[논문]마이크로웨이브 조사에 따른 산화알루미늄이 함유된 실리콘카바이드의 SF6 제거

최 성 우

doi:10.4491/ksee.2013.35.4.240

제안 방법

의 함량비를 10 wt%에서 50 wt%까지 제조하였다. SiC-Al₂O₃의 함량비, 마이크로파 조사에너지 및 분해온도에 따라 SF₆의 제거특성을 GC-TCD를 사용하여 분석하였다.
본 연구는 SF₆를 제거하기 위해 마이크로파를 열원으로 사용하고 SiC에 Al₂O₃를 함량별로 처리하여 마이크로파 조사량별, Al₂O₃ 함량별, 분해온도별 실험을 실시한 결과 다음과 같은 결론을 얻었다.
분해온도별 Al₂O₃ 함량별 실험에서도 에너지효율성과 함량을 고려시 SF₆제거에 가장 적합한 물질인 SiC-Al₂O₃ (30)을 대상으로 반복실험을 실시하였다. Fig.
따라서 마이크로파 조사에 따른 급격한 온도상승으로 분해온도와 DRE의 관계를 규명하기 어려웠다. 이를 위해 분해온도를 고정하여 온도별 DRE를 재분석하였으며 이 결과를 Fig. 6에 나타내었다. Fig.
가스봄베로부터 나오는 가스의 유량을 조절하기 위하여 MFC (Mass Flow Meter)를 사용하였으며 마이크로웨이브 오븐 안의 일자형 석영관은 내경이 4 cm 길이 15 cm를 사용하였다. 일자형 석영관에 SiC-Al₂O₃를 넣고 3,000 ppm의 SF₆를 100 mL/min으로 흘려 제거실험을 실시하였다. 마이크로파 가열장치는 2,450 MHz, 최대출력 1.
칼럼(GS-Carbonplot, Agilent)은 길이 30 m, 직경이 0.32 mm, 필름의 두께 3 µm를 사용하였으며, 분석 조건으로 injector 온도를 185℃, detector 온도를 150℃, oven 온도를 35℃를 유지하여 분석하였다.

대상 데이터

또한 마이크로파는 선택가열 및 급속가열이 가능함으로 유해가스 처리 및 마이크로파 플라즈마를 이용한 SF₆의 제거 연구 등 환경 분야에 대한 응용 연구가 진행되고 있다.^7,8) 본 연구에서는 SF₆의 제거를 위해 세라믹산화물은 Al₂O₃를 선정하였으며 열원 공급을 위해 마이크로파 가열장치를 이용하였다. 특히 Al₂O₃, MgO 등과 같은 세라믹 재료는 상온에서 마이크로파를 투과시키며 임계온도 이상의 고온이 되면 마이크로파와 결합하여 효과적으로 흡수 및 가열되기도 한다.
SF₆의 제거 실험은 GC-TCD (HP 6890A GC, Agilent)을 이용하여 분석하였다. 칼럼(GS-Carbonplot, Agilent)은 길이 30 m, 직경이 0.
1은 SF₆ 제거 실험 장치를 나타내었다. 가스봄베로부터 나오는 가스의 유량을 조절하기 위하여 MFC (Mass Flow Meter)를 사용하였으며 마이크로웨이브 오븐 안의 일자형 석영관은 내경이 4 cm 길이 15 cm를 사용하였다. 일자형 석영관에 SiC-Al₂O₃를 넣고 3,000 ppm의 SF₆를 100 mL/min으로 흘려 제거실험을 실시하였다.
SiC는 인장강도가 강하고 일정한 도전성과 도열성을 갖고 있으며 높은 경도, 고내화성, 화학적 안정하여 마이크로파 유전가열의 재료로 많이 활용된다. 또한 SF₆의 촉매적 활성반응을 유도하기 위해 Al₂O₃ (Acros Organics, Belgium: 이하 Al₂O₃)를 사용하였다. SiC 와 Al₂O₃는 사용 전 24시간 100℃ 이상에서 하루 건조하고 실험을 실시하였다.
일자형 석영관에 SiC-Al₂O₃를 넣고 3,000 ppm의 SF₆를 100 mL/min으로 흘려 제거실험을 실시하였다. 마이크로파 가열장치는 2,450 MHz, 최대출력 1.2 kW의 마그네트론이 장착된 마이크로 발진관을 사용하였다. 마이크로파는 도파관을 통하여 반응기에 도입되도록 하였으며 반응기 내부는 알루미늄을 사용하였다.
2(a)는 마이크로파 조사에 따른 SiC와 Al₂O₃의 시간 대별 온도변화이다. 마이크로파 조사량은 500, 700, 900 W를 사용하였다. SiC의 경우 5분까지는 급격하게 온도가 상승 후 완만한 증가 경향을 보여주었으며 Al₂O₃는 마이크로파 조사에 따른 온도상승효과가 매우 적었다.
마이크로파 조사를 위한 발열체는 Silicon Carbide (LTS Inc., U.S.A: 이하 SiC)를 사용하였다. SiC는 인장강도가 강하고 일정한 도전성과 도열성을 갖고 있으며 높은 경도, 고내화성, 화학적 안정하여 마이크로파 유전가열의 재료로 많이 활용된다.
2 kW의 마그네트론이 장착된 마이크로 발진관을 사용하였다. 마이크로파는 도파관을 통하여 반응기에 도입되도록 하였으며 반응기 내부는 알루미늄을 사용하였다.
발열체인 SiC는 40 g으로 일정하게 사용하였으며 SiC와 Al2O3의 물리적 혼합을 위해 SiC - Al2O3 (x) = Al2O3(g) / [SiC(g) + Al2O3(g) × 100의 혼합비율식을 이용하였다.
본 연구는 마이크로파를 열분해 에너지원으로 사용하였으며 마이크로파 발열체로는 SiC를 이용하였으며 촉매산화제로는 산화알루미늄을 선정하여 SiC와 Al₂O₃의 함량비를 10 wt%에서 50 wt%까지 제조하였다. SiC-Al₂O₃의 함량비, 마이크로파 조사에너지 및 분해온도에 따라 SF₆의 제거특성을 GC-TCD를 사용하여 분석하였다.

