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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.24 no.12, 2014년, pp.694 - 699
김동옥 (충남대학교 공과대학 재료공학과) , 트란남충 (충남대학교 공과대학 재료공학과) , 김의태 (충남대학교 공과대학 재료공학과)
We report the chemical vapor deposition growth characteristics of graphene on various catalytic metal substrates such as Ni, Fe, Ag, Au, and Pt. 50-nm-thick metal films were deposited on
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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화학기상증착에 의한 막질 및 두께 제어는 어떤 요소에 영향을 받는가? | 화학기상증착법은 대면적 그래핀 제조를 위한 대표적인 방법으로 많은 연구가 진행되어왔다.1-4) 화학기상증착에 의한 그래핀 성장 메커니즘과 이에 따른 막질 및 두께 제어는 사용되는 촉매 금속기판의 재료와 상태에 큰 영향을 받게 된다.1-7) 가장 많이 연구되어 왔고 일반적으로 사용되는 Ni과 Cu 기판 재료의 경우도 서로 상이한 그래핀 성장 메커니즘을 가지게 된다. | |
탄소나노튜브에 사용하는 촉매금속의 종류는? | 3,4) 이러한 금속 표면에서의 촉매반응과 성장메커니즘의 차이는 막질 뿐만 아니라 성장 온도에도 큰 영향을 미치게 된다. 탄소나노튜브의 경우에도 Ni, Fe, Co 등의 다양한 촉매금속에 따른 나노튜브 성장특성에 관한 많은 연구가 진행되어 왔다. 반면에 그래핀의 경우에는 대부분의 연구가 Ni과 Cu에 집중되어 왔고 다른 촉매 기판금속에 대한 연구가 미비한 편이다. | |
Cu 기판에서 그래핀 성장 메커니즘은 어떠한가? | % 정도로 매우 높기에 보통 1000 °C 정도의 고온의 성장온도에서 침탄이 이루어지고 온도를 내릴 때 탄소 석출에 의해 그래핀이 성장하게 된다.2-4) 반면 Cu 기판의 경우에는 침탄 고용비율이 0.05 at.%로 매우 낮아 Cu 표면에서 메탄 같은 반응가스 분해에 이은 직접적인 증착반응을 통해 그래핀이 성장하게 된다.3,4) 이러한 금속 표면에서의 촉매반응과 성장메커니즘의 차이는 막질 뿐만 아니라 성장 온도에도 큰 영향을 미치게 된다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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