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[국내논문] 접착 필름과 평판 유리를 이용하여 봉지된 유기 발광 소자의 발광 특성
Emission Characteristics of Encapsulated Organic Light Emitting Devices Using Attaching Film and Flat Glass 원문보기

한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering, v.46 no.3, 2013년, pp.111 - 115  

임수용 (대진대학교 신소재공학과) ,  양재웅 (대진대학교 신소재공학과) ,  주성후 (대진대학교 신소재공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

To study the encapsulation method for large-area organic light emitting devices (OLEDs), OLED of ITO / 2-TNATA / NPB / $Alq_3$:Rubrene / $Alq_3$ / LiF / Al structure was fabricated, which on $Alq_3$/LiF/Al as protective layer of OLED was deposited to protect the dama...

주제어

AI 본문요약
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제안 방법

  •  논문에서는 유리 기판의 처짐 및 에폭시(Epoxy) UV(Ultraviolet) 경화 시 발생하는 열팽창에 의한 OLED의 손상을 방지하기 위하여 접착 필름을 이용하여 평판 유리를 부착하는 방법으로 봉지하였다.
  • 과 동일하게 에폭시를 유리판에 인쇄하여 부착한 후 UV 경화시켜 제조한 OLED_B8_E_Glass의 수명특성을 측정한 결과이다. OLED 소자의 수명은 기준 초기 휘도인 1,000 cd/m2로 설정한 후 상대습도 60%, 온도 분위기 30℃에서 일정한 전압을 인가하여 측정한 휘도가 초기 설정 휘도 값보다 50%가 되는 시간을 측정하였다. 봉지 공정을 진행하지 않은 기본 OLED의 경우 소자 수명은 4시간을 나타내었다.
  • )을 사용하여 측정하였다. OLED 소자의 수명은 항온 항습기에서 온도 30℃와 상대습도 60%의 분위기에서 초기 휘도를 1,000 cd/m2로 설정하여 초기 휘도의 50%가 되는 시간을 측정하였다.
  •  논문에서는 유리 기판의 처짐 및 에폭시(Epoxy) UV(Ultraviolet) 경화 시 발생하는 열팽창에 의한 OLED의 손상을 방지하기 위하여 접착 필름을 이용하여 평판 유리를 부착하는 방법으로 봉지하였다. OLED를 제작한 후 유기물인 Alq3, 무기물인 LiF와 금속인 Al을 보호막으로 형성하고, 필름을 압착하여 부착한 후 유리판을 압착, 부착하였다. 제작한 OLED 소자는 전류-전압-휘도(I-V-L) 특성과 수명특성을 측정하였다.
  • 기판의 크기는 150 mm × 150 mm, 두께 150 nm, 면저항 10 Ω/□, 표면 평탄도 10 Å의 특성을 가진다. 기판을 세정 후 ITO 패턴 형성 및 감광제를 사용하여 절연층을 형성하였다.
  • 대면적에 적합한 OLED의 봉지를 위하여 ITO /2-TNATA / NPB / Alq3:Rubrene / Alq3 / LiF / Al 구조의 OLED를 제작하고, 보호층으로 Alq3, LiF, Al을증착한 후 접착 필름을 이용하여 유리판을 부착하여 봉지하였다.
  • 0 × 10−6 torr 이하로 유지하고, ITO 전극 위에 정공주입층으로 2-TNATA {4,4',4''-Tris(2-naphthylphenyl amino)}를, 정공수송층으로 NPB{N,N'-bis-(1-naphyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine}를, 발광층으로는 형광모체인 Alq3 {Aluminumtris(8-hydroxyquinoline)}에 활성제인 Rubrene {(5,6,11,12)-Tetraphenylnaphthacene}을, 전자 수송층으로 Alq3를 증착하였다. 이후 LiF와 Al을 증착하여 기본 OLED 소자를 제작하였다.
  • 제작된 OLED 소자의 휘도, 전력효율, 색좌표, 발광스펙트럼 등을 측정하기 위해 Photo Research사의 PR-650 Spectrascan I-V-L 측정기를 사용하여 전기적 특성을 측정하였다. 또한 소자의 수명은 OLED 수명 측정 시스템(JYS Co.
  • OLED를 제작한 후 유기물인 Alq3, 무기물인 LiF와 금속인 Al을 보호막으로 형성하고, 필름을 압착하여 부착한 후 유리판을 압착, 부착하였다. 제작한 OLED 소자는 전류-전압-휘도(I-V-L) 특성과 수명특성을 측정하였다

