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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.23 no.6, 2013년, pp.316 - 321
김준우 (금오공과대학교 신소재시스템공학부) , 강동수 (금오공과대학교 신소재시스템공학부) , 이현용 (금오공과대학교 신소재시스템공학부) , 이상현 ((주)eCONY) , 고성우 ((주)eCONY) , 노재승 (금오공과대학교 신소재시스템공학부)
The electrical properties and surface morphology changes of a silicon wafer as a function of the HF concentration as the wafer is etched were studied. The HF concentrations were 28, 30, 32, 34, and 36 wt%. The surface morphology changes of the silicon wafer were measured by an SEM (
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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CMP 기술의 문제점은? | 실리콘 웨이퍼의 평면 연마 기술에는 wet etching, chemical mechanical polishing(CMP), mechanical grinding, dry chemical etching 등이 있으며, CMP는 일반적인 기술로 가장 보편화되어 있다. CMP 기술은 연마 공정 시한 번에 처리할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 수에 제한이 있어 생산성이 낮고 웨이퍼의 두께가 얇아질수록 파손 문제와 핸들링의 어려움이 있다.3,4) | |
실리콘 웨이퍼 식각 시 불산의 농도가 웨이퍼의 표면형상에 미치는 영향을 연구한 결과는? | 1) 불산의 농도 증가할수록 식각속도와 두께 변화는 증가하며, HF32 및 HF34에서 가장 큰 두께 감소와 식각 속도 증가를 보였다. 2) 표면형상 관찰결과 HF30에서 가장 큰 wave를 가지며, 이후 불산 농도가 증가함에 따라 다시 감소하는 것을 확인하였다. | |
실리콘 웨이퍼의 평면 연마 기술에는 어떤 것들이 있는가? | 실리콘 웨이퍼의 평면 연마 기술에는 wet etching, chemical mechanical polishing(CMP), mechanical grinding, dry chemical etching 등이 있으며, CMP는 일반적인 기술로 가장 보편화되어 있다. CMP 기술은 연마 공정 시한 번에 처리할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 수에 제한이 있어 생산성이 낮고 웨이퍼의 두께가 얇아질수록 파손 문제와 핸들링의 어려움이 있다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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