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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.27 no.5, 2014년, pp.276 - 281
강길모 (인천대학교 전기공학과) , 윤주형 (뉴욕주립 버팔로대학교 전기공학과) , 박윤창 (나노종합기술원 특성평가실) , 김준동 (인천대학교 전기공학과)
A high-responsive Schottky device has been achieved by forming a thin metal deposition on a Si substrate. Two-different metals of Ni and Ag were used as a Schottky metal contact with a thickness about 10 nm. The barrier height formation between metal and Si determines the rectifying current profiles...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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쇼트키 접합 광전소자의 장점은? | 쇼트키 접합 (Schottky junction) 광전소자는 금속과 반도체의 접합으로 제작할 수 있으며 제작과정이 간단하고, 별도의 도핑 공정이 없기 때문에 저온 공정이 가능하여 제작 단가가 저렴하며 구성 물질의 높은 균질성은 조성 제어 (composition control)에 유리 하다 [2]. | |
p-n접합 태양전지 제작 시 발생하는 문제는? | 일반적인 p-n접합 태양전지는 실리콘 기판의 도핑 농도를 조절하여 고효율 광전소자 제작에 적합하다. 하지만 실리콘 기판에 고농도 도핑이 필요하기 때문에 고온 공정이 필요하고 제작과정이 길어 단가가 비싸며 [1], 도핑 중 유독성 물질로 알려진 PH3와 B2H6가 사용되어 안전상에 문제가 있다. | |
MOS구조에서 산화물 층이 미치는 영향은? | 실험에 사용된 금속-산화물-반도체 (metal-oxide-semiconductor) 광전소자는 Schottky junction을 기반의 구조이다. MOS (metal-oxide-semiconductor) 구조에서 산화물 층은 터널링 (tunneling) 효과를 제공하고 금속과 실리콘 접합부의 결함을 감소시켜준다고 알려져 있다[5]. |
C. Y. Liu and U. R. Kortshagen, Nanoscale Research Letters, 5, 1253 (2010).
S. H. Hong, J. H. Yun, H. H. Pakr, and J. Kim, Appl. Phys. Lett., 103, 153504 (2013).
K. P. Pande, IEEE, ED-27, 4 (1980).
O. Janil, I. Ferguson, C. Honsberg, and S. Kurtz, American Institute of Physics, 91, 132117 (2007).
Y. Uehara, J. Watanabe, S. Fujikawa, and S. Ushioda, Phys. Rev. B, 51, 2229 (1995).
E. J. Lee, D. S. Kim, and S. H. Lee, Sol. Energ. Mat. Sol. C., 74, 65 (2002).
A. Yakimov and S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett., 80, 1667 (2002).
H. Kim, J. Cho, Y. Park, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett., 92, 092115 (2008).
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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