[논문]구리 플레이크의 무전해 은도금에서 암모늄계 구리 전처리 용액의 적용법

김지환; 이종현

doi:10.6117/kmeps.2015.22.4.057

구리 플레이크의 무전해 은도금에서 암모늄계 구리 전처리 용액의 적용법
A Method for Application of Ammonium-based Pretreatment Solution in Preparation of Copper Flakes Coated by Electroless Ag Plating 원문보기

마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society, v.22 no.4, 2015년, pp.57 - 63

김지환 (서울과학기술대학교 신소재공학과) , 이종현 (서울과학기술대학교 신소재공학과)

초록
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내산화 특성을 가지는 저가격 도전성 필러 소재로의 적용을 위해 Ag 코팅 Cu 플레이크의 제조를 수행하면서 Cu 플레이크 표면의 산화층 제거를 위한 암모니아수 기반 전처리 용액의 적용법에 따른 영향을 분석해 보았다. 1회 전처리법 적용 시 전처리 시간이 2분을 초과하면서 플레이크 표면에서 홀 형태의 결함들이 생성되었으며, 유지시간에 비례하면서 그 개수와 크기가 점차 증가하였다. 또한 2분간의 전처리 후 Ag 도금 용액을 투입한 결과 도금 반응 중에 결함 발생이 다시 진행되어 플레이크 입자의 손상을 막을 수 없었다. 이에 비해 2분간의 1차 전처리 후 전처리 용액을 제거하고 저농도의 전처리 용액을 투입하여 2차 전처리를 실시하면서 Ag 도금 용액을 투입한 공정법에서는 상기 결함의 발생 빈도를 크게 줄일 수 있었다. 그 결과 1회 전처리법으로 제조된 15 wt% Ag 코팅 Cu 시료의 경우 약 $166^{\circ}C$의 온도부터 산화가 시작되었지만, 2회 전처리법으로 제조된 시료는 약 $224^{\circ}C$에서 산화가 시작되어 월등히 향상된 내산화 특성을 나타내었다.

Abstract ▼ AI-Helper

In order to prepare a low-cost conductive filler material possessing improved anti-oxidation property, Ag-coated Cu flakes were fabricated and the effects of an applying method of ammonium-based pretreatment solution on the Cu flakes were analyzed. The pretreatment solution was used to remove the surface oxide layer on Cu flake. During a single-stage pretreatment process, hole-shaped defects were formed on the flake surface during the pretreatment after 2 min, and the number and size increased in proportion to the pretreatment time. In the case that Ag plating solution was injected in the pretreatment solution after the pretreatment for 2 min, the defects were also formed during Ag plating. In contrast, the defects tremendous decreased in the case that the pretreatment solution was removed after the first pretreatment for 2 min and the Ag plating proceeded after the second pretratment using a low concentration pretreatment solution. As the final result, the 15 wt% Ag-coated Cu flake sample which was fabricated using the single-stage pretreatment oxidized at $166^{\circ}C$, but the sample fabricated by the double-stage pretreatment oxidized at $224^{\circ}C$, indicating definitely improved anti-oxidation property.

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

그러나 현재까지 자의 독자적인 제조법 내에서 몇몇 공정변수의 변화에 따른 입자 특성의 변화만이 보고되어^9,11) Cu 입자 표면의 산화층 제거를 위한 전처리 조건과 같이 Ag 코팅 Cu 입자의 제조 품질에 지대한 영향을 미치는 공정변수의 영향에 대한 보고는 매우 부족한 상황이다.¹³⁾ 따라서 본 연구에서는 가장 일반적으로 보고되고 있는 암모니아수 기반의 전처리 용액을 가해주는 방법에 따라 변화되는 Ag 코팅 Cu 플레이크 입자의 품질 변화를 분석하고 제조된 코어-쉘 플레이크 입자의 내산화 특성 변화를 분석하고자 하였다. 기존 보고에서 본 연구의 동기가 되는 2회 전처리법의 우수성이 이미 보고된 바 있으나, 최종 결과물로 제시된 Ag 코팅 Cu 플레이크 시료에서 홀(hole) 형태의 결함들이 빈번히 관찰되는 문제가 있었다.
기존 보고에서 본 연구의 동기가 되는 2회 전처리법의 우수성이 이미 보고된 바 있으나, 최종 결과물로 제시된 Ag 코팅 Cu 플레이크 시료에서 홀(hole) 형태의 결함들이 빈번히 관찰되는 문제가 있었다.¹³⁾ 이에 비해 본 연구에서는 두 번째 전처리 과정에서 전처리 용액의 농도를 변화시켜 최종 제조 시료에서 홀 형태 결함의 생성을 최소화하고자 하였다.

