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화학습식공정법을 이용한 용액 농도 및 시간에 따른 ZnS 완충층 특성에 대한 분석
Properties of the ZnS Thin Film Buffer Layer by Chemical Bath Deposition Process with Different Solution Concentrations and Deposition Time 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.27 no.5, 2014년, pp.269 - 275  

손경태 (한국교통대학교 전자공학과) ,  김종완 ((주)맥사이언스) ,  김민영 (한국교통대학교 전자공학과) ,  신준철 (한국교통대학교 정보기술융합학과) ,  조성희 (한국교통대학교 정보기술융합학과) ,  임동건 (한국교통대학교 전자공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this study, chemical bath deposition method was used to grow Zinc sulfide(ZnS) thin films from $NH_3/SC(NH_2)_2/ZnSO_4$ solutions at $90^{\circ}C$. ZnS thin films have been prepared onto ITO glass. The concentrations of $ZnSO_4$ and $NH_3$ were varied w...

주제어

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문제 정의

  • 본 연구에서는 화학습식공정을 이용한 ZnS 박막에 황산아연과 암모니아 수용액 농도와 각 최적화된 용액농도에서 증착시간을 가변하여 증착된 ZnS 박막의 구조적, 광학적, 조성, 전기적 특성에 대하여 연구하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
CIGS 박막태양전지에서 p-n접합을 형성하는 방법은? CIGS 박막태양전지의 흡수 층 (absorber layer)으로 사용되는 p-형 반도체인 CIGS 박막과 전면전극층(window layer)으로 사용되는 n-형 반도체인 ZnO 박막으로 p-n 접합을 형성한다. 하지만 두 물질은 격자상수와 에너지 밴드갭의 차이가 크기 때문에 두 물질 사이에 격자상수와 에너지밴드갭 차이를 완화를 시켜줄 완충층 (buffer layer)이 필요하다.
CIGS 박막태양전지에서 CIGS 박막과 ZnO 박막으로 p-n접합을 형성할 경우 발생하는 문제 및 추가적으로 요구되는 것은? CIGS 박막태양전지의 흡수 층 (absorber layer)으로 사용되는 p-형 반도체인 CIGS 박막과 전면전극층(window layer)으로 사용되는 n-형 반도체인 ZnO 박막으로 p-n 접합을 형성한다. 하지만 두 물질은 격자상수와 에너지 밴드갭의 차이가 크기 때문에 두 물질 사이에 격자상수와 에너지밴드갭 차이를 완화를 시켜줄 완충층 (buffer layer)이 필요하다. 완충층의 역할로는 Cu(In,Ga)Se2와 pn접합을 형성하고, 전도대역의 불연속성을 개선하며, 투명전극과 Cu(InGa)Se2 박막 전계의 shunt를 방지시킨다 [1].
CdS 박막을 대체하기 위한 물질에는 어떠한 것들이 있는가? 하지만 Cd의 심각한 독성과 낮은 에너지 밴드갭으로 인하여 CIGS층에서의 광흡수율을 줄여, CdS를 대체할 새로운 완충층의 개발에 연구를 박차고 있다 [6]. CdS 박막을 대체하기 위한 물질들로 ZnS, ZnSe, Zn(Se,OH), Zn(O,OH), Zn(O,OH), Sn(S,O)2, ZrO2, In(OH,S), In(OH,S) 등의 Cd-free 완충층 물질이 연구되고 있다. 이 중 ZnS (zinc sulfade)는 높은 광 투과율과 Cu(In,Ga)Se2층과 계면에서 좋은 접합을 형성하며 친환경적이므로 CdS의 대체물질로 각광받고 있다 [7].
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참고문헌 (8)

  1. I. O. Oladeji, L. Chow, J. R. Liu, W. K. Chu, A.N.P. Bustamante, C. Fredricksen, and A. F. Schulte, Thin Solid Films, 359, 154 (2000). 

  2. K. M. Hynes and J. Newham, Proc. 16th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Glasgow, UK, 2000) p. 2297. 

  3. Directive 2002/96/EC of the European Parliament and of the Council of 27 January 2003 on Waste Electrical and Electronic Equipment (WEEE), Official Journal of the European Union, L37/24 (2003) 

  4. R. H. Bube and A. L. Fahrenbruch, IEEE Tran. on Electron Devices, ED31, 528 (1984). 

  5. R. A. Mickelsen and W. S. Chen, Proc. 16th IEEE Photovoltaics Specialist Conf. IEEE (New York, 1982) p. 781. 

  6. D. Hariskos, S. Spiering, and M. Powalla, Thin Solid Films, 480, 99 (2005). 

  7. T. Nakada and M. Mizutani, Jpn. J. Appl. Phys., 41, L 165-L 167 (2002). 

  8. K. Kushiya, Proc. 3rd World Conference of Photovoltaic Energy Conversion (Osaka, Japan, 2003) p. 319. 

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