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대면적·단일층·단결정 그래핀의 합성
Synthesis of large area·single layer/crystalline graphene 원문보기

한국전자통신학회 논문지 = The Journal of the Korea Institute of Electronic Communication Sciences, v.9 no.2, 2014년, pp.167 - 171  

최병상 (조선대학교 공과대학 금속재료공학과)

초록
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CVD를 이용하여 다결정 및 단결정 Cu 시편에 대한 그래핀의 합성 실험을 수행하였으며, 광학현미경 조직사진과 이미지 분석을 통하여 그래핀의 성장거동과 합성에 대한 특성평가 결과를 제시 하였다. 다결정 Cu 시편의 결정성에 따른 그래핀의 성장에 대한 분석의 결과 그래핀의 성장이 다결정 Cu 시편의 결정에 따라 일정한 방향성을 갖고 성장한다는 것을 알 수 있었으며, 다결정 Cu 시편의 이웃하는 단일 결정 내에서 성장하는 그래핀 형성에 대한 이미지 분석의 결과 단층, 복층, 그리고 3층의 그래핀에 대한 특성 분석이 가능하였다. 또한, (111) 방향을 갖는 단결정 Cu 시편을 이용하여 약 $3mm^2$ 정도의 비교적 넓은 면적을 갖는 고품질의 단일층 단결정 그래핀 합성과 이에 대한 특성평가 결과를 나타내고 있다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Using chemical vapor deposition(CVD), the synthesis of graphene was performed on poly and single crystalline Cu substrates. The growth behavior of graphene and its characterization were shown utilizing the optical microscopic image and its image analysis. As a result in the analysis of graphene grow...

주제어

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문제 정의

  • 또한, 그래핀의 성장방향이 Cu 결정의 방향성과 관련이 있을 것이라는 예측을 가능하게 하였다. 따라서 본 연구에서는 각기 다른 방향성을 갖는 단결정 Cu를 이용한 그래핀의 합성연구를 추가적으로 수행하였다.
  • 따라서 본 연구에서는 다결정 및 단결정 Cu 시편을 이용하여 결정면의 크기와 방향에 따른 그래핀의 성장을 보이고자 하며, 또한 최종적으로 고품질의 대면적·단일층·단결정 그래핀의 합성 기술을 확보하는 것을 그 목적으로 한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
그래핀의 품질을 결정할 때, 결정면의 대면적 성장 제어 기술이 중요한 이유는 무엇인가? 그래핀의 품질은 Cu 시편의 결정 크기와 방향성에 밀접한 관련이 있기 때문에 결정면의 대면적 성장 제어 기술이 중요하다고 알려져 있다[6]. 또한 최근에는 CVD를 이용 Cu foil에 대한 그래핀의 합성 시 성장의 조건들(압력, 전구체, 온도, 성장 시간 등)의 제어를 통하여 결정의 크기 증가, 그래핀 핵생성의 제어, 그리고 성장의 기구들을 이해함으로써 그래핀의 품질을 높이고자 하는 많은 연구들이 행하여지고 있다[12-13].
전통적인 반도체를 대신할 금속 트랜지스터에 대한 연구에서 야기되고 있는 문제점은 무엇인가? 오래 전부터 전통적인 반도체를 대신할 보다 더 작은 크기, 그리고 낮은 에너지 소비와 높은 주파수에서 운용할 수 있는 금속 트랜지스터에 대한 연구는 계속되어 왔다. 이러한 요구조건을 충족하기 위해서는 원자 두께의 금속박막이 요구되어지나, 원자층 금속박막은 열역학적으로 불안정하여 수 나노미터 두께의 박막층은 연속성을 상실하게 된다. 이러한 문제들을 해결하고자 현재까지 많은 연구들이 진행되어 왔지만, 아직까지 1% 이상의 현저한 전계효과를 보이는 어떠한 금속 혹은 반도체도 찾지 못하였다[1].
세계적으로 그래핀을 활용한 기술들이 다양한 분야에서 광범위하게 연구되는 이유는 무엇인가? 최근 세계적으로 그래핀을 활용한 많은 과학과 기술들이 그래핀의 높은 전자 이동도(High Carrier Mobility), 높은 기계적 강도, 그리고 투명도(Optical Transparency) 등과 같은 독특한 성질들 때문에 전기·전자, 광전자, 에너지 저장 등의 분야에서 광범위 하게 연구되어지고 있다[1-5].
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참고문헌 (15)

  1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigogieva, and A. A. Firsov, "Electric field effect in atomically thin carbon films," Science, vol. 306, no. 5696, 2004, pp. 666-669. 