제안 방법

1회 전처리 공정을 통한 Ag 코팅 Cu 플레이크의 제조공정에서 관찰되는 플레이크 표면에서의 결함들과 불규칙한 Ag 코팅의 문제점을 해결하고자 1차 전처리 용액으로는 2분간만 전처리를 실시하고, 이후 1회 전처리된 플레이크를 증류수로 세척한 다음 상대적으로 농도가 낮은 전처리 용액으로 두 번째 전처리를 실시하면서 Ag 도금을 실시하는 2회 전처리법 적용 Ag 코팅 Cu 플레이크의 제조 공정을 실시해 보았다. 이러한 2회 전처리법은 첫번째 전처리 단계에서 상대적으로 두꺼운 Cu 산화층까지도 전체적으로 제거한 다음 두번째 전처리 단계에서는 약한 전처리 용액으로 이후 세척 단계 등에서 생성되는 초기의 얇은 산화층을 제거하면서 바로 Ag 무전해 도금액의 투입하여 플레이크에서의 결함 생성을 최소화하면서 Ag 코팅을 수행하고자 한 공정법이다.
또한 Ag 코팅 Cu 플레이크에서의 코팅층을 단면으로 관찰하기 위하여 투과전자현미경(transmission electron microscope, TEM, Tecnai 20, FEI Company) 촬영을 실시하였다. Ag 코팅 Cu 플레이크 TEM 시편의 단면 가공을 위하여 집속 이온빔(focused ion beam, FIB, Quanta 200 3D, FEI Company) 가공을 실시하였는데, FIB 작업 중 이온빔에 의해 시편이 손상되는 현상을 줄이기 위해서 유기 박막과 Pt 박막을 시편 표면에 코팅 한 후 FIB를 실시하는 방법으로 TEM 시편을 제조하였다. 마지막으로 제조 Ag 코팅 Cu 플레이크의 내산화 특성을 확인하기 위해 열중량-시차주사열량계(thermo gravimetry-differential scanning calorimetry, TGDSC, Q600, TA Instruments) 분석을 수행하여 승온에 따른 발열 및 무게 증가 형상을 검출하고자 하였다.
Ag 코팅 Cu 플레이크의 제조를 위하여 Cu 입자 표면의 산화층 제거를 위한 전처리 조건의 영향을 평가하고자 암모니아수 기반의 전처리 용액을 사용한 1회 또는 2회 전처리 실험을 실시하였다. 1회 전처리용 용액 사용시 전처리 시간이 2분부터 20분까지 증가함에 따라 홀 형태 결함들의 개수와 크기가 점차 증가하는 경향이 관찰되어 최적 전처리 시간이 2분으로 설정되었다.
상기 silver nitrate 양은 향후 Ag 코팅 Cu 플레이크 제조 시 15 wt%에 해당되는 Ag가 생성될 수 있도록 설계되었다. Ag 코팅의 균일성 향상을 위하여 지속적인 교반 아래서 환원 도금반응이 진행되었으며, 반응시간은 최대 20분까지 실시하였다.
Ag가 코팅된 Cu 플레이크의 표면 미세구조를 관찰하기 위해 10 kV의 가속전압을 사용한 주사전자현미경(scanning electron microscope, SEM, VEGA3, Tescan) 관찰을 실시하였으며, Ag의 환원여부와 도금과정에서의 산화여부를 확인하기 위해 X선 회절(X-ray diffraction, XRD, X’pert MPD, Philips) 분석을 실시하였다.
Ag가 코팅된 Cu 플레이크의 표면 미세구조를 관찰하기 위해 10 kV의 가속전압을 사용한 주사전자현미경(scanning electron microscope, SEM, VEGA3, Tescan) 관찰을 실시하였으며, Ag의 환원여부와 도금과정에서의 산화여부를 확인하기 위해 X선 회절(X-ray diffraction, XRD, X’pert MPD, Philips) 분석을 실시하였다. 또한 Ag 코팅 Cu 플레이크에서의 코팅층을 단면으로 관찰하기 위하여 투과전자현미경(transmission electron microscope, TEM, Tecnai 20, FEI Company) 촬영을 실시하였다. Ag 코팅 Cu 플레이크 TEM 시편의 단면 가공을 위하여 집속 이온빔(focused ion beam, FIB, Quanta 200 3D, FEI Company) 가공을 실시하였는데, FIB 작업 중 이온빔에 의해 시편이 손상되는 현상을 줄이기 위해서 유기 박막과 Pt 박막을 시편 표면에 코팅 한 후 FIB를 실시하는 방법으로 TEM 시편을 제조하였다.
