최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기한국산업정보학회논문지 = Journal of the Korea Industrial Information Systems Research, v.19 no.2, 2014년, pp.37 - 43
In this paper, we present the effect of forward current gain on emitter area in NPN transistors are used widely in the almost linear integrated circuits and integrated injection logic. Relations between forward current gain and emitter area were conformed with the simulation with examined calculatio...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
P. E. Gray, D. Dewitt, R. Boothroyd, and J. F. Gibbons, "Physical electronics and circuit models of transistors", SEEC, Vol. 2, Wiley, New York, 1964.
D. J. Roulston and M. Depey, "Emitter-collector breakdown voltage BVceo versus gain hfe for various NPN collector doping levels", Electronics Letters, Vol. 16, No. 21, pp. 803-804, 1980.
T. H. Ning and R. D. Isaac, "Effect of emitter contact on current gain of silicon bipolar devices", IEEE Trans. Electorn Devices, Vol. ED-27, No. 11, pp. 2051-2055, 1980.
D. J. Roulston, "Low current base-collector boundary conditions in GHz Frequency transistor", Solid State Electonics, Vol. 18, Issue 10, pp. 845-847, 1975.
R. L. Pritchard, J. B. Angell, R. B. Adler, J. M. Early, and W. M. Webster, "Transistor internal parameters for a small-signal representation", Proc. IRE, Vol. 49, No. 4, pp. 725-739, 1961.
Alan B. Grebene, "Bipolar and MOS analog integrated circuit design", Wiley interscience, chap. 9, 2003.
H. P. Tuinhout, "Improving BiCMOS technologies using BJT parametric mismatch characterisation", IEEE BCTM, pp. 163-170, Sept. 2003.
D. J. Roulston, "Bipolar semiconductor devices", McGRAW Hill, pp. 169-170, 218-219, 1990
N. G. Chamberain and D. J. Roulston, "Modeling of emitter-base bulk and peripheral space-charge-layer recombination currents in bipolar transistors", IEEE Trans. on Electorn Dev, Vol. ED-23, No. 12, pp. 1345-1346. 1976.
D. J. Roulston and A. A. Eltoukhy, "Modeling bulk and surface recombination in the sidewall space-charge layer of an emitter-base junction", IEE Proceedings, Vol. 132, pt. I, No. 5, pp. 205-209, 1985.
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
Free Access. 출판사/학술단체 등이 허락한 무료 공개 사이트를 통해 자유로운 이용이 가능한 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.