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LDMOS를 이용한 광대역, 고효율 전력증폭기의 설계
A Design of Wideband, High Efficiency Power Amplifier using LDMOS 원문보기

한국전자통신학회 논문지 = The Journal of the Korea Institute of Electronic Communication Sciences, v.10 no.1, 2015년, pp.13 - 20  

최상일 (경남대학교 첨단공학과) ,  이상록 (경남대학교 정보통신공학과) ,  이영철 (경남대학교 첨단공학과)

초록
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종래의 LDMOS를 사용한 전력증폭기는 AB-급 및 도허티 방식으로 60MHz 대역폭의 협대역에서 55%의 효율을 보여주고 있으나, 기지국의 전력증폭 모듈의 RRH의 적용에 따라 100MHz이상의 대역확장과 60%이상의 고효율 전력증폭기를 요구하고 있으므로, 본 연구에서는 LDMOS FET를 이용한 J-급 전력증폭기를 설계하여 200MHz대역에서 60%이상의 고효율 특성을 나타내었다. 설계한 J-급 전력증폭기는 2차 고조파 부하가 순수한 리액턴스 성분만을 포함하고 작은 양호도 Q 값을 갖도록 출력단 정합회로를 최적화 시켰다. 측정결과 WCDMA 주파수 대역을 포함한 2.06~2.2GHz에서 연속파 신호를 입력하였을 때 62~70%의 전력 부가효율(PAE)의 특성을 갖는 10W급 J-급 전력증폭기를 구현하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Existing LDMOS power amplifier that used class-AB and doherty system shows 55% of efficiency in 60MHz narrow band. Because RRH has been applied to power amplifier at base station. It is required that over 100MHz expanded band and more than 60% high efficiency power amplifier. In this paper we design...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 10W급 LDMOS 소자를 이용하여 고효율 광대역 특성을 갖는 J-급 전력 증폭기를 설계하고 시뮬레이션 하였다. 본 논문에서 제안된 J-급 전력 증폭기는 E, F급과 같은 스위치 모드 전력 증폭기와 비교하였을 때, 간단한 회로 구성으로 고효율과 광대역 특성을 확보하였다.
  • 본 논문에서는 전력증폭기의 선형화 과정에서 문제시 되고 있는 광대역 특성과 선형성을 유지하면서 효율을 높이기 위해 소스풀(Source Pull)/로드풀(Load Pull)에 의한 설계과정을 통해 최적화 된 입/출력 정합회로를 설계하고[12], J-급 전력증폭기의 출력단은 2차 고조파 부하가 순수한 리액턴스 성분만을 나타내고 양호도 Q값을 작게 나타나도록 출력단에서 높은 효율과 광대역 동작을 최적화 시켜 출력단 정합회로를 설계하였다. 전력증폭기의 전력소자를 GaN HEMT에 비하여 상대적으로 경제성이 있는 LDMOS 를 이용하여 WCDMA 주파수 대역에서 J-급 전력증폭기의 상용화 가능성 측면을 제안하고자 한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
OFDM의 특성은 무엇인가? 이동통신 시스템은 700MHz~4GHz의 이동통신 주파수 대역을 효율적으로 사용할 수 있는 디지털 변조 통신방식을 사용하고 있다. OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing)기술은 주파수 자원의 효율을 높이고, 광대역 주파수 대역에 적용할 경우 단일 주파수 시스템에 비해 주파수 선택적 페이딩에 강한 특성을 갖고 있어 무선통신 시스템에 널리 사용되고 있다[2-3]. OFDM을 포함한 대부분의 무선통신 시스템은 충분한 송신전력을 얻기 위해 고출력 전력증폭기를 사용한다.
스위치 모드 전력 증폭기의 문제점은 무엇인가? 스위치 모드 전력 증폭기는 전력 소자를 스위치로 동작하도록 하여 이론적으로는 최대 드레인 효율이 100%를 얻을 수 있다. 그러나 스위칭 시간의 제한, 전력소자가 가지고 있는 기생성분과 같은 전력 소자의 비이상적인 조건들에 의해 100%의 효율을 얻을 수 없으며 실제 구현 하기에 회로가 복잡한 문제점이 있다[9].
대부분의 무선통신 시스템이 고출력 전력증폭기를 사용하는 이유는 무엇인가? OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing)기술은 주파수 자원의 효율을 높이고, 광대역 주파수 대역에 적용할 경우 단일 주파수 시스템에 비해 주파수 선택적 페이딩에 강한 특성을 갖고 있어 무선통신 시스템에 널리 사용되고 있다[2-3]. OFDM을 포함한 대부분의 무선통신 시스템은 충분한 송신전력을 얻기 위해 고출력 전력증폭기를 사용한다. 이러한 전력증폭기는 최대 출력 전력을 얻기 위해 일반적으로 포화영역 근처에 동작점을 설정하며 이로 인해 발생되는 AM-AM(Amplitude Modulation to Amplitude Modulation), AM-PM(Amplitude Modulation to Phase Modulation), ICI(Inter Channel Interference)와 같은 비선형 왜곡은 시스템의 성능을 크게 저하시키는 요인이 된다.
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참고문헌 (12)