Ag 코팅 Cu 플레이크 TEM 시편의 단면 가공을 위하여 집속 이온빔(focused ion beam, FIB, Quanta 200 3D, FEI Company) 가공을 실시하였는데, FIB 작업 중 이온빔에 의해 시편이 손상되는 현상을 줄이기 위해서 유기 박막과 Pt 박막을 시편 표면에 코팅 한 후 FIB를 실시하는 방법으로 TEM 시편을 제조하였다. 마지막으로 제조 Ag 코팅 Cu 플레이크의 내산화 특성을 확인하기 위해 열중량-시차주사열량계(thermo gravimetry-differential scanning calorimetry, TGDSC, Q600, TA Instruments) 분석을 수행하여 승온에 따른 발열 및 무게 증가 형상을 검출하고자 하였다. 이때 적용된 승온속도는 10ºC/min이었다.
본 연구에서는 Ag 코팅 Cu 플레이크의 제조를 위한 Cu 플레이크의 전처리 공정을 주요 공정변수로 설정하여 실험을 실시하였다. 즉, 본 연구에서 실시된 전처리 공정은 크게 1회 전처리법과 2회 전처리법으로 구분되어 수행되었다.
8%)를 용해시킨 Ag 도금 용액을 방울 상태로 1분간 연속 투입하였다. 상기 silver nitrate 양은 향후 Ag 코팅 Cu 플레이크 제조 시 15 wt%에 해당되는 Ag가 생성될 수 있도록 설계되었다. Ag 코팅의 균일성 향상을 위하여 지속적인 교반 아래서 환원 도금반응이 진행되었으며, 반응시간은 최대 20분까지 실시하였다.
교반이 완료되면 증류수를 이용하여 사용된 전처리 용액을 모두 씻어낸 후 농도가 앞서 전처리 용액 대비 1/4 수준으로 약화된 새로운 전처리 용액을 준비한 다음 1회 전처리된 Cu 플레이크에 투입하여 2 분간 교반하였다. 새로운 전처리 용액은 100 mL의 증류수에 0.0375 M의 ammonium hydroxide, 9.375 mM의 ammonium sulfate, 그리고 0.04 M의 L-ascorbic acid를 용해시켜 제조하였다. 이후 1회 전처리 공정에서와 동일한 Ag 코팅 용액을 방울 상태로 1분간 연속 투입하여 Ag 코팅 Cu 플레이크를 제조하였으며, 반응시간은 최대 20분까지 실시하였다.
앞서 서술된 것처럼 1회 전처리 공정을 일정시간 이상으로 수행할 경우 Cu 플레이크의 손상이 야기되어 최종적으로 제조될 Ag 코팅 Cu 플레이크의 품질을 크게 저하시키게 되는 바, Cu 플레이크의 손상이 일어나지 않는 전처리 시간(2분)까지만 전처리를 실시한 후 Ag 도금 용액을 투입해 보았다. Fig.
04 M의 L-ascorbic acid를 용해시켜 제조하였다. 이후 1회 전처리 공정에서와 동일한 Ag 코팅 용액을 방울 상태로 1분간 연속 투입하여 Ag 코팅 Cu 플레이크를 제조하였으며, 반응시간은 최대 20분까지 실시하였다. 이상의 모든 과정은 상온의 대기분위기에서 실시되었다.
이후 250 rpm의 속도로 용액을 교반시키며 2 분간 Cu 플레이크를 전처리시킨 다음 5 mL의 ammonium hydroxide에 0.856 g의 silver nitrate (AgNO3, Daejung Chemicals & Metals Co. Ltd, >99.8%)를 용해시킨 Ag 도금 용액을 방울 상태로 1분간 연속 투입하였다.
본 연구에서는 Ag 코팅 Cu 플레이크의 제조를 위한 Cu 플레이크의 전처리 공정을 주요 공정변수로 설정하여 실험을 실시하였다. 즉, 본 연구에서 실시된 전처리 공정은 크게 1회 전처리법과 2회 전처리법으로 구분되어 수행되었다.