대상 데이터

  • OLED 소자를 제작하기 위하여 유리 기판에 ITO(indium tin oxide)가 증착된 기판을 사용하였다. 기판의 크기는 150 mm × 150 mm, 두께 150 nm, 면저항 10 Ω/□, 표면 평탄도 10 Å의 특성을 가진다.
  • 기판 전처리 공정으로는 산소분위기를 만들어 UV와 플라즈마를 사용하였다. 증착 장비 내부의 진공도를 1.
  • 기판의 크기는 150 mm × 150 mm, 두께 150 nm, 면저항 10 Ω/□, 표면 평탄도 10 Å의 특성을 가진다.
  • 제작된 OLED 소자는 접착제로부터의 손상을 보호하기 위하여 소자 위에 유·무기 보호막인 Alq3, LiF를 각각 150 nm 두께로 증착하고 이 후 Al의 두께를 변경하여 다층 구조로 열 증착한 후 접착제로써 필름을 사용하여 110℃로 압착하여 평면 유리판을 부착하였다.
  • 증착 장비 내부의 진공도를 1.0 × 10−6 torr 이하로 유지하고, ITO 전극 위에 정공주입층으로 2-TNATA {4,4',4''-Tris(2-naphthylphenyl amino)}를, 정공수송층으로 NPB{N,N'-bis-(1-naphyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine}를, 발광층으로는 형광모체인 Alq3 {Aluminumtris(8-hydroxyquinoline)}에 활성제인 Rubrene {(5,6,11,12)-Tetraphenylnaphthacene}을, 전자 수송층으로 Alq3를 증착하였다.

이론/모형

  • 제작된 OLED 소자의 휘도, 전력효율, 색좌표, 발광스펙트럼 등을 측정하기 위해 Photo Research사의 PR-650 Spectrascan I-V-L 측정기를 사용하여 전기적 특성을 측정하였다. 또한 소자의 수명은 OLED 수명 측정 시스템(JYS Co., Ltd.)을 사용하여 측정하였다. OLED 소자의 수명은 항온 항습기에서 온도 30℃와 상대습도 60%의 분위기에서 초기 휘도를 1,000 cd/m2로 설정하여 초기 휘도의 50%가 되는 시간을 측정하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
OLED가 수분이나 산소에 노출되어 생기는 문제를 해결하기 위해 필요한 기술은? OLED는 많은 장점을 가지고 있음에도 불구하고 대기 중의 수분이나 산소에 노출될 경우 흑점을 유발하고, 음극전극으로 사용되는 박막에 존재하는 핀홀(pin-hole)과 같은 결함을 통해 투과되는 산소와 수분에 의해 수 시간 내에 성능이 저하된다4-6). 이러한 문제들을 해결하기 위하여 외부 환경에서부터 침투되는 산소와 수분을 차단하는 봉지 기술이 필요하다. 현재 OLED 수명 문제가 완전히 해결되었다고는 볼 수 없지만 점차 수명이 개선되고 있다.
OLED는 자체 발광소자로 어떤 장점이 있는가? OLED는 자체 발광 소자로서 높은 발광휘도와 명암비, 빠른 응답속도 등의 장점을 가지며 LCD와 비교하여 우수한 표현 능력을 가질 수 있다. 또한 기판의 두께가 바로 OLED 소자의 두께라 말할 수 있을 정도로 공간적인 제약이 거의 없으며, 방전 공간을 확보해야 하는 PDP보다 고해상도의 디스플레이가 가능하다2,3).
OLED는 수분이나 산소에 노출될 경우 어떤 문제가 발생하는가? OLED는 많은 장점을 가지고 있음에도 불구하고 대기 중의 수분이나 산소에 노출될 경우 흑점을 유발하고, 음극전극으로 사용되는 박막에 존재하는 핀홀(pin-hole)과 같은 결함을 통해 투과되는 산소와 수분에 의해 수 시간 내에 성능이 저하된다4-6). 이러한 문제들을 해결하기 위하여 외부 환경에서부터 침투되는 산소와 수분을 차단하는 봉지 기술이 필요하다.
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참고문헌 (9)

  1. G. Parthasarathy, C. Adachi, P. E. Burrows, S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett., 76 (2000) 2128. 

  2. J. Kido, M. Kimura, K. Nagai, Science, 267 (1995) 1332. 

  3. J.-G, Jang J. KIEEME, 19 (2006) 437. 

  4. S. H. Ju, J. KIEEME, 19 (2006) 758. 

  5. Y. Sato, S. Ichikawa, H. Kanai, IEEE J. Selected Topics in Quantum Electron., 4 (1998) 40. 

  6. Z. D. Popovic, H. Aziz, IEEE J. Selected Topics in Quantum Electron., 8 (2002) 362. 

  7. H. Kubota, S. Miyaguchi, S. Ishizuka, T. Wakimoto, J. Funaki, Y. Fukuda, T. Watanabe, H. Ochi, T. Sakamoto, T. Miyake, M. Tuschida, I. Ohshita, T. Tohma, J. of Luminescence, 87.88 (2000) 56. 

  8. M.-K. Park, S.-H. Ju, J. W. Yang, K.-K. Paek, J. KIEEME, 24 (2011) 905. 

  9. S. H. Ju, J. W. Yang, J. Kor. Inst. Surf. Eng., 45 (2012) 20. 

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