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반응성 잉크젯 인쇄 기술 개발 원문보기

인포메이션 디스플레이 = Information display, v.15 no.4, 2014년, pp.12 - 19  

김국주 (KAIST 전기및전자공학과) ,  안성일 (신라대 에너지응용화학과) ,  최경철 (KAIST 전기및전자공학과)

초록이 없습니다.

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문제 정의

  • 실제로 금속 배선의 인쇄는 값비싼 금속 나노입자 잉크를 통해 이루어지고 있고, 반도체와 절연체 재료 들은 인쇄를 위한 잉크화 연구가 선행적으로 이루어져야 한다. 본 기술특집 기사에서는 언급된 기존 잉크젯 인쇄 기술의 문제점들을 극복하기 위해 제안된 반응성 잉크젯 인쇄 기술의 원리와 적용 사례, 향후 산업 적용 가능성에 대해서 알아보고자 한다.
  • 따라서 노즐 막힘 문제를 해결할 수 있으며, 또한, 기존에 인쇄할 수 없었던 재료들을 그 전구체(precursor) 등의 인쇄를 통해 기판에서 직접 합성하여 얻을 수 있으므로 적용분야가 획기적으로 넓어질 것으로 기대된다. 실제로 그동안 반응성 잉크젯 인쇄 기술은 다양한 전자재료 인쇄에 적용되어왔으며, 대표적으로 ZnS:Mn 나노형광체, OLED 재료인 PVK, 그리고 전극으로 활용할 수 있는 Cu와 그래핀(graphene)을 인쇄한 사례를 아래에서 소개하고자 한다.
  • 한편, 반응성 잉크젯 기술을 통해 ZnS:Mn이 합성되는 과정에서 잉크에 포함된 poly-vinyl-pyrrolidone (PVP)의 양이 형광체의 특성에 어떻게 영향을 미치는지도 연구되었다. 그림 4에 보이는 바와 같이, PVP의 양이 변하면 ZnS:Mn 형광체의 발광 스펙트럼도 변하게 되는데, PVP의 양이 늘어날수록 오렌지 빛깔에 해당하는 597nm 대역의 발광은 줄어들고, 반대로 파란색에 해당하는 441nm 대역의 발광은 증가하는 것을 알 수 있다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
인쇄전자 기술이란? 인쇄전자 기술은 기존의 반도체, 디스플레이 등의 분야에서 진공증착과 노광 및 에칭공정으로 이루어졌던 패턴 박막 제조공정과 달리, 다양한 기능성 전자소재 잉크를 필요한 부분에만 인쇄하여 각종 전자소자를 생산 하는 기술을 말한다. 기존의 공정 기술에 비해 설비 투자비를 대폭 절감할 수 있고, 재료 낭비와 화학 폐기물을 줄일 수 있으며, 다양한 형태의 기판에 대면적으로 제작할 수 있기 때문에 전 세계적으로 주목받고 있다.
인쇄 공정 기술의 접촉식과 비접촉식에 대해 설명하시오. 인쇄 공정 기술은 크게 접촉식과 비접촉식으로 나뉜다. 접촉식은 그라비어(gravure) 인쇄, 오프셋(offset) 인쇄 등이 있고, 비접촉식은 잉크젯 인쇄와 에어로졸 인쇄 등이 있다. 대표적 비접촉식 인쇄 기법인 잉크젯 인쇄 기술은 다양한 전자소재 잉크를 방울의 형태로 노즐에서 토출시켜 기판에 인쇄하는 방식이다. 인쇄 헤드 (print head)에서 방울을 형성하는 방식에 따라 열 (thermal) 잉크젯 방식과 피에조(piezoelectric) 잉크젯 방식으로 나뉜다.
인쇄 공정 기술은 어떻게 나뉘는가? 인쇄 공정 기술은 크게 접촉식과 비접촉식으로 나뉜다. 접촉식은 그라비어(gravure) 인쇄, 오프셋(offset) 인쇄 등이 있고, 비접촉식은 잉크젯 인쇄와 에어로졸 인쇄 등이 있다.
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참고문헌 (14)

  1. K. Kim, S. I. Ahn, and K. C. Choi, Carbon 66, 172 (2014). 

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  4. W. G. Becker and A. J. Bard, J. Phys. Chem. 87, 4888 (1983). 

  5. S. I. Ahn, W. K. Kim, S. H. Ryu, K. J. Kim, S. E. Lee, S.-H. Kim, J.-C. Park, and K. C. Choi, Org. Electron. 13, 980 (2012). 

  6. B. K. Park, D. Kim, S. Jeong, J. Moon, and J. S. Kim, Thin Solid Films 515, 7706 (2007). 

  7. K. Kim, S. I. Ahn, and K. C. Choi, Curr. Appl. Phys. 13, 1870 (2013). 

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  9. S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. Xu, J.-S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. R. Kim, Y. I. Song, Y.-J. Kim, K. S. Kim, B. Ozyilmaz, J.-H. Ahn, B. H. Hong, and S. Iijima, Nat. Nanotechnol. 5, 574 (2010). 

  10. C. Lee, X. Wei, J. W. Kysar, and J. Hone, Science 18, 385 (2008). 

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  12. K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J.-H. Ahn, P. Kim, J.-Y. Choi, and B. H. Hong, Nature 457, 706 (2009). 

  13. J. Bai, X. Zhong, S. Jiang, Y. Huang, and X. Duan, Nat. Nanotechnol. 5, 190 (2010). 

  14. K.-Y. Shin, J.-Y. Hong, and J. Jang, Chem. Commun. 47, 8527 (2011). 

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