대상 데이터

코팅 반응이 모두 끝난 후에는 불순물이 최소화된 Ag 코팅 Cu 플레이크를 회수하기 위하여 Ag 코팅 Cu 플레이크를 일정시간 가라앉히고 상층액을 부어낸 후 증류수를 채우고 1분간 초음파 처리를 실시하여 다시 가라앉히는 과정을 4회 반복하였다. 이후 Ag 코팅 Cu 플레이크를 함유하는 용액을 메탄올로 치환하고 상층 메탄올을 제거한 슬러리를 진공 챔버(chamber)에서 약 10시간 건조하여 건조된 분말을 획득하였다.
전처리 공정을 1회 수행할 때에는 500 mL 부피의 비이커(beaker)에 담긴 100 mL의 증류수에 0.15 M의 ammonium hydroxide (NH4OH, Sigma-Aldrich, 28.0~30.0% NH3 basis)와 0.0375 M의 ammonium sulfate [(NH4)2SO4, Sigma, >99%]를 용해시키고, 0.04 M의 L-ascorbic acid (C6H8O6, Sigma, ≥98%) 환원제를 투입, 용해시킨 용액에 3 g의 Cu 플레이크(Duksan Hi-Metal Co. Ltd., D50 = 4.9 μm)를 장입하였다.

