다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.28 no.7, 2015년, pp.433 - 438
AI-Helper
Zinc tin oxide transparent thin film transistors (ZTO TTFTs) were fabricated by using
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| In, Al 및 ITO의 일함수는 얼마인가? | 35 eV이다. 그리고 In, Al 및 ITO의 일함수는 각각 4.09 eV, 4.26～4.74 eV 및 4.8 eV로 보고되어있다 [15]. In, Al 및 ITO의 일함수 차이 (qΦm–qΦs)는 ZTO TTFT의 이동도 크기의 순서와 일치한다. | |
| In, Al, ITO 전극에 따른 이동도의 차이가 나타난 이유는? | 5 cm2/Vsec로 감소하였다. In, Al, ITO 전극에 따른 이동도의 차이는 전극의 전도도 차이 보다 전극/소스 영역의 계면 특성 차이가 더 큰 영향을 미치는 것으로 판단된다. 전극/소스 접합영역에는 전위장벽이 형성되어 드레인 전류의 흐름을 방해하며, n형 반도체인 ZTO막의 경우에는 전위장벽을 낮추기 위해 낮은 일함수를 갖는 금속을 사용하는 것이 바람직하다. | |
| ZTO TTFT의 소스/드레인 전극으로 In,Al,ITO는 어떤 특징으로 사용되는가? | 이때 전극으로는 In, Al 및 ITO를 사용하였다. In은 ZnO계 반도체와 양호한 오믹 특성을 갖는 것으로 알려져 있으며 [9],Al은 우수한 접착성과 낮은 저항률에 의해 실리콘 소자의 전극재료로 주로 사용되어 왔다. 그리고 ITO는 대표적인 투명도전막으로서 태양전지, 발광다이오드 등의 투명전극으로 사용되고 있다 [10,11]. |
C. I. Lin, Y. K. Fang, W. C. Chang, M. W. Chiou, and C. W. Chen, Microelectronics Reliability, 54, 905 (2014). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2014.01.015]
D. S. Han, J. H. Park, M. S. Kang, D. K. Choi, and J. W. Park, Curr. Appl. Phys., 15, 94 (2015). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2014.11.007]
S. Bang, S. Lee, J. Park, S. Park, Y. Ko, C. Choi, H. Chang, H. Park, and H. Jeon, Thin Solid Films, 519, 8109 (2011). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.05.048]
H. Ohta and H. Hosono, Materials Today, 7, 42 (2004). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/S1369-7021(04)00288-3]
K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature, 432, 488 (2004). [DOI: http://dx.doi.org/10.1038/nature03090]
A. Marsal, P. Carreras, J. Puigdollers, C. Voz, S. Galindo, R. Alcubilla, J. Bertomeu, and A. Antony, Thin Solid Films, 555, 107 (2014). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.08.010]
T. Y. Ma, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 25, 304 (2011).
W. S. Cheong, Y. S. Yoon, J. H. Shin, C. S. Hwang, and H. