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용액공정 플렉서블 산화물 박막 트랜지스터 적용을 위한 폴리이미드 게이트 절연체
Polyimide Gate Insulators for Solution-Processed Flexible Metal Oxide Thin-Film Transistors 원문보기

고분자 과학과 기술 = Polymer science and technology, v.26 no.3, 2015년, pp.232 - 237  

장광석 (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology)

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문제 정의

  • 용액공정 산화물 박막 트랜지스터 적용을 위한 폴리이미드 게이트 절연체에 관한 최근의 연구동향을 간단히 소개하였다. 폴리이미드 박막은 내열성, 내화학성 및 절연특성이 우수하며 게이트 절연체로의 응용에 큰 장점을 가지고 있다.
  • 절연체와 반도체 소재의 조합이 잘 맞지 않는 경우, 좋은 계면이 형성되지 않고 결함이 많은 상태가 되어 박막 트랜지스터의 소자성능을 크게 떨어뜨릴 수 있다. 이 글에서는 내열성 및 내화학성이 우수한 폴리이미드 게이트 절연체 소재를 소개하고, 폴리이미드 게이트 절연체가 적용된 용액공정 산화물 박막 트랜지스터에 관한 연구동향을 살펴보고자 한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
고분자 사슬 내의 전하 전이 복합화로 인해 폴리이미드 박막은 어떤 장점을 얻는가? 방향족 폴리이미드는 고분자 사슬 내의 전하 전이 복합화(charge transfer complex, CTC)로 인해 고분자 사슬 간의 강한 결합을 형성한다.17 이로 인해 폴리이미드 박막은 내열성, 내화학성 및 절연특성이 우수하며 게이트 절연체로의 응용에 큰 장점을 가지고 있다. 예를 들어, 폴리이미드의 우수한 내열성으로 인하여 반도체 층 형성 공정 등의 후속 공정에서 더 높은 온도로의 열처리가 가능하다.
용액공정 산화물 박막 트랜지스터는 무엇으로 이용되어 연구되고 있는가? 용액공정 산화물 박막 트랜지스터는 주로 SiO2 등의 무기 박막을 게이트 절연체로 이용하여 연구되고 있으며 우수한 소자특성 및 공정성으로 인해 유망한 연구분야로 인식되고 있다.7-16 이러한 용액공정 산화물 박막 트랜지스터 소자 제작을 위해서는 indium gallium zinc oxide(IGZO), indium zinc oxide(IZO), zinc tin oxide(ZTO), zinc oxide(ZnO) 등의 산화물 반도체 층이 SiO2 게이트 절연체 위에 코팅되고 200~400 ℃의 높은 온도에서의 열처리 공정을 거쳐야 한다.
박막 트랜지스터에는 어떤 특성을 가지는 소재들이 사용되는가? 플렉서블 디스플레이 구현을 위해서는 플렉서블 박막 트랜지스터 (thin-film transistor) 기술이 필수적으로 필요하며 폭넓은 관련 기술이 개발되었거나 활발히 연구되는 단계에 있다. 박막 트랜지스터에는 전도체, 반도체, 절연체 등의 다양한 전기적 특성을 가지는 소재들이 사용된다. 이 중에서도 기판, 게이트 절연체, 보호층 등에 사용되는 절연체 소재는 보다 넓은 면적 또는 전면적에 활용되기 때문에 소재 자체의 유연성이 더욱 중요시되고 있다.
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