성능/효과

(c)에서 알 수 있듯이 그 면간거리가 2.35 Å로 관찰되어 Ag의 (111)면에 해당됨을 확인할 수 있었고, 코팅층 부근의 제한시야 전자회절(selected-area electron diffraction, SAED) 패턴 분석을 통해서도 산화되지 않은 Cu와 더불어 Ag (111) 면이 관찰되어 Cu 산화층이 존재하지 않는 상태에서 Ag의 코팅이 진행되었음을 확인할 수 있었다.
Ag 코팅 Cu 플레이크의 제조를 위하여 Cu 입자 표면의 산화층 제거를 위한 전처리 조건의 영향을 평가하고자 암모니아수 기반의 전처리 용액을 사용한 1회 또는 2회 전처리 실험을 실시하였다. 1회 전처리용 용액 사용시 전처리 시간이 2분부터 20분까지 증가함에 따라 홀 형태 결함들의 개수와 크기가 점차 증가하는 경향이 관찰되어 최적 전처리 시간이 2분으로 설정되었다. 그러나 2분간의 전처리 후 Ag 도금 용액을 투입한 결과 도금 반응 중에 Cu 플레이크 입자에서의 결함 발생이 다시 진행되어 플레이크 입자의 손상을 막을 수 없었다.
그 결과 1회 전처리법으로 제조된 15 wt% Ag 코팅 Cu 플레이크 시료의 경우 대기 중 10ºC/min의 승온속도 기준에서 약 166ºC의 온도부터 산화가 시작되었지만, 2회 전처리법으로 제조된 시료는 약 224ºC에서 산화가 시작되어 월등히 향상된 내산화 특성을 가지는 것을 확인할 수 있었다.
3은 2분간의 전처리 공정 직후의 Cu 플레이크와 2분간의 1회 전처리 후 Ag 무전해 도금액을 투입하여 20분간 Ag 도금을 수행하였을 경우 획득된 15 wt% Ag 코팅 Cu 플레이크의 주사전자현미경 이미지이다. 그 결과 2분간의 전처리 공정까지는 Cu 플레이크의 손상이 관찰되지 않았음에도 불구하고 20분간 Ag 도금 후에는 홀 결함 형태의 손상이 광범위하게 관찰되었고, 그 홀 부위의 대부분은 이종물질로 채워져 있는 것을 관찰할 수 있었다. 따라서 1회 전처리 용액의 농도 조건에서는 Ag 도금 용액의 투입 후 20분간의 도금 시간동안에도 지속적으로 과도한 전처리 반응이 진행되어 앞서 Fig.
그 결과 전처리 공정을 1회 수행한 시료의 경우 166.05ºC의 산화 시작온도가, 전처리 공정을 2회 수행한 시료의 경우 223.73ºC의 산화 시작온도가 각각 측정되어 효과적인 Ag 코팅이 이루어진 경우 57ºC 이상이나 향상된 내산화 특성을 관찰할 수 있었다.
¹³⁾ 따라서 본 연구에서는 가장 일반적으로 보고되고 있는 암모니아수 기반의 전처리 용액을 가해주는 방법에 따라 변화되는 Ag 코팅 Cu 플레이크 입자의 품질 변화를 분석하고 제조된 코어-쉘 플레이크 입자의 내산화 특성 변화를 분석하고자 하였다. 기존 보고에서 본 연구의 동기가 되는 2회 전처리법의 우수성이 이미 보고된 바 있으나, 최종 결과물로 제시된 Ag 코팅 Cu 플레이크 시료에서 홀(hole) 형태의 결함들이 빈번히 관찰되는 문제가 있었다.¹³⁾ 이에 비해 본 연구에서는 두 번째 전처리 과정에서 전처리 용액의 농도를 변화시켜 최종 제조 시료에서 홀 형태 결함의 생성을 최소화하고자 하였다.
또한 이 과정에서 환원제 사용에 의한 균일 핵생성 및 성장 거동이 일부 발생하여 플레이크 표면 등에서 초미세 Ag 입자들이 다소 관찰되었으며, 일부 플레이크에서는 매우 작은 홀 형태의 결함이 극소수 생성되었음을 관찰할 수 있었다. 도금 시간이 증가할수록 입자들 표면은 평균적으로 더욱 거친 상태로 전이되었지만, 10분 이후로는 그 전이 정도가 미미해졌고 그 시점부근에서 초미세 Ag 입자들의 증가 경향도 포화되어 Ag의 환원 반응은 대부분 10분 이내에서 완료되는 것으로 분석되었다. 홀 형태의 결함도 10분 후로는 크게 증가하지 않았다.
승온이 진행됨에 따라 금속 입자에서 산화가 발생할 경우 발열피크의 생성과 더불어 입자의 무게 증가가 동시에 진행될 것이다. 따라서 TG-DSC 결과에서 발열과 무게증가가 동시에 일어나는 온도 지점을 산화 시작온도로 명명할 수 있는데, 다소 모호한 발열 피크 결과로 인하여 본 실험에서는 초기 무게대비 0.1%의 무게 증가가 관찰되는 시점을 산화 시작온도로 명명하였다. 그 결과 전처리 공정을 1회 수행한 시료의 경우 166.
또한 전처리 용액에 의해 Cu 플레이크가 손상되는 부분에서 Ag 도금반응과 관련된 이종물질의 침전반응이 일어나면서 그 부분이 전처리 용액에 의한 추가 손상을 억제시키는 바 대부분의 홀들이 완전히 뚫리지 않고 이종물질로 채워진 것처럼 관찰되는 것으로 파악되었다. 따라서 이러한 상태의 플레이크 입자들은 많은 결함들과 더불어 불균일한 Ag 코팅 특성이 예상되는 바 충분하지 않은 내산화 특성을 나타낼 것으로 예측되었다.
이에 비하여 2분간의 1차 전처리 후 고농도의 전처리 용액을 제거하고, 1/4 수준의 저농도 전처리 용액을 투입하여 2차 전처리를 실시하면서 Ag 도금을 실시하는 2회 전처리법 적용 시 플레이크에서 생성되는 결함의 발생 빈도를 크게 줄일 수 있었다. 또한 2회 전처리법으로 제조된 Ag 코팅 Cu 플레이크는 각 부분별로는 다른 Ag 코팅 두께를 나타내었지만, Cu 플레이크 표면에 전체적으로 Ag 코팅이 진행된 결과를 확인할 수 있었다. 그 결과 1회 전처리법으로 제조된 15 wt% Ag 코팅 Cu 플레이크 시료의 경우 대기 중 10ºC/min의 승온속도 기준에서 약 166ºC의 온도부터 산화가 시작되었지만, 2회 전처리법으로 제조된 시료는 약 224ºC에서 산화가 시작되어 월등히 향상된 내산화 특성을 가지는 것을 확인할 수 있었다.
4(b)]에도 플레이크의 표면이 거친 형태로 완전히 변화되어 Ag 도금이 이 시간동안 집중적으로 진행되었음을 예측할 수 있었다. 또한 이 과정에서 환원제 사용에 의한 균일 핵생성 및 성장 거동이 일부 발생하여 플레이크 표면 등에서 초미세 Ag 입자들이 다소 관찰되었으며, 일부 플레이크에서는 매우 작은 홀 형태의 결함이 극소수 생성되었음을 관찰할 수 있었다. 도금 시간이 증가할수록 입자들 표면은 평균적으로 더욱 거친 상태로 전이되었지만, 10분 이후로는 그 전이 정도가 미미해졌고 그 시점부근에서 초미세 Ag 입자들의 증가 경향도 포화되어 Ag의 환원 반응은 대부분 10분 이내에서 완료되는 것으로 분석되었다.
2(d)의 시료 중간 수준으로 Cu 플레이크 손상이 일어난 것으로 분석되었다. 또한 전처리 용액에 의해 Cu 플레이크가 손상되는 부분에서 Ag 도금반응과 관련된 이종물질의 침전반응이 일어나면서 그 부분이 전처리 용액에 의한 추가 손상을 억제시키는 바 대부분의 홀들이 완전히 뚫리지 않고 이종물질로 채워진 것처럼 관찰되는 것으로 파악되었다. 따라서 이러한 상태의 플레이크 입자들은 많은 결함들과 더불어 불균일한 Ag 코팅 특성이 예상되는 바 충분하지 않은 내산화 특성을 나타낼 것으로 예측되었다.
