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PCB의 ENIG와 OSP 표면처리에 따른 Sn-3.5Ag 무연솔더 접합부의 Electromigration 특성 및 전단강도 평가
Effects of PCB ENIG and OSP Surface Finishes on the Electromigration Reliability and Shear Strength of Sn-3.5Ag PB-Free Solder Bump 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.24 no.3, 2014년, pp.166 - 173  

김성혁 (네패스 반도체연구소) ,  이병록 (안동대학교 신소재공학부 청정에너지 소재기술 연구센터) ,  김재명 (스태츠칩팩코리아 기술연구소) ,  유세훈 (한국생산기술연구원 용접접합기술센터) ,  박영배 (안동대학교 신소재공학부 청정에너지 소재기술 연구센터)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The effects of printed circuit board electroless nickel immersion gold (ENIG) and organic solderability preservative (OSP) surface finishes on the electromigration reliability and shear strength of Sn-3.5Ag Pb-free solder bump were systematically investigated. In-situ annealing tests were performed ...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • Sn-3.5Ag 솔더 범프의 금속간 화합물(intermetallic compound) 성장거동에 미치는 PCB 표면처리의 영향을 알아보기 위해서 전기적 및 기계적 평가에 따른 솔더 접합부의 금속간 화합물 형성과 성장거동을 연구하였다.
  • 따라서 본 연구에서는 Sn-3.5Ag 조성의 BGA 솔더 범프에서 표면처리에 따른 계면 반응 특성 및 electromigration 특성을 알아보기 위하여 PCB 표면에 ENIG 표면처리와 OSP 표면처리를 하여 솔더 접합부를 in-situ 실험을 통하여 비교 분석하였다. 또한, 표면처리에 따른 접합 강도 특성을 평가하기 위하여 고속의 전단 속도 조건에서 볼 전단 강도 평가를 실시하였다.

가설 설정

  • Wu 그룹은 시뮬레이션 결과를 바탕으로 전자가 유입되는 영역에서의 온도가 다른 부분과 비교하였을 때, 보다 높은 온도가 측정되었다고 보고하였다.22) 이를 바탕으로 전자가 유입되는 접합부에서 Cu와 Sn은 다른 영역보다 활발하게 반응을 하게되고, Cu가 급격하게 소모됨으로써 파괴가 일어나게 된다.23) 이러한 파괴모드는 본 연구 결과와 매우 비슷한 결과이다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
Sn-3.0Ag-0.5Cu 조성 무연솔더의 장점은 무엇인가? 이러한 사회적 분위기 속에서 산업체에 주목을 받고 있는 무연솔더의 소재 중의 하나가 Sn-Ag-Cu계 솔더인데, 그 중에서도 젖음 특성과 접합부의 신뢰성 측면에서 우수한 것으로 알려진 Sn-3.0Ag-0.
Sn-Ag-Cu계 솔더 중 Sn-3.0Ag-0.5Cu 조성으로 이루어진 솔더 접합구조는 어떤 문제점이 있는가? 5Cu 조성이 최근 몇년 동안 대표적인 무연솔더로 사용되어 왔다.3) 그러나 Sn-3.0Ag-0.5Cu 조성으로 이루어진 솔더 접합구조의 경우 외부에서 인가되는 응력(stress)에 의해 크랙(crack)의 전파가 비교적 잘 이루어지는 특성을 나타내는 것으로 보고되고 있다.4) 이와 같은 이슈에 의하여 다양한 주제의 솔더가 연구 중이다.
무연솔더에 대하여 많은 연구가 이루어지게 된 계기는 무엇인가? 최근 restricting the use of hazardous substances (RoHS)와 같은 법령에 의해 세계적으로 유연솔더의 사용 규제가 이루어지면서 무연솔더에 대하여 많은 연구가 이루어지게 되었다.1,2)
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참고문헌 (23)

  1. Directive 2002/95/EC on the Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment(RoHS), The European Parliament and of the Council of the European Union, Jan. (2003). 

  2. European Union WEEE Directive, 3rd Draft, May (2000). 

  3. D. Suh, D. W. Kim, P. Liu, H. Kim, J. A. Weninger, C. M. Kumar, A. Prasad, B. W. Grimsley d H. B. Tejada, Mater. Sci. Eng. A, 460, 595 (2007). 

  4. D. G. Kim, J. W. Kim, S. S. Ha, B. I. Noh, J. M. Koo, D. W. Park, M. W. Ko, and S. B. Jung, J. Alloys Compd., 458, 253 (2008). 

  5. F. Carson, S. M. Lee and N. Vijayaragavan, IEEE Compt, Packag. Manuf. Technol. (CPMT), p. 737 (2007). 

  6. J. M. Koo, C. Y. Lee and S. B. Jung, J. Microelectron. Packag. Soc., 14(4), 71 (2007). 

  7. D. Chang, F. Bai, Y. P. Wang and C.S. Hsiao, Proc. 6th Electron. Packag. Technol. Conf. (EPTC), IEEE p. 149 (2004). 

  8. H. K. Lee, S. H. Son, H. Y. Lee and J. M. Jeon, J. Kor. Inst. Surf. Eng., 40(1), 32 (2007) 

  9. M. Ding, G Wang, B. Chao, P. S. Ho, P. Su and T. Uehling, J. Appl. Phys., 99, 094906 (2006). 

  10. J. M. Kim, M. H. Jeong, S. H. Yoo and Y. B. Park, J. Electron. Mater. 41, 4 (2012) 

  11. J. M. Kim, M. H. Jeong, S. H. Yoo, C. W. Lee and Y. B. Park, Microelectronic Engineering, 89, 55 (2012) 

  12. S. H. Kim, J. M. Kim, S. H. Yoo and Y. B. Park, Curr. Appl. Phys., 13, S103 (2013) 

  13. S. H. Kim, J. M. Kim, S. H. Yoo and Y. B. Park, J. Microelectro. Packag. Soc., 19, 4 (2012) 

  14. J. H. Lee, Y. B. Park, J. Electron. Mater., 38, 10 (2009) 

  15. JESD22-B117A (Solder Ball Shear), JEDEC Standard, Jul. (2006). 

  16. G. T. Lim, B. J. Kim, K. W. Lee, J. D. Kim, Y. C. Joo, and Y. B. Park, J. Electron. Mater., 38, 2228 (2009). 

  17. Y. D. Lu, X. Q. He, Y. F. En, X. Wang, and Z. Q. Zhuang, Acta Mater., 57, 2560 (2009). 

  18. Y. H. Lin, Y. C. Hu, C. M. Tsai, C. R. Kao, and K. N. Tu, Acta Mater., 53, 2029 (2005). 

  19. Y. H. Lin, C. M. Tsai, Y. C. Hu, Y. L. Lin, and C. R. Kao, J. Electron. Mater., 34, 27 (2005). 

  20. J. H. Lee, G. T. Lim, S. T. Yang, M. S. Suh, Q. H. Chung, K. Y. Byun, and Y. B. Park, J. Kor. Phys. Soc., 54, 1784 (2009). 

  21. J. H. Lee and Y. B. Park, J. Electron. Mater. 38, 2194 (2009). 

  22. J. S. Zhang, Y. C. Chan, Y. P. Wu, H. J. Xi, and F. S. Wu, J. Alloys Compd., 458, 492 (2008). 

  23. R. Bauer, A.H. Fischer, C. Birzer, and L. Alexa, Proc. 61st Electron. Comp. Technol. Conf. (Lake Buena Vista, FL: IEEE, p. 317 (2011). 

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