이론/모형

SF₆의 제거 및 제거효율은 DRE (Destruction and Removal Efficiencies)를 이용하여 계산하였다. DRE는 소각성능평가에 많이 활용되며¹¹⁾ 다음 식에 의해 계산하였다.

성능/효과

1) 마이크로파 조사 시 SiC는 1,100℃까지 급격히 온도가 증가되었으나 Al₂O₃는 온도가 완만히 증가하였고 함량별 SiC-Al₂O₃의 경우 Al₂O₃ 함량이 10%에서 40%까지는 1,100℃까지 급격한 온도증가 있었으나 함량별로 유의한 차이는 보이지 않았다. 또한 마이크로파 조사 후 15분까지 Al₂O₃함유량, 마이크로파 조사량에 상관없이 30 ℃/min에서 50℃/min의 증가율을 보여주었다.
2) 마이크로파 조사에 따른 SiC-Al₂O₃의 SF₆제거 특성 비교 시 Al₂O₃는 자체 제거효율은 없었으며 SiC의 경우 700 W 에서는 35%, 900 W에서는 55% 이상 증가하였다. SiC-Al₂O₃의 경우 700 W와 900 W에서도 SiC-Al₂O₃의 SF₆제거 효율이 가장 높았으며 15분 후에는 99.
3) SF₆ 분해온도별 DRE를 비교한 결과 SiC의 경우 800℃이하에서는 SF₆의 제거가 일어나지 않았으며 1,100℃에서 62%의 제거효율을 보여주었다. SiC-Al₂O₃의 경우 800℃에서는 95%, 900℃에서는 98%, 1,000℃에서는 99% 이상의 제거효율을 보여주었다.
SiC-Al₂O₃의 경우 500 W에서는 SiCAl₂O₃ (50)이 가장 낮았으며 SiC-Al₂O₃ (40)에서 가장 높은 제거 효율을 보여주었다. 700 W와 900 W에서도 SiC-Al₂O₃의 SF₆ 제거 효율이 가장 높았으며 20분 후에는 99.99% 이상 제거됨을 보여주었다. SiC를 단독 사용하였을 경우 보다 SiC-Al₂O₃의 사용이 SF₆ 제거에 보다 효과적임을 보여주었다.
7%로 DRE가 가장 높았다. 800℃과 900℃에서는 Al₂O₃의 함량이 20% 이상일 때 99.99%의 DRE를 가졌으며 1,100℃ 이상에서는 SiC를 제외하고 SiC-Al₂O₃는 함량에 상관없이 99.99%의 DRE를 가졌다. SiC의 경우 800℃ 이하에서는 SF₆의 제거가 일어나지 않았으며 900℃에서 16%, 1,000℃에서 40%, 1,100℃에서 62%의 제거효율을 보여주었다.
SiC 경우 분당 온도증가율이 가장 높았으며 마이크로파 조사량에 따라 더욱 증가하였다. 900 W 조사시 초기 1분대의 온도증가율을 비교해 보면 SiC는 분당 350℃였으며 SiC-Al₂O₃ (10)과 SiC-Al₂O₃ (20)는 303℃, SiC-Al₂O₃ (30)과 SiC-Al₂O₃ (40)은 240℃였으며, SiC-Al₂O₃ (50)은 130℃로 온도증가율이 가장 낮은 것으로 나타났다. 반면에 15분후 부터에 Al₂O₃ 함유량, 마이크로파 조사량에 상관없이 30 ℃/min에서 50 ℃/min의 증가율을 보여주었다.
