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CdSe/ZnS 양자점을 이용한 디스플레이
Display using the CdSe/ZnS Quantum Dot 원문보기

Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers = 전자공학회논문지, v.51 no.8, 2014년, pp.167 - 171  

조수영 (조선이공대학교 메카트로닉스과) ,  송진원 (에코플럭스)

초록
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평판 디스플레이(plate panel display)가 휴대용으로 발전하면서 박막화, 고색재현성, 고휘도에 관한 연구가 활발히 이루어지고 있으며, 광원으로써 LED, OLED가 주로 이용되고 있다. 이러한 광원의 소재로 양자점에 관한 연구가 많이 이루어 지고 있는데, 양자점은 고색재현성과 유연디스플레이 구현에 있어서 주목받는 차세대 반도체 나노형광체 이다. 본 연구에서는 평판 디스플레이를 구현함에 있어서 양자점을 이용하는 방법에 관하여 제시하였다. CdSe/ZnS 양자점을 PET베리어 필름에 $100{\mu}m$ 두께로 도포하고 455nm의 파장을 갖는 청색 LED를 광원으로하여 빛을 조사하는 디바이스를 제작하고 광특성을 평가하였으며, LCD의 색변환 필름으로써 양자점의 적용 가능성을 제시하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

While the development of a portable plate panel display, thinning, high color reproduction, high brightness studies have been actively performed. LED, OLED is used as a light source. The research on quantum dot is much accomplished by the material of light source. Such quantum dot is the next genera...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 양자점을 이용하여 평판 디스플레이용 필름을 제작하고, 광특성을 평가하여, LCD의 색변환 필름으로써 양자점의 적용 가능성을 제시하였다.

가설 설정

  • (b) Changing PL-spectra in content of the quantum dots. (c) Quantum efficiency is changed according to the time of QD/PMMA hybrid sol.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
양자점 형광체를 디스플레이에 이용할 경우 이점은? 기존의 청색 LED 칩과 산화물, 질화물 계의 무기형광체를 이용하는 경우는 발광 파장이 상당히 Broad 하게 나타나지만, 양자점 형광체를 이용하면 Sharp 한 파장 영역을 얻을 수 있다. 이와 같은 특성 때문에 color filter 보다 좁은 영역을 갖는 Red, Green, Blue spectrum 형성이 가능해져 LCD TV의 색 재현성을 NTSC 100% 수준으로 끌어올릴 수 있게 된다.
바코팅에서 박막의 두께를 결정하는 요인은? 바코팅 공정은 소량의 코팅액을 사용하여 대면적에고속으로 균일한 박막을 제조할 수 있다. 바코팅에서 박막의 두께는 코팅액의 농도와 코팅바에 감겨있는 와이어의 두께 등에 의해 결정이 된다. 본 연구에서는 제조된 Quantum dot/PMMA 하이브리드 졸 용액을 120μm의 박막을 형성할 수 있는 코팅바를(TORAY, XU-42) 이용하여 poly ethylene terephthalate(PET) film 위에 바코팅하였다.
양자점의 입자 크기에 따라 빛의 파장은 어떻게 달라지는가? [4~8] 양자점은 수나노 크기의 결정 구조를 갖는 물질로 양자제한 (quantum confinement) 효과를 나타내는 물질이며, 같은 물질의 경우에도 입자 크기에 따라 파장이 달라지는 특성을 나타낸다. 양자점의 크기를 조절하면 입사되는 광을 파장 변환하여 출력할 수 있는데, 양자점의 크기 (직경)가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 발광하고 양자 점의 크기가 커질수록 긴 파장의 빛을 발광한다.
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참고문헌 (8)

  1. Y. Li, A. Rizzo, R. Cingolani, and G. Gigli, "Bright White-Light-Emitting Device from Ternary Nanocrystal Composites," Adv. Mater., vol.18, no.19, pp.2545-2548, 2006. 

  2. J. Lim, S. Jun, E. Jang, H. Baik, H. Kim, and J. Cho, "Preparation of Highly Luminescent Nanocrystals and Their Application to Light-Emitting Diodes," Adv. Mater., vol.19, no.15, pp.1927-1932, 2007. 

  3. W. K. Bae, J. Kwak, J. W. Park, K. Char, C. Lee, and S. Lee, "Highly Efficient Green-Light-Emitting Diodes Based on CdSe@ZnS Quantum Dots with a Chemical-Composition Gradient," Adv. Mater., vol.21, no.17, pp.1690-1694, 2009. 

  4. J.W. Kim, J. E. Oh,S. C. Hong, "Studies on long-wavelength infrared detector using multiple stacked InAs Quantum dot Layers, 대한전자공학회논문지, 제37권, SD편, 제8호, pp. 42-47, 2000 

  5. P. O. Anikeeva, J. E. Halpert, M. G. Bawendi, and V. Bulovic, "Quantum Dot Light-Emitting Devices with Electroluminescence Tunable over the Entire Visible Spectrum," Nano Lett., vol.9, no.7, pp.2532-2536, 2009. 

  6. E. Jang, S. Jun, H. Jang, J. Lim, B. Kim, and Y. Kim, "White-Light-Emitting Diodes with Quantum Dot Color Converters for Display Backlights," Adv. Mater., vol.22, no.28, pp.3076-3080, 2010. 

  7. K. Kim, J. Y. Woo, S. Jeong, and C.S. Han, "Photoenhancement of a Quantum Dot Nanocomposite via UV Annealing and Its Application to White LEDs," Adv. Mater., vol.23, no.7, pp.911-914, 2011. 

  8. J. Y. Woo, J. Lee, H. Lee, N. Lee, J. H. Oh, Y. R. Do, and C. S. Han, "Visible cathodoluminescence of quantum dot films by direct irradiation of electron beam and its materialization as a field emission device", OPTICS EXPRESS, vol. 21, no. 10, pp.12519-12516, 2013 

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