지면서 우수한 탄소나노튜브(carbon nanotube, CNT) 복합재료를 만들기 위한 노력이 이루어져 왔다 [1,2]. CNT는 합성 방법에 따라 단일 벽(single-walled: SW), 이중 벽(double-walled: DW), 얇은 다중 벽(thin multiwalled: t-MW), 다중 벽 탄소 나노튜브(multi-walled carbon nanotube: MWNT)로 분류한다. CNT는 영률이 1.
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참고문헌 (25)

  1. E. Pop, Nano Research 3, 147 (2010). 

  2. S. Hasan, M. A. Alam, and M. S. Lundstrom, IEEE Trans. Electron Devices 54, 2352 (2007). 

  3. A. Bachtold, P. Hadley, T. Nakanishi, and C. Dekker, Science 294, 1317 (2001). 

  4. O. Chauvet, L. Forro, W. Bacsa, D. Ugarte, B. Doudin, and Walt A. de Heer, Phys. Rev. B 52, R6963 (1995). 

  5. G. Zhang and B. Li, Journal of Chemical Physics 123, 114714 (2005). 

  6. A. H. Castro Neto, F. Guinea, N. M. R. Peres, K. S. Novoselov, and A. K. Geim, Review of Modern Physics 81, 109 (2009). 

  7. M. Mccklenburg and B. C. Regan, Phys. Rev. Lett. 106, 116803 (2011). 

  8. F. Schierz, Nature Nanotechnology 5, 487 (2010). 

  9. A. Abragam and B. Bleaney, Electron Paramagnetic Resonance of Transition Ions, (Clarendon, Oxford, 1970). 

  10. L. Forro et al., Science and Application of Nanotubes, (Kluwer Academic/Plenum Publishers, New York, 2000). 

  11. M. S. Dresselhause, G. Dresselhause, and P. C. Eklund, Science of Fullerences and Carbon Nanotubes, (Academic Press, California, 1996), Chapter 19. 

  12. R. Kubo, J. Phys. Soc. Jpn. 12, 570 (1957). 

  13. H. Mori, Progr. Theor. Phys. 34, 399 (1965). 

  14. A. Kawabata, J. Phys. Soc. Jpn. 29, 902 (1970). 

  15. P. N. Argyres and J. L. Sigel, Phys. Rev. Lett. 31, 1397 (1973). 

  16. J. I. Park, H. K. Lee, and H. R. Lee, J. Magnetics 16, 108 (2011). 

  17. J. I. Park, H. R. Lee, and K. C. Bae, J. Kor. Phys. Soc. 58, 1644 (2011). 

  18. J. I. Park, H. R. Lee, and S. H. Lee, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 052402 (2012). 

  19. J. I. Park, J. Magnetics 17, 255 (2012). 

  20. T. Ando, J. Phys. Soc. Jpn. 74, 777 (2005). 

  21. A. Fert, IEEE Trans. Electron Dev. 54, 921 (2007). 

  22. H. O. H. Churchill, Phys. Rev. Lett. 102, 166802 (2009). 

  23. T. Saito, K. Matsushige, and K. Tanaka, Physica B 323, 280 (2002). 

  24. M. A. Osman and D. Srivastava, Nanotechnology, 12, 21 (2001). 

  25. H. K. Lee, H. C. Jang, and J. I. Park, J. Korean Vac. Soc. 21, 171 (2012). 

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