99% 이상 제거됨을 보여주었다. SiC를 단독 사용하였을 경우 보다 SiC-Al₂O₃의 사용이 SF₆ 제거에 보다 효과적임을 보여주었다. 또한 마이크로파 조사량이 증가함에 따른 SF₆의 제거시간을 살펴보면 500 W에서는 10~12 min, 700 W에서는 6~10 min, 900 W에서 6 min으로 단축되어 마이크로파 조사량에 비례하여 제거시간이 감소함을 확인하였다.
또한 이 등⁵⁾은 상용업 촉매인 Co/ZrO₂- Al₂O₃의 촉매를 사용 시 650℃에서 SF₆의 전환율이 99% 이상 유지되었으나 본 연구에서는 SiC-Al₂O₃ (30)이 800℃에서 99% 이상을 효율을 보여주어 분해온도를 낮추기 위해 촉매 개질화가 필요한 것으로 생각된다. 그러나 단순 열소각에서 99%의 SF₆ 제거를 위해 1,600℃ 이상의 고온이 필요하나 본 연구에서는 분해온도가 800℃일 때 SF₆의 제거효율이 2배 이상 증가하였다.
9% 이상 증가하였다. 따라서 SiC를 단독 사용하였을 경우보다 SiC-Al₂O₃의 사용이 SF₆제거에 보다 효과적임을 보여주었다. Padma 등⁶⁾ 이 보고하였듯이 Al₂O₃, MgO 등 세라믹산화물을 사용할 경우 SF₆ 분해온도를 700~900℃까지 낮출 수 있다했는데 본 연구에서도 Al₂O₃ 함유시 700℃ 이상에서 제거가 시작되었다.
따라서 마이크로파 조사량별, 분해온도별 Al₂O₃ 함량별 SF₆제거실험에서 SiC를 단독 사용하였을 경우보다 SiC-Al₂O₃의 사용이 SF₆ 제거에 보다 효과적임을 알 수 있었다. 마이크로파 에너지 효율성과 Al₂O₃ 함량을 고려 시 SF₆의 제거를 위한 최적 조건은 마이크로파 조사량은 700 W, 분해온도는 700~800℃이였으며 SiC-Al₂O₃ (30)이 최적 물질임을 보여주었다.
따라서 에너지 효율성을 고려서 SF₆ 제거를 위한 가장 적합한 조건은 700 W의 마이크로파 조사량과 Al₂O₃의 함량이 20~30 wt%인 것으로 나타났다. 따라서 마이크로파에 의한 SF₆의 제거효율은 SiC 단독사용시 1,100℃ 이상의 높은 온도임에도 제거효율이 매우 낮으며 적정량의 촉매가 혼합된 SiC의 경우 SF₆의 제거 효율이 99.99%까지 증가하였다. 이 등¹²⁾의 연구에서도 반응온도가 증가될수록 SF₆의 전환율이 증가되었으며 산화반응의 경우 973 K까지는 전환율이 낮았으나 973 K보다 높은 온도영역에서는 SF₆의 전환율이 증가하다고 보고하였으며 이는 본 연구와도 유사한 결과를 보여주었다.
99%로 나타났으나 11회 째부터 DRE가 약간 감소하여 95% 정도의 제거효율을 유지하였다. 따라서 본 연구에서 사용된 SiC-Al₂O₃ (30)은 반복적 제거실험에서도 95%이상의 DRE를 가진 것으로 확인되었다.
99%의 SF₆ 제거효율을 보여주었다. 따라서 분해온도별 Al₂O₃ 함량별 실험에서도 에너지효율성과 함량을 고려 시 SiC-Al₂O₃ (30)이 가장 효과적인 물질임을 보여주었다. 또한 이 등⁵⁾은 상용업 촉매인 Co/ZrO₂- Al₂O₃의 촉매를 사용 시 650℃에서 SF₆의 전환율이 99% 이상 유지되었으나 본 연구에서는 SiC-Al₂O₃ (30)이 800℃에서 99% 이상을 효율을 보여주어 분해온도를 낮추기 위해 촉매 개질화가 필요한 것으로 생각된다.
