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한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering, v.18 no.5, 2014년, pp.1149 - 1154
오데레사 (Department of Semiconductor Engineering, Cheongju University)
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To observe the tunneling phenomenon of oxide semiconductor transistor, The Indium-gallum-zinc-oxide thin film transistors deposited on SiOC as a gate insulator was prepared. The interface characteristics between a dielectric and channel were changed in according to the properties of SiOC dielectric ...
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 투명전극에서 ITO의 한계점은? | 최근에 투명전도성 박막은 LED소자, 태양전지는 물론 디스플레이, 투명 웨어러블 전자소자 등에 적용할 수 있는 가능성이 넓어지면서 많이 연구되고 있다[1-4]. 가장 널리 사용되는 투명전극으로 ITO (Indium Tin Oxide)는 인듐의 독성과 희토류원소의 가격상승 등으로 대면적 디스플레이에 적용하기 위한 대체물질의 개발이 필요하다. ITO 대체물질로 ZnO 박막을 이용하여 투명박막 트랜지스터 (transparent thin film transistors: TTFTs)가 연구되고 있다. | |
| ZnO의 투명 전도성 박막으로는 어떠한 방법을 사용하는가? | ZnO는 일반적으로 격자틈새 Zn 이온(Zni 2+)이나 산소 빈자리이온 (Vo2+) 등과 같은 자연적인 도너 이온이 존재하여 n-형 전도특성을 나타낸다. 투명 전도성 박막으로는 가시광 영역에서의 높은 광투과율과 낮은 저항을 갖도록 하기 위해서 일반적으로 도핑방법을 사용한다. ZnO 산화물 반도체의 이동도 향상과 안정성 확보를 위해서 3족 원소인 B, In, Al, Ga 등을 도핑한 ZnO 투명 전도성 박막의 연구가 진행되고 있다[5-8]. | |
| ZnO의 특징은? | ITO 대체물질로 ZnO 박막을 이용하여 투명박막 트랜지스터 (transparent thin film transistors: TTFTs)가 연구되고 있다. ZnO는 일반적으로 격자틈새 Zn 이온(Zni 2+)이나 산소 빈자리이온 (Vo2+) 등과 같은 자연적인 도너 이온이 존재하여 n-형 전도특성을 나타낸다. 투명 전도성 박막으로는 가시광 영역에서의 높은 광투과율과 낮은 저항을 갖도록 하기 위해서 일반적으로 도핑방법을 사용한다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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