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電子工學會誌 = The journal of Korea Institute of Electronics Engineers, v.42 no.1 = no.368, 2015년, pp.67 - 77
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 이미지 센서란 무엇인가? | 이미지 센서(Image Sensor)는 휴대전화 카메라나 DSC(Digital Still Camara)등에서 영상을 생성해 내는 영상 촬상 소자 부품으로, 제작 공정과 응용방식에 따라 CCD (Charge Coupled Device) 이미지센서와 CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서로 분류할 수 있다. 제조공정상 CCD 이미지 센서는 이미지 센서의 특성을 극대화 시킬 수 있는 공정들만을 채용하는 반면, 1970년대 후반부터 우수한 집적도 경쟁력과 경제성 때문에 일반적인 반도체칩 제조 공정으로 널리 자리 잡고 있던 CMOS 이미지 센서 공정은 제조 공정의 경제성과 주변 칩들과의 연결 상의 용이성을 가지고 있다. | |
| 이미지 센서는 제작 공정과 응용방식에 따라 어떻게 분류됩니까? | 이미지 센서(Image Sensor)는 휴대전화 카메라나 DSC(Digital Still Camara)등에서 영상을 생성해 내는 영상 촬상 소자 부품으로, 제작 공정과 응용방식에 따라 CCD (Charge Coupled Device) 이미지센서와 CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서로 분류할 수 있다. 제조공정상 CCD 이미지 센서는 이미지 센서의 특성을 극대화 시킬 수 있는 공정들만을 채용하는 반면, 1970년대 후반부터 우수한 집적도 경쟁력과 경제성 때문에 일반적인 반도체칩 제조 공정으로 널리 자리 잡고 있던 CMOS 이미지 센서 공정은 제조 공정의 경제성과 주변 칩들과의 연결 상의 용이성을 가지고 있다. | |
| CCD와 CMOS 이미지센서를 서로 비교하였을 때 CMOS가 지닌 장점은 무엇입니까? | 실리콘 반도체를 기반으로 한 이미지센서에는 크게 CCD와 CMOS가 있는데, 이미지센서 각각의 특징을 살펴보면, CCD는 CMOS에 비해서 노이즈가 적고 이미지 품질이 우수한 특징을 갖고 있어서 DSC(Digital Still Camera) 제품군에 적합하다. 일반적으로 CMOS는 CCD에 비해 생산단가 및 소비전력이 낮고 주변회로를 동일한 칩에 통합하기 쉽다는 이점이 있다. 일반적인 표준 반도체 제조공정으로 생산하기 때문에 신호처리, 증폭 및 연산과 같은 주변 회로와의 통합이 쉬워서 SoC(System On a Chip) 개발 방식으로 생산비용을 CCD에 비하여 크게 낮출 수 있기 때문이다. 또한 처리속도가 빠르면서도 소비전력측면에서 CCD의 1% 정도에 불과하기 때문에 CMOS는 휴대폰과 개인휴대단말기(PDA)용 카메라와 같은 소형 휴대용 단말기에 적합한데, 현재 CMOS의 화소에 있어서도 200만 화소급까지 개발되면서 CCD 시장을 위협하고 있어서 지속적으로 CMOS가 CCD를 대체하면서 시장을 확대할 것으로 전망되고 있다. 이미지센서의 기술개발 측면에서 CMOS가 CCD를 대체해 나갈 것이라는 경향은 기술개발의 방향을 가늠할 수 있는 특허출원 동향을 통해서 알 수 있다. |
한주엽 기자, 디지털데일리(1204, 11, 5)
김훈, 물리학과 첨단기술, pp. 46-47, November. 2005.
E. R. Fossum, "MOS Image Sensors: Electronic Camera-On-A-Chip," IEEE transaction on electron devices, vol. 44, no. 10, pp. 1689-1698, 1997.
M. Bigas, E. Cabruja, J. Forest, and J. Salvi, "eview of CMOS image sensors," Microelectronics Journal, vol. 37, pp. 433-451, 2006.
H. Rhodes, G. Agranov, C. Hong, U. Boettiger, R. Mauritzson, J. Ladd, I. Karasev, J. McKee, E. Jenkins, W. Quinlin, I. Patrick, J. Li, X. Fan, R. Panicacci, S. Smith, C. Mouli, and J. Bruce, "MOS Imager Technology Shrinks and Image Performance," 2004 IEEE Workshop on Microelectronics and Electron Devices, pp. 7-18, 2004.
Y. Chae, K. Choe, B. Kim, and G. Han, "ensitivity Controllable CMOS Image Sensor Pixel Using Control Gate Overlaid on Photodiode," Electron Device Letters. IEEE, vol. 28, Issue 6, pp. 495-498, 2007.
C. H. Koo, H. K. Kim, K. H. Paik, D. C. Park, K. H. Lee, Y. K. Park, C. R. Moon, S. H. Lee, S. H. Hwang, D. H. Lee, and J. T. Kong, "mprovement of Crosstalk on 5M CMOS Image Sensor with $1.7{\time}1.7{\mu}m2$ pixels," xProc. of SPIE, vol. 6471, pp. 647115-1-5, 2007.
G. Agranov, V. Berezin, and R. H. Tsai, "rosstalk and Microlens Study in a Color CMOS Image Sensor," IEEE transaction on electron devices, vol. 50, no. 1, pp. 4-11, 2003
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