99%였다. 따라서 에너지 효율성을 고려서 SF₆ 제거를 위한 가장 적합한 조건은 700 W의 마이크로파 조사량과 Al₂O₃의 함량이 20~30 wt%인 것으로 나타났다. 따라서 마이크로파에 의한 SF₆의 제거효율은 SiC 단독사용시 1,100℃ 이상의 높은 온도임에도 제거효율이 매우 낮으며 적정량의 촉매가 혼합된 SiC의 경우 SF₆의 제거 효율이 99.
제거물질별 DRE는 Al₂O₃의 함량이 30%까지는 마이크로파 조사량에 비례하여 증가하나 Al₂O₃의 함량이 40% 이상에서는 DRE가 약간 감소하는 경향을 보여주었다. 또한 500 W보다 900 W에서 평균 DRE가 15%에서 50% 이상 증가함을 보여주었다. Fig.
또한 마이크로파 조사량이 증가함에 따른 SF₆의 제거시간을 살펴보면 500 W에서는 10~12 min, 700 W에서는 6~10 min, 900 W에서 6 min으로 단축되어 마이크로파 조사량에 비례하여 제거시간이 감소함을 확인하였다. 또한 700 W 이상에서 SiC만 사용하였을 때 제거효율은 35~50%였으나 동일조건에서 SiC-Al₂O₃의 제거효율은 99.9% 이상 증가하였다. 따라서 SiC를 단독 사용하였을 경우보다 SiC-Al₂O₃의 사용이 SF₆제거에 보다 효과적임을 보여주었다.
함량이 10%에서 40%까지는 1,100℃까지 급격한 온도증가 있었으나 함량별로 유의한 차이는 보이지 않았다. 또한 마이크로파 조사 후 15분까지 Al₂O₃함유량, 마이크로파 조사량에 상관없이 30 ℃/min에서 50℃/min의 증가율을 보여주었다.
SiC를 단독 사용하였을 경우 보다 SiC-Al₂O₃의 사용이 SF₆ 제거에 보다 효과적임을 보여주었다. 또한 마이크로파 조사량이 증가함에 따른 SF₆의 제거시간을 살펴보면 500 W에서는 10~12 min, 700 W에서는 6~10 min, 900 W에서 6 min으로 단축되어 마이크로파 조사량에 비례하여 제거시간이 감소함을 확인하였다. 또한 700 W 이상에서 SiC만 사용하였을 때 제거효율은 35~50%였으나 동일조건에서 SiC-Al₂O₃의 제거효율은 99.
SiC-Al₂O₃의 경우 800℃에서는 95%, 900℃에서는 98%, 1,000℃에서는 99% 이상의 제거효율을 보여주었다. 또한 반복실험결과 SF₆의 제거효율이 95% 이상유지 되었다.
제거에 보다 효과적임을 알 수 있었다. 마이크로파 에너지 효율성과 Al₂O₃ 함량을 고려 시 SF₆의 제거를 위한 최적 조건은 마이크로파 조사량은 700 W, 분해온도는 700~800℃이였으며 SiC-Al₂O₃ (30)이 최적 물질임을 보여주었다. 본 연구는 마이크로파 조사에 따른 SiC-Al₂O₃의 SF₆ 제거 효율을 평가하였으나 향후 상용화를 위한 SF₆ 농도별, 고유량 공간속도 실험 및 촉매안정성 및 표면분석 실험이 추가되어야 할 것으로 사료된다.
