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Anti-reflective (AR) thin film was fabricated on a glass substrate by sol-gel method. The coating solution was synthesized with TEOS (tetraethlyorthosilicate) and poly ethylene glycol (PEG, 4.0 wt%). As the withdrawal speed of coating was changed from 0.1 mm/sec to 0.3 mm/sec, the thickness and refr...

주제어

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문제 정의

  • 본 실험에서는 TEOS sol에 PEG를 첨가 후, 코팅막을 열처리하여 PEG가 열분해 됨에 따라 다공성 구조를 갖는 반사 방지막을 제조하였다. 그래서 우선 PEG가 함유한 코팅액 열분해 특성을 확인해 보았다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
dip-coating법이란? 일반적인 wet process를 이용한 반사 방지막 제조법에는 sol-gel, dip, spin, spray coating, CBD(chemical bath deposition), LPD(liquid phase deposition)법, LBL(layer-by-layer)법이 있다[5-10]. 다양한 습식 공정법 중 하나인 dip-coating법은 코팅기판을 용액에 담근후 인상하는 속도, 용액의 점성을 이용하여 막의 두께를 제어하여 박막을 제조하는 기술이다. 이는 박막 제조 공정이 간단하며 나노 스케일로 막 두께를 제어하기 쉬운 장점을 갖고 있다[11].
고가의 건식법을 사용했을때 단점은? 현재 적용되고 있는 반사방지 필름은 다층박막 코팅 필름으로써 반사 방지막을 제조하기 위해 고가의 건식법을 이용하여 코팅한다. 이러한 방법은 생산단가와 박막의 내구성 및 신뢰성에 문제점을 가지고 있다[4]. 이런 문제점을 해결하기 위해 저굴절률을 갖는 단층 코팅 반사방지 필름에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다.
wet process를 이용한 반사 방지막 제조법은? 대면적으로 제작하기 위해서는 wet process와 같은 대면적 공정을 이용하여 제작하는 것이 필요하다. 일반적인 wet process를 이용한 반사 방지막 제조법에는 sol-gel, dip, spin, spray coating, CBD(chemical bath deposition), LPD(liquid phase deposition)법, LBL(layer-by-layer)법이 있다[5-10]. 다양한 습식 공정법 중 하나인 dip-coating법은 코팅기판을 용액에 담근후 인상하는 속도, 용액의 점성을 이용하여 막의 두께를 제어하여 박막을 제조하는 기술이다.
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참고문헌 (14)

  1. D. Bouhafs, A. Moussi, A. Chikouche, and J. M. Ruiz, Sol. Energy Mater. Solar Cells, 52, 79 (1998). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/S0927-0248(97)00273-0] 

  2. A. Combert, W. Glaubitt, K. Rose, J. Dreibholz, B. Blasi, A. Heinzel, D. Sporn, W. Doll, and V. Witter, Solar Cells, 63, 357 (2000). 

  3. M. C. Bautista and A. Morales, Sol. Energy Mater. Solar Cells, 80, 217 (2003). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2003.06.004] 

  4. C. J. Brinker and G. W. Scherer, Sol-Gel Science (Academic Press, Lodon, 1990). 

  5. P. Chrysicopoulou, D. Davazoglou, Chr. Trapalis, and G. Kordas, Thin Solid Films, 323, 188 (1998). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/S0040-6090(97)01018-3] 

  6. M. Takeuchi, T. Itoh, and H. Nagasaka, Thin Solids Films, 51, 83 (1978). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/0040-6090(78)90215-8] 

  7. K. S. Yeung and Y. W. Lam, Thin Solids Films, 109, 169 (1983). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/0040-6090(83)90136-0] 

  8. J. H. Kim and S. Shiratori, J. Appl. Phys., 44, 7588 (2005). [DOI: http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.44.7588] 

  9. Y. Tsuge, J. H. Kim, Y. Sone, O. Kuwaki, and S. Shiratori, Thin Solid Films, 516, 2463 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.04.084] 

  10. H. J. Kim, K. J. Jeong, and D. S. Bae. J. Mater. Res., 22, 249 (2012). 

  11. G. Decher, J. D. Hong, and J. Schmitt, Thin Soild Films, 831, 210/211 (1992). 

  12. B. A. Moys, Thin Solid Films, 21, 145 (1974). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/0040-6090(74)90097-2] 

  13. C. Martinet, V. Paillard, A. Gagnaire, and J. Joseph, J. Non-Cryst. Solids, 216, 77 (1997). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/S0022-3093(97)00175-0] 

  14. J. Zhao and M. A. Green, IEEE Trans. Electron Dev., 38, 1925 (1991). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/16.119035] 

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