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병원균 및 생물독소 탐지시스템을 위한 원자외선 LED 기술동향
Trends of Deep UV-LED Technology for the Pathogen and Biotoxin Aerosol Detection System 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.28 no.5, 2015년, pp.277 - 284  

정유진 (국방과학연구소 화생방부) ,  정영수 (국방과학연구소 화생방부) ,  최기봉 (국방과학연구소 화생방부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The humans are under attack involving the hazardous environment and pathogen/biotoxin aerosol that is realistic concerned. A portable, fast, reliable, and cheap Pathogen and Biotoxin Aerosol threat Detection(PBAD) trigger is an important technology for detect-to-protect and detect-to-treat system be...

주제어

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문제 정의

  • SUVOS 프로그램의 주요 목적은 III-V 반도체 소재인 GaN (gallium nitride), AlN (aluminum nitride), 그리고 InN (indium nitride)를 적용한 280 nm∼340 nm 영역의 LED를 개발하는 것이다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
타이로신과 같은 생체분자 물질은 중자외선 파장의 광을 흡수하면 어떠한 현상을 일으키는가? 이 중에서도 중자외선 영역(200∼300 nm)의 자외선은 유해 생물 입자와 병원균의 탐지(detection), 식별(identification), 그리고 제독(decontamination) 기술에 적용이 가능하여 국방 기술 분야 및 이와 관련한 민수 분야에서의 기술적 관심이 높아지고 있다. 생물입자에 극미량으로 존재하는 타이로신, 트립 토판 같은 아미노산과 NADH (nicotinamide adenine dinucleotide)나 리보플라빈 등의 생체분자 물질은 중자외선 파장의 광에서 흡수가 일어나, 근자외선 영역 (300∼400 nm) 과 가시광선 영역에서 각각의 물질의 고유한 형광 양자효율 (fluorescence quantum efficiency, φF) 특성에 따라 고유의 형광을 발생하므로 에어로졸, 액상 혹은 파우더 상태에서도 탐지가 가능한 특성을 갖고 있다.
UV-LED의 파장에 따른 활용 분야는 무엇인가? 10∼300 nm : 휴대용 비가시선 통신 230∼400 nm : 광학 센서 200∼280 nm : 오존 모니터링, ID인식기술, 바코드, 표면 살균, 공기 및 물 살균 250∼405 nm : 법의학 및 체액의 감지 및 분석 260∼300 nm : DNA/RNA/protein 및 약물 분석 300∼320 nm : 의학적 광선 치료 365∼400 nm : 폴리머와 잉크 프린터 375∼395 nm : 위조지폐 감별 390∼410 nm : 외상과 미용상의 살균
레이져 및 할로겐 램프가 광원으로서 자외선 영역에서 사용이 제한된 이유는 무엇인가? 기존에는 주로 가시광선 영역(400∼780 nm)의 조명기술을 대체하기 위한 백색광원 개발이 주를 이루었지만, 최근에는 반도체 소자의 밴드갭 특성에 따른 고유한 파장 발생 특성으로 소형의 반도체 칩만으로도 선택적 파장 사용이 가능한 LED 기술이 크게 발전하였다 [1]. 종전에 광원으로 많이 사용하였던 레이져 및 할로겐 램프 등은 특정 파장을 이용하기 위해 광필터 및 복잡한 시스템이 필요하고 소형화가 불가능하며, 비싸기 때문에 자외선 영역에서 사용이 제한되었으나, 기술발전으로 자외선 LED는 대체광원으로 부각되고 있다 [2,3].
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참고문헌 (37)

  1. A. Fujioka, K. Asada, H. Yamada, T. Ohtsuka, T. Ogawa, T. Kosugi, D. Kishikawa, and T. Mukai, Semicond. Sci. Technol., 29, 084005 (2014). 

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  3. J. Zhang, X. Hu, A. Lunev, J. Deng, Y. Bilenko, T. M. Katona, M. S. Shur, R. Gaska, and M. A. Khan, Jpn. J. of Appl. Phys., 44, 7250 (2005). 

  4. J. Cabalo, M. DeLucia, A. Goad, J. Lacis, F. Narayanan, and D. Sickenberger, Proc. of SPIE, 7116, 71160D (2008). 

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  6. H. S. Jeong, M. Park, J. W. Yi, T. Joo, and B. H. Kim, Mol. Biosyst, 6, 951 (2010). 

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  20. Edgewood Chemical Biological Center (www.ecbc.army.mil) 

  21. Edgewood Chemical Biological Center (www.ecbc.army.mil/news/2015/tacbio-gen-2) 

  22. K. Choi, Y. Ha, H. K. Lee, and J. Lee, Instru. Sci. and Tech., 42, 200 (2014). 

  23. Y. J. Chae, M. J. Lee, J. Hwang, S. Kim, T. Y. Lim, J. H. Kim, and D. J. Kim, Journal of Photonic Science and Technology, 2, 53 (2012). 

  24. H. Teng, Appl. Sci., 2, 496 (2012). 

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  30. M. Wraback, U. S. Army Research Lab. (www.darpa.mil) 

  31. J. Albrecht, DARPA-BAA-10-45, 22 (2010). 

  32. LG Electronics (www.lge.co.kr/lgekr/product) 

  33. Laser Component (www.lasercomponent.ru) 

  34. estate.mk.co.kr 

  35. National Science & Technology Information Service (www.ntis.go.kr) 

  36. Seoul Viosys (www.seoulviosys.com) 

  37. www.etoday.co.kr 

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