900 W에서는 DRE가 SiC를 제외하고는 대부분 95% 이상의 SF₆ 제거효율을 보여주었다. 마이크로파 조사량과 Al₂O₃의 함량별 실험을 실시한 결과 SF₆의 제거조건은 마이크로파 조사량이 700 W 이상이고 Al₂O₃의 함량이 20~30 wt%일때 DRE가 99.99%였으며 900 W 이상일 경우 Al₂O₃의 함량이 20~50 wt%일 때 DRE는 99.99%였다. 따라서 에너지 효율성을 고려서 SF₆ 제거를 위한 가장 적합한 조건은 700 W의 마이크로파 조사량과 Al₂O₃의 함량이 20~30 wt%인 것으로 나타났다.
5(b)~(d)는 마이크로파 조사에 따른 누적 DRE를 나타내었다. 마이크로파 조사량이 500 W에서 900 W로 증가시 누적 DRE가 좁아지는 현상을 보여주었다. 이는 마이크로파 조사량이 증가함에 따라 SiC-Al₂O₃의 DRE가 거의 유사해짐을 나타낸다.
마이크로파 조사함에 따라 분해온도는 초기 5분에 급격히 증가하고 10분 이후로 약간씩 증가하는 경향을 보였다. 따라서 마이크로파 조사에 따른 급격한 온도상승으로 분해온도와 DRE의 관계를 규명하기 어려웠다.
이 등⁵⁾의 연구에서 SF₆ 열소각은 1,000℃ 이하에서는 제거가 진행되지 않으며 1,300℃ 이상에서 급격한 열 분해가 되며 95%가 분해되는 온도는 약 1,600℃라고 보고 하였다. 본 연구에서 SiC만을 사용하여 마이크로파를 조사했을 때 1,100℃에는 약 60% 이상의 제거효율을 얻어 유사 경향을 보여주었다. SiC-Al₂O₃의 경우 500 W에서는 SiCAl₂O₃ (50)이 가장 낮았으며 SiC-Al₂O₃ (40)에서 가장 높은 제거 효율을 보여주었다.
SF₆ DRE index는 사용 전 SiC-Al₂O₃와 재 사용 시 SiC-Al₂O₃의 제거효율을 평가한 것으로 100%의 결과가 나오면 반복 사용시 제거능의 손실이 없음을 의미한다. 실험결과 제거능은 약간의 증감을 확인하였으며 10회의 제거 반복 실험결과 평균 DRE는 99.99%로 나타났으나 11회 째부터 DRE가 약간 감소하여 95% 정도의 제거효율을 유지하였다. 따라서 본 연구에서 사용된 SiC-Al₂O₃ (30)은 반복적 제거실험에서도 95%이상의 DRE를 가진 것으로 확인되었다.
5(a)는 마이크로파 조사량에 따른 제거물질별 평균 DRE를 보여준다. 제거물질별 DRE는 Al₂O₃의 함량이 30%까지는 마이크로파 조사량에 비례하여 증가하나 Al₂O₃의 함량이 40% 이상에서는 DRE가 약간 감소하는 경향을 보여주었다. 또한 500 W보다 900 W에서 평균 DRE가 15%에서 50% 이상 증가함을 보여주었다.
500 W 에서는 Al₂O₃의 함량이 DRE에 크게 영향을 미치나 700 W이상에서는 그 영향 정도가 적은 것으로 나타났다. 특히 700 W 이상에서 SiC의 DRE는 43%였으며 Al₂O₃ 함유량이 20~30%일 경우에는 99.9%의 DRE를 보여주었으며 Al₂O₃ 함유량이 40~50%인 SiC에서는 95%의 이상의 DRE를 보여주었다. 900 W에서는 DRE가 SiC를 제외하고는 대부분 95% 이상의 SF₆ 제거효율을 보여주었다.