4(e) 시료]의 XRD 결과이다. 상대적으로 더욱 큰 세기(intensity)를 가지는 Cu 피크(peak) 외에 Ag 피크도 명확히 관찰되어 예상했던 환원 반응으로 Ag 상이 생성되었음을 확인할 수 있었다.
전처리 시간이 증가함에 따라 전처리 전에는 매끈하던 Cu 플레이크의 표면에서 홀 형태 결함들이 생성되고 그 개수와 크기가 점차 증가하였는데, 20분간 유지한 후에는 이러한 결함들이 매우 발달하여 플레이크의 외형이 완전히 파괴된 Cu 입자들도 관찰되었다. 이는 Cu 플레이크가 1회 전처리 공정에서 사용하는 높은 농도의 전처리 용액에 의해 산화층 제거가 이루어지는 과정에서 플레이크의 손상도 동시에 일어나고 있음을 보여주는데, 그 손상이 플레이크의 전면적에서 고르게 일어나지 않고 특정 부분에서만 집중적으로 일어남을 알 수 있었다.
^18-20) 즉, 전처리 공정을 1회 수행한 시료에서는 Ag 코팅층의 품질 문제로 산화가 발생하였으나, 전처리 공정을 2회 수행한 시료에서의 산화 발생 원인은 Ag 코팅층의 품질 문제가 아닌 것으로 해석되었다. 이상의 결과로부터 15 wt%의 동일한 Ag 코팅을 실시할 경우에서도 적절한 전처리 공정으로 홀 결함이 적어 보다 균일한 Ag 코팅이 이루어진 Cu 플레이크의 내산화 특성이 보다 우수한 것을 관찰할 수 있었다. 앞서 언급되었듯이 홀 결함 부위는 산화층의 제거가 지속적으로 일어났던 지점이기 때문에 다른 부분에 비해 은도금이 늦게 진행될 수 밖에 없기에 Ag 층의 생성되지 않았거나 그 두께가 매우 얇은 지점이 될 것이다.
홀 형태의 결함도 10분 후로는 크게 증가하지 않았다. 이상의 결과로부터 알 수 있듯이 2회 전처리공법에서는 두 번째 전처리 용액의 농도가 상대적으로 크게 낮았기 때문에 이후 20분간의 장시간 도금 시에도 1회 전처리 공법에 비해 홀 결함 발생 빈도는 크게 감소함을 관찰할 수 있었다.
그러나 2분간의 전처리 후 Ag 도금 용액을 투입한 결과 도금 반응 중에 Cu 플레이크 입자에서의 결함 발생이 다시 진행되어 플레이크 입자의 손상을 막을 수 없었다. 이에 비하여 2분간의 1차 전처리 후 고농도의 전처리 용액을 제거하고, 1/4 수준의 저농도 전처리 용액을 투입하여 2차 전처리를 실시하면서 Ag 도금을 실시하는 2회 전처리법 적용 시 플레이크에서 생성되는 결함의 발생 빈도를 크게 줄일 수 있었다. 또한 2회 전처리법으로 제조된 Ag 코팅 Cu 플레이크는 각 부분별로는 다른 Ag 코팅 두께를 나타내었지만, Cu 플레이크 표면에 전체적으로 Ag 코팅이 진행된 결과를 확인할 수 있었다.
Cu 입자 이미지는 입자들을 전처리 용액에 장입 및 교반하여 분산시킨 상태로 특정 시간만큼 유지한 다음 건조 후 주사전자현미경으로 촬영하였다. 전처리 시간이 증가함에 따라 전처리 전에는 매끈하던 Cu 플레이크의 표면에서 홀 형태 결함들이 생성되고 그 개수와 크기가 점차 증가하였는데, 20분간 유지한 후에는 이러한 결함들이 매우 발달하여 플레이크의 외형이 완전히 파괴된 Cu 입자들도 관찰되었다. 이는 Cu 플레이크가 1회 전처리 공정에서 사용하는 높은 농도의 전처리 용액에 의해 산화층 제거가 이루어지는 과정에서 플레이크의 손상도 동시에 일어나고 있음을 보여주는데, 그 손상이 플레이크의 전면적에서 고르게 일어나지 않고 특정 부분에서만 집중적으로 일어남을 알 수 있었다.