  2. C. Lee, X. Wei, J. W. Kysar, and J. Hone, "Measurement of the elastic properties and intrinsic strength of monolayer graphene," Science, vol. 321, no. 5887, 2008, pp. 385-388. 

  3. R. R. Nair, P. Blake, A. N. Grigorenko, K. S. Novoselov, T. J. Booth, T. Stauber, N. M. R. Peres, and A. K. Geim, "Fine structure constant defines visual transparency of graphene," Science, vol. 320, no. 5881, 2008, pp. 1308. 

  4. S.-J. Ahn, D.-H. Kim, O.-J. Kwon, Y.-C. Bae, and J.-Y. Lee, "Analysis on the dynamics of keyword mapping for detecting emerging technologies : A case study on graphene," J. of The Korea Institute of Electronic Communication Sciences, vol. 7, no. 6, 2012, pp. 1393-1401. 

  5. Y.-W. Park and S.-Y. Na, "Characteristics of CNT field effect transistor," J. of The Korea Institute of Electronic Communication Sciences, vol. 5, no. 1, 2010, pp. 88-92. 

  6. H. K. Kim, J. B. Choi, B. H. Hong, and Y. J. Kim, "Study on the Large-scale Synthesis of Graphene films using Chemical Vapor Deposition," Proc. KSME Conf., 2010, pp. 43-44. 

  7. S. K. Bae, H. K. Kim, Y. B. Lee, X. Xu, J. S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. R. Kim. Y. I. Song, Y. J. Kim, K. S. Kim B. Ozyilmaz, J. H. Ahn, B. H. Hong, and S. Iijima, "Roll-to-roll production of 30-inch graphene films for transparent electrodes," Nature Nanotechnol., vol. 5, no. 8, 2010, pp. 574-578. 

  8. K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim. K. S. Kim, J. H. Ahn, P. Kim, J. Y. Choi, and B. H. Hong, "Large-scale pattern growth of graphene films for stretchable transparent electrodes," Nature, vol. 457, no. 7230, 2009, pp. 706-710. 

  9. H. S. Park, J. A. Rowehl, K. K. Kim, V. Bulovic, and J. Kong, "Doped graphene electrodes for organic solar cells," Nanotechnology, vol. 21, no. 50, 2010, pp. 505204. 

  10. K. K. Kim, A. Reina, Y. Shi, H. Park, L. J. Li, Y. H. Lee, and J. Kong, "Enhancing the conductivity of transparent graphene films via doping," Nanotechnology, vol. 21, no. 28, 2010, pp. 285205. 

  11. J. S. Bunch, S. S. Verbridge, J. S. Alden, A. M. van der Zande, J. M. Parpia, H. G. Craighead, and P. L. McEuen, "Impermeable atomic membranes from graphene sheets," Nano Lett., vol. 8, no. 8, 2008, pp. 2458-2462. 

  12. X. Li, C. W. Magnuson, A. Venugopal, R. M. Tromp, J. B. Hannon, E. M. Vogel, L. Colombo, and R. S. Ruoff, "Large-area graphene single crystals grown by low-pressure chemical vapor deposition of methane on copper," J. Am. Chem. Soc., vol. 133, no. 9. 2011, pp. 2816-2819. 

  13. Q. Yu, L. A. Jauregui, W. Wu, R. Colby, J. Tian, Z. Su, H. Cao, Z. Liu, D. Pandey, D. Wei, T. F. Chung, P. Peng, N. P. Guisinger, E. A. Stach, J. Bao, S. S. Pei, and Y. P. Chen, "Control and characterization of individual grains and grain boundaries in graphene grown by chemical vapour deposition," Nature Mater., vol. 10, no. 6, 2011, pp. 443-449. 

  14. Y.-Y. Kim, H.-J. Jang, and B.-S. Choi, "Synthesis of graphene and its application to thermal and surface modification," J. of The Korea Institute of Electronic Communication Sciences, vol. 8, no. 4, 2013, pp. 549-554. 

  15. S. M. Kim, A. Hsu, Y. H. Lee, M. Dresselhaus, T. Palacios, K. K. Kim, and J. Kong, "The effect of copper pre-cleaning on graphene synthesis," Nanotechnology, vol. 24, 2013, pp. 365602-365608. 

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