후속연구

마이크로파 에너지 효율성과 Al₂O₃ 함량을 고려 시 SF₆의 제거를 위한 최적 조건은 마이크로파 조사량은 700 W, 분해온도는 700~800℃이였으며 SiC-Al₂O₃ (30)이 최적 물질임을 보여주었다. 본 연구는 마이크로파 조사에 따른 SiC-Al₂O₃의 SF₆ 제거 효율을 평가하였으나 향후 상용화를 위한 SF₆ 농도별, 고유량 공간속도 실험 및 촉매안정성 및 표면분석 실험이 추가되어야 할 것으로 사료된다.

핵심어	질문	논문에서 추출한 답변
	SF6는 무엇인가?	SF6는 대기 중 이산화탄소에 비해 1% 미만으로 매우 적지만 지구온난화지수가 이산화탄소에 비해 23,900배 높으며 대기 중 체류기간의 3200년으로 중요한 온실가스중 하나이다. SF6는 불활성 기체로 무색, 무취, 무해, 불연성을 특성을 가지며 열적으로 매우 안정한 물질이다. 주로 반도체 생산 공정의 식각(etching)가스로 이용되며 LCD 모니터제조 및 자동차 생산공정, 마그네슘 정련업계가 대표적인 발생원이다.
	열분해기술로는 무엇이 있는가?	SF6를 제거하는 기술은 열분해기술과 촉매산화기술로 나누어진다.2) 열분해기술로는 전기 RTO (Regenerative Thermal Oxidation), 순산소 연소기술, 플라즈마 제거 등이 있다. RTO 방식은 초기 승온과 감온 및 히터 및 축열재의 수명단축의 문제가 있으며 순 산소 연소기술의 경우 후단에 HF를 처리하는 습건식 HF처리 장치가 필요하다.
	SF6는 어디에 주로 이용되는가?	SF6는 불활성 기체로 무색, 무취, 무해, 불연성을 특성을 가지며 열적으로 매우 안정한 물질이다. 주로 반도체 생산 공정의 식각(etching)가스로 이용되며 LCD 모니터제조 및 자동차 생산공정, 마그네슘 정련업계가 대표적인 발생원이다.1)

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 논문명, 저널/프로시딩명, 저자 , 발행년, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, 발행기관 관리번호, 논문명, 대등논문명, 저자 , 저널/프로시딩명, 발행기관, 발행년, 발행언어, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, ISBN, ISSN, 주제분야, 키워드, 초록(한글), 초록(영문), 저자(소속기관)
저장형식	Text(ASCII format) Excel format RefWorks Direct Export RIS format (for Reference Manager, ProCite, EndNote), Scholar's Aids, Mendeley
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	총 건의 자료가 검색되었습니다. 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오. ~ Text(ASCII format) Excel format

연합인증

마이크로웨이브 조사에 따른 산화알루미늄이 함유된 실리콘카바이드의 SF6 제거
Removal of SF6 over Silicon Carbide with Aluminium Oxide by Microwave Irradiation 원문보기

초록
AI-Helper

Abstract ▼ AI-Helper

주제어

AI 본문요약
AI-Helper

제안 방법

대상 데이터

이론/모형

성능/효과

후속연구

질의응답

참고문헌 (12)

이 논문을 인용한 문헌

저자의 다른 논문 :

연구과제 타임라인

관련 콘텐츠

원문 보기

원문 URL 링크

오픈액세스(OA) 유형

연관된 기능

이 논문과 함께 이용한 콘텐츠

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트

연합인증

마이크로웨이브 조사에 따른 산화알루미늄이 함유된 실리콘카바이드의 SF6 제거 Removal of SF6 over Silicon Carbide with Aluminium Oxide by Microwave Irradiation 원문보기

초록 용어보기논문에서 용어와 풀이말을 자동 추출한 결과로, 시범 서비스 중입니다. AI-Helper

Abstract ▼ AI-Helper

주제어

AI 본문요약 엑셀 다운로드 AI-Helper

제안 방법

대상 데이터

이론/모형

성능/효과

후속연구

질의응답

참고문헌 (12)

이 논문을 인용한 문헌

저자의 다른 논문 :

최성우 (47)

연구과제 타임라인

전체(0) 논문(0) 특허(0) 보고서(0)

전체(0) 논문(0) 특허(0) 보고서(0)

관련 콘텐츠

원문 보기

원문 URL 링크

오픈액세스(OA) 유형

연관된 기능

이 논문과 함께 이용한 콘텐츠

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트

마이크로웨이브 조사에 따른 산화알루미늄이 함유된 실리콘카바이드의 SF6 제거
Removal of SF6 over Silicon Carbide with Aluminium Oxide by Microwave Irradiation 원문보기

초록
AI-Helper

AI 본문요약
AI-Helper