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Zn-Mn 혼합물의 열 증발에 의한 ZnO 결정의 성장에 미치는 Mn의 영향
Effect of Mn on the Growth of ZnO Crystals via a Thermal Evaporation of Zn-Mn Mixture 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.27 no.7, 2014년, pp.443 - 447  

이근형 (동의대학교 융합부품공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

ZnO crystals with different morphologies were synthesized through a thermal evaporation of Zn-Mn mixtures in air. The morphology was dependant on the Mn content in Zn-Mn mixture. The morphology was changed from rod to tetrapod shape with decreasing Mn content in Zn-Mn mixture. The result indicates t...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 Zn과 Mn의 혼합물을 원료로 사용하여 고온에서 열 증발과 산화시켜 나노결정을 성장시킬 수 있는지 살펴보았고, 나노결정의 성장에 미치는 Mn의 영향을 살펴보았다.

가설 설정

  • 공정 온도로 온도가 상승함에 따라 Zn이 먼저 기화하고 산화하여 ZnO 결정핵을 형성할 것이다. 온도가 더욱 상승하여 Mn의 녹는점에 도달함에 따라 Mn의 증기가 발생하고 산소와 반응하여 산소를 소비함으로써 Zn과 반응할 산소의 농도에 영향을 미쳤을 것이다. Zn/Mn 혼합물 내의 Mn의 양에 따라 소비되는 산소의 양도 달라서 Zn과 반응하는 산소의 농도도 달라지며 이는 ZnO 결정핵의 성장에 다른 영 향을 미치게 되고 이는 다시 나노구조의 형상에 영향을 미쳤을 것으로 생각된다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
ZnO 나노구조 함성에서 사용되고 있는 금속 촉매는? 촉매의 조건으로는 성장 온도에서 성장 물질과 합금 용액을 형성할 수 있어야 한다. ZnO 나노구조를 합성하는데 있어서도 Zn과 합금을 형성할 수 있는 Au, Ni, Co, Sn 등의 금속이 촉매로 사용되고 있다 [3-5]. Zn과의 합금을 형성하는 금속으로 Mn도 있으나 Zn와 Mn의 혼합물 또는 합금을 이용하여 Mn이 ZnO 나노결정의 성장과 형상에 미치는 영향을 보고한 예가 없다
VLS 성장에서 촉매는 무엇을 만들어야 하는가? 그러나 VLS 성장에서는 금속 촉매가 필요하다. 촉매는 나노구조가 성장하는 동안에 성장 물질과 합금을 형성하여 액상 방울을 만들어야만 한다. 촉매 액상 입자 속으로 성장 물질이 용해되면서 과포화 상태가 되면 성장 물질의 핵이 생성되고 성장하여 나노구조를 만들게 된다.
나노구조의 합성 방법인 VS 성장 양식이나 VLS 성장 양식을 이용한 방법 중 금속 촉매가 필요한 방법은? VS 성장에서는 금속 촉매가 필요 없다. 그러나 VLS 성장에서는 금속 촉매가 필요하다. 촉매는 나노구조가 성장하는 동안에 성장 물질과 합금을 형성하여 액상 방울을 만들어야만 한다.
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참고문헌 (9)

  1. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett., 70, 2230 (1997). 

  2. B. Zou, R. B. Liu, F. Wang, A. Pan, L. Cao, and Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B, 110, 12865 (2006). 

  3. Y. H. Kang, C. G. Choi, Y. S. Kim, and J. K. Kim, Mater. Lett., 63, 679 (2009). 

  4. T. Y. Kim, J. Y. Kim, M. Senthil Kumar, E. K. Suh, and K. S. Nahm, J. Cryst. Growth, 270, 491 (2004). 

  5. C. Lan, J. Gong, Y. Su, K. Li, and S. Yang, Physica E, 44, 791 (2012). 

  6. N. K. Park, G. B. Han, J. D. Lee, S. O. Ryu, T. J. Lee, W. C. Chang, and C. H. Chang, Curr. Appl. Phys., 6, e176 (2006). 

  7. H. J. Ko, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, I. Kobayashi, and H. Uchida, Appl. Phys. Lett., 76, 1905 (2000). 

  8. K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallant, J. A. Voigt, and B. E. Gnade, J. Appl. Phys., 79, 7983 (1996). 

  9. G. H. Lee, Appl. Surfi. Sci., 259, 562 (2012). 

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