후속연구

앞서 언급되었듯이 홀 결함 부위는 산화층의 제거가 지속적으로 일어났던 지점이기 때문에 다른 부분에 비해 은도금이 늦게 진행될 수 밖에 없기에 Ag 층의 생성되지 않았거나 그 두께가 매우 얇은 지점이 될 것이다. 따라서 본 연구의 1회 전처리 조건과 같이 많은 홀 결함이 형성된 은도금 Cu 플레이크에서는 이러한 부분을 통해 대기 중 산소가 상대적으로 쉽게 침투할 수 있으므로 보다 낮은 온도에서산화가 시작되는 결과가 관찰될 것이다.

질의응답

핵심어	질문	논문에서 추출한 답변
	각종 전기·전자모듈의 제조에서 도전 배선 및 패턴을 가장 간단하게 형성하는 공정으로 무엇을 사용하고 있는가?	각종 전기·전자모듈의 제조에서 도전 배선 및 패턴을 가장 간단하게 형성하는 공정으로 Ag 페이스트(paste)를 사용한 인쇄 공정이 사용되고 있다.1-3) 대표 도전성 페이스트인 Ag 페이스트는 플레이크(flake) 형태의 Ag 필러(filler) 입자와 레진 포물레이션(resin formulation)의 혼합체로 페이스트의 가격은 궁극적으로 필러 입자 가격에 의존하게 된다.
	Ag 페이스트는 무엇의 혼합체인가?	각종 전기·전자모듈의 제조에서 도전 배선 및 패턴을 가장 간단하게 형성하는 공정으로 Ag 페이스트(paste)를 사용한 인쇄 공정이 사용되고 있다.1-3) 대표 도전성 페이스트인 Ag 페이스트는 플레이크(flake) 형태의 Ag 필러(filler) 입자와 레진 포물레이션(resin formulation)의 혼합체로 페이스트의 가격은 궁극적으로 필러 입자 가격에 의존하게 된다. 따라서 Ag 필러의 높은 가격은 도전 페이스트의 가격을 높여 궁극적으로 전기·전자모듈의 제조단가를 증가시키므로 모듈 및 최종 제품의 가격경쟁력을 약화시키는 원인으로 인식되어져 왔다.
	저가의 도전성 금속 필러로 고려되고 있는 Cu의 단점은?	이러한 순수 Ag 필러의 높은 가격을 낮추기 위해 최근 들어 저가의 도전성 금속 필러를 함유하는 페이스트의 개발 연구가 활발히 진행되고 있는데,4,5) 저가의 금속 필러로는 Ag와 유사한 전기전도도 값을 나타내는 Cu가 일차적으로 고려되고 있다. 그러나 Cu는 Ag와는 달리 대기 중에서 그 표면에 산화층이 쉽게 생성되고, 이 산화층이 속적으로 성장하는 특성들이 보고되고 있어6-8) 전기전도도가 크게 감소할 수 있는 바 지금까지 Ag를 대체하는 필러 소재로 고려되지 못했다. 이에 따라 최근에는 Cu 필러 입자의 표면을 Ag로 코팅하여 코어(core)-쉘(shell) 형태의 입자를 제조함으로써 필러 입자의 산화특성은 Ag와 유사한 수준에 맞추고, 필러의 대부분의 부피는 Cu가 당하여 가격 경쟁력을 확보하고자 하는 연구가 전 세계적으로 진행되고 있다.

참고문헌 (20)

J.-S. Park, J.-H. Hwang, J.-G. Kim, Y.-H. Kim, H.-D. Park and S.-G. Kang, "Properties of Ag Thick Films Fabricated by Using Low Temperature Curable Ag Pastes", Kor. J. Mater. Res., 13(1), 18 (2003).

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H. S. Kim, J. C. Choi, B. O. Rhee and S. C. Choi, "Preparation and Characterization of Bi Based Frit for Ag Electrode in PDP Application", J. Microelectron. Packag. Soc., 10(4), 47 (2003).
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저자의 다른 논문 :

표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

용어 설명 출처 목록 (6)

용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

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