  1. L. Xichun, R. Salleh, A. Aani, and O. Zakaria, "Multi-network data path for 5G mobile multimedia," Int. Conf. on Communication Software and Networks 2009, Macau, Feb. 2009, pp. 583-587. 

  2. A. Wentzel and W. Heinrich, "A GaN voltage-mode class-D MMIC with improved overall efficiency for future RRH applications," 2013 European Microwave Conf., Nuremberg, Germany, Oct. 2013, pp. 549-552. 

  3. Y. Seung, "A study on half sine soft clipping method for PAPR reduction in OFDM system," The Korea Institute of Electronic Communication Sciences Conf., vol. 7, no. 2, Yeosu, Korea, Nov. 2013, pp. 287-290. 

  4. S. Choi and Y. Rhee, "A study of linearization for digital pre-distortion power amplifier by crest factor reduction," The Korea Institute of Electronic Communication Sciences Conf., vol. 6, no. 2, Gurye, Korea, Nov. 2012, pp. 410-413. 

  5. S. C. Cripps, RF Power Amplifiers for Wireless Communications, 2nd edition., Norwood : Artech House Publishers, 2006. 

  6. U. Gustavsson, "Design of an inverse class D amplifier using GaN HEMT technology," Master's Thesis, Dept. of technology, Orebro University, July 2006. 

  7. H. Bae, C. Cho, and J. Lee, "Efficiency enhanced class-E power amplifier using the second harmonic injection at the feedback loop," 2010 European Microwave Conf., Paris, France, Sept. 2010, pp. 1042-1045. 

  8. J. Kim, S. Lee, B. Park, S. Jang, J. Jung, and C. Park, "Analysis of high-efficiency power amplifier using second harmonic manipulation : inverse class-F/J amplifiers," IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, vol. 59, no. 8, Aug. 2011, pp. 2024-2036. 

  9. N. Tuffy, A. Zhu, and T. J. Brazil, "Class-J RF power amplifier with wideband harmonic suppression," 2011 IEEE-S Int. Microwave Symp. Digest, Baltimore, MD, June 2011. 

  10. J. Moon, J. Kim, and B. Kim, "Investigation of a class-J power amplifier with a nonlinear $C_{out}$ for optimized operation," IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, vol. 58, no. 11, Nov. 2010, pp. 2800-2811. 

  11. P. Wright, J. Lees, J. Benedikt, P. J. Tasker, and S. C. Cripps, "A methodology for realizing high efficiency class-J in a linear and broadband PA," IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, vol. 57, no. 12, Dec. 2009, pp. 3196-3204. 

  12. M. Kim and Y. Rhee, "Analysis of optimum impedance for X-band GaN HEMT using load-pull," J. of the Korean Institute of Electronic Communication Sciences, vol. 6, no. 5, 2011, pp. 621-627. 

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