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NTIS 바로가기한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.24 no.4, 2014년, pp.135 - 139
박재화 (한양대학교 신소재공학과) , 홍윤표 (한양대학교 신소재공학과) , 박철우 (한양대학교 신소재공학과) , 김현미 (한양대학교 신소재공학과) , 오동근 (한양대학교 신소재공학과) , 최봉근 (한양대학교 신소재공학과) , 이성국 (유니모포트론) , 심광보 (한양대학교 신소재공학과)
The hydride vapor phase epitaxy (HVPE) grown GaN samples to precisely measure the surface characteristics was applied to a molten KOH/NaOH wet chemical etching. The etching rate by molten KOH/NaOH wet chemical etching method was slower than that by conventional etching methods, such as phosphoric an...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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III-Nitride계 화합물 반도체는 어떤 특성을 갖는가? | GaN와 같은 III-Nitride계 화합물 반도체는 직접 천이 형 금지대 폭을 가지고 있고, 청록색에서 자외선 파장 영역에 걸쳐 bandgap engineering이 용이하며 III-족 화합물 반도체에 비하여 고온에서 구조적으로 안정하여 laser diode(LD)나 light emitting diode(LED)와 같은 광소자뿐만 아니라 고온고출력 전자 소자로의 응용으로도 많은 관심을 받아오고 있다[1, 2]. 이처럼 GaN 재료를 기본으로 한 소자의 성공적인 제조를 위해서는 고품 질의 에피성장을 위한 능력이 요구된다. | |
원자힘현미경과 같은 방법의 단점은? | 주로, 원자힘현미경(AFM, atomic force microscopes)과 같은 다른 방법들은 넓은 면적에서 전위밀도를 얻기 위해 응용되고 있다. 그러나 이들 방법은 측정하기 전에 정밀한 시편표면의 사전 처리가 필요하며, 측정방법이 매우 어렵다는 단점을 가지고 있다[7, 8]. GaN 단결정 내 전위 특성은 전위의 미세구조를 관찰하는데 매우 유용한 투과 전자 현미경(TEM, transmission electron microscopy), HR-XRD(high resolution X-ray diffraction)를 통해 수행해 오고 있으나, 좁은 영역 관찰로 인해 전위 수를 관찰하기 어렵고, 정확성이 떨어진다는 단점과 이 과정 역시 아주 복잡하고 정밀한 시편 제작이 요구된다는 문제점을 가지고 있다[6]. | |
GaN 에피층을 이종에피성장하는 이유는? | 동종에피성장 (homoepitaxy)은 고품질의 GaN 단결정 성장을 위한 가장 효율적인 방법이다. 하지만, GaN 단결정 기판 제조의 어려움 때문에 GaN 에피층은 일반적으로 sapphire, SiC, ZnO 및 LiGaO2 기판을 이용한 이종에피성장 (heteroepitaxy)을 하게 되는데, 이때 기판과 GaN 단결정 사이의 격자 불일치와 열팽창계수 차이에 의해 GaN 에피층에는 108 ~1010 cm−2 정도의 높은 전위밀도가 존재하게 된다[3-5]. 이러한 결함들은 재료의 전기적 그리고 광학적 특성을 크게 저하시키게 된다. |
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