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[국내논문] DMAB첨가량에 따른 연성회로기판을 위한 무전해 Ni 도금박막에 관한 연구
DMAB Effects in Electroless Ni Plating for Flexible Printed Circuit Board 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.24 no.11, 2014년, pp.632 - 638  

김형철 (한밭대학교 재료공학과) ,  나사균 (한밭대학교 재료공학과) ,  이연승 (한밭대학교 정보통신공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We investigated the effects of DMAB (Borane dimethylamine complex, C2H10BN) in electroless Ni-B film with addition of DMAB as reducing agent for electroless Ni plating. The electroless Ni-B films were formed by electroless plating of near neutral pH (pH 6.5 and pH 7) at $50^{\circ}C$. The...

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AI 본문요약
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문제 정의

  • 일반적으로, XRD측정 시 fcc Ni 회절피크와 fcc Ag의 회절피크가 근접하여 있어, XRD측정 시 기판의Ag 의 피크에 Ni의 피크가 겹쳐져 분석하기 어렵다. 따라서, 본 연구에서는 XRD 분석을 위하여 구리(Copper: Cu) foil 위에 성장시킨 무전해 Ni-B도금박막에 대하여 측정하였다. Fig.
  • 본 연구에서는 중성근처(pH 6.5와 pH 7)에서 연성회로기판 위에 무전해 도금방법으로 형성된 Ni-B 박막에 관한 연구를 진행하였다. Ni의 환원제로 사용되는 DMAB 의 첨가량을 조절(0~1 mole)하여 50 ℃ 에서 도금된 NiB박막의 특성에 대해 분석하였다.

가설 설정

  • % 이상 포함되었을 때, 비정질 구조를 가진다.18) 본 연구의 중성근처에서 무전해 Ni-B 도금 박막은 B의 함량이 낮음에도 불구하고 거의 비정질 구조를 가지고 있다. 더군다나, DMAB를 추가로 첨가하지 않은(0 mole 의 DMAB) 시료에서도 XPS결과 1 at.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
Ni 도금박막의 특성은? 니켈(Nickel: Ni) 도금박막은 비교적 비저항이 낮고 내식성, 내마모성, 화학적 안정성이 우수한 것으로 알려져 있다. 6) 기존에는 무전해 도금시, Ni 도금박막의 안정성, 광택 등을 향상시키기 위하여, 첨가제로 납(Lead: Pb)과카드뮴(Cadmium: Cd)을 이용하였다.
금속화 공정 중 무전해 도금법의 장점은? 1,2) 하지만 소자의 고집적화와 패턴의 미세화, aspec-ratio가 높아짐에 따라 기존 공정이 한계에 다다랐고, 이를 극복하기 위한 전해 도금법과 무전해 도금법에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 무전해 도금은 외부로부터의 전력 공급 없이 용액 내 이온들의 산화-환원 반응을 이용하며 도체 및 부도체 기판에 모두 금속 형성이 가능하며, 뛰어난 solderability, 저 비용, 우수한 균일 증착성 등의 장점을 갖고 있기 때문에 각종 산업에 적용하기 위한 많은 연구가 진행되어 왔다. 3-5)
Ni-B 무전해 도금박막의 장점은? 반도체, 전자기기, 전자부품 등의 전자관련 산업에 있어, 제품원가가 저렴한 무전해 Ni-P 박막이 대부분을 차지하고 있고, 보다 특성이 향상된 Ni 도금박막을 요구함에 따라, Ni-B 도금 박막에 대한 연구가 진행되고 있다. 일반적으로 Ni-B 무전해 도금박막은 비 정질성 피막으로 기판 표면의 형태에 관계없이 균일한 막을 형성시킬 뿐 아니라 도금박막의 내식성이 우수하고 열안정성이 좋아 1000 oC 정도의 고온에서 사용 가능하여 반도체, 전자기기 등 전자관련 산업분야 및 대체도금 분야에 널리 이용되고 있다. 또한 밀착성, 전기전도성, 열안정성 등이 우수하여 PCB 회로기판, 세라믹 콘덴서, 프린터 등 전자부품산업, 전자기기 산업에 유용하게 이용되고 있다.
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참고문헌 (18)

  1. J. W. Yoon, M. K. Ko, B. I. Noh and S. B. Jung, Microelectron. Reliab., 53(12), 2036 (2013). 

  2. S. E. Huang and W. P. Dow, Microsystems Packaging Assembly and Circuits technology Conference (IMPACT, Taipei), 1-4 (2010). 

  3. S. H. Park and D. N. Lee, J. Mater. Sci., 23(5), 1643 (1988). 

  4. Y. R. Cho, Y. S. Lee and S. K. Rha, J. Kor. Mater. Res., 23(11), 661 (2013). 

  5. Karthikeyan and B. Ramamoorthy, Surf. Sci., 307, 654 (2014). 

  6. David A. Hutt, Changqing Liu, Paul P. Conway, David C. Whalley and Samjid H. Mannan, IEEE Trans. Compon. Packag. Technol., 25(1), 87 (2002). 

  7. T. S. N. Sankara Narayanan, K. Krishnaveni and S. K. Seshadri, Mater. Chem. Phys., 82(3), 771 (2003). 

  8. I. Baskaran, R. Sakthi Kumar, T.S.N. Sankara Narayanan and A. Stephen, J. Coat. Technol. Res., 200(24), 6888 (2006). 

  9. S. Kalyan Das and P. Sahoo, Adv. Mechanic. Eng., 2012, Article ID 703168,11 page (2012). 

  10. F. Delaunois, J. P. Petitjean, P. Lienard and M. Jacob-Duliere, Surf. Coat. Technol., 124, 201 (2000). 

  11. H. Ogihara, K. Udagawa and T. Saji, Surf. Coat. Technol., 206, 2933 (2012). 

  12. K. Krishnaveni, T. S. N. Sankara Narayanan and S. K. Seshadri, Surf. Coat. Technol., 190(1), 115 (2005). 

  13. I. Baskaran, R. Sakthi Kumar, T. S. N. Sankara Narayanan and A. Stephen, Surf. Coat. Technol., 200(24), 6888 (2006). 

  14. C. R. Lee, H. D. Park, S. G. Kang, J. Kor. Inst. Surf. Eng., 32, 172(1999). 

  15. S. S. Noh, M. Thesis (in Korean), Hanbat University, Daejon (2013). 

  16. L. Tarkowski, P. Indyka and E. Be towska-Lehman, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., 284, 40 (2012). 

  17. J. Shao, X. Xiao, X. Fan, L. Chen, H. Zhu, S. Yu, Z. Gong, S. Li, H. Ge and Q. Wang, Mater. Lett., 109, 203 (2013). 

  18. M. Tsujimura, H. Inoue, H. Ezawa, M. Miyata and M. Ota, Mater. Trans., 43(7), 1615 (2002). 

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