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White LED 형광체의 활성화 에너지 정형화
Activation energy standardization of White LED Phosphor 원문보기

신뢰성응용연구 = Journal of the applied reliability, v.13 no.2 = no.42, 2013년, pp.117 - 127  

장인혁 (조선대학교) ,  김수경 (한국기계전기전자시험연구원) ,  한지훈 (한국기계전기전자시험연구원) ,  이창훈 (한국기계전기전자시험연구원) ,  임홍우 (한국기계전기전자시험연구원)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, we studied the correlation between the activation energy($E_a$) of the raw materials and the structural characteristics of the White LED PKGs. The samples used in the study were composed of low power LED 3type and high power LED 5type. To calculate the activation energy(

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 따라서 본 논문에서는 White LED PKGs의 원재료와 구조적 특성에 따른 Ea의 상관관계에 대하여 연구하였다. 연구에 사용된 대상 시료는 제조사가 다른 저출력급(20~60mA) White LED PKGs 7가지, 고출력급(450~700mA) 3가지 모델을 사용하였다.
  • 따라서 본 연구에서는 LED의 수명을 결정짓는 두 개의 미지수를 구하기 위하여 와 같이 세 개 조건의 온도 동작 시험을 설계하였다.
  • 본 연구에서는 White LED PKGs의 원재료와 구조별 특성에 대한 Ea 의 상관관계를 조사하기 위하여 제조사가 다른 저출력급 7가지, 고출력급 3가지 모델을 과 같이 선정하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
LED의 수명과 연관이 깊은 것은? 현재 LED에 대한 가장 큰 이슈는 방열해결에 대한 기술개발이고, 이에 따라 온도와 전류 인자에 대한 연구가 많이 진행 되고 있다. LED는 수명이 온도(열)에 강하게 의존하며 온도가 올라감에 따라 지수 함수적으로 수명이 감소하는 아레니우스 모델을 잘 따르고 있음을 검증해주었다(L. Trevisanello et al.
발광다이오드 PKG 유기물(충진재 등)의 탄화로 인한 투과율 및 반사율 저하는 무엇의 주원인인가? (2009)). 또한 광속 열화의 주원인을 발열에 의한 LED PKG 유기물(충진재 등)의 탄화로 인한 투과율 및 반사율 저하로 규명하였다. 하지만 시험 조건인 주변온도(Ta)230℃ 조건은 플라스틱과 실리콘 같은 유기물의 상변화가 일어나는 범위로, 수명 예측의 관점에서는 의미를 찾기 어려운 조건이다.
LED의 특징은? LED(Light Emitting Diode, 발광다이오드)는 공정기술과 광 기술이 융합된 21세기 새로운 광원으로, 기존 전구의 1/20~1/50 정도의 저전력 소비와 제품 제조에 EU의 RoHS(Restriction of Hazardous Substances)에서 규제하는 6 종 물질이 포함되지 않아 에너지 절감 및 환경 친화적 제품의 대표주자라 할 수 있다.(주은철(2011)).
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참고문헌 (7)

  1. 주은철(2011). LED/OLED 최신 산업동향 및 혁신기술 동향분석, BIR. 

  2. L. Trevisanello, M. Meneghini, G. Mura, M. Vanzi, Maura Pavesi, G. Meneghesso, and E. Zanoni(2008), "Accelerated Life Test of High Brightness Light Emitting Diodes," IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY., vol. 8, NO. 2. 

  3. M. Meneghini, A. Tazzoli, G. Mura, G. Meneghesso, E. Zanoni, , "A Review on the Physocal Mechanisms That Limit the Reliability if GaN-Based LEDs(2010), " IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES., vol. 57, NO. 1. 

  4. J. Liu, W. S. Tam, H. Wong, and V. Filip(2009), "Temperature-dependent light-emitting characteristics of InGaN/GaN diodes," Microelectronics Reliability., 49, pp. 38-41. 

  5. J. M. Kang, J. W. Kim, J. H. Choi, D. H. Kim, and H. K. Kwon(2009), "Life-time estimation of high-power blue light-emitting diode chips," Microelectronics Reliability., 49, pp. 1231-1235. 

  6. G. Meneghesso, S. Levada, R. Pierobon, F. Rampazzo, E. Zanoni, A. Cavallini, A. Castaldini, and I. Eliashevich(2002), "Degradation Mechanisms of GaN-Based LEDs after Accelerated DC Current Aging," Technical Digest-International Electron Devices Meeting, pp. 103-106. 

  7. C. M. Tan, B. K. E. Chen, G. Xu, and Y. Liu(2009), "Analysis of humidity effects on the degradation of high-power white LEDs," Microelectronics Reliability, 49(9-11), pp. 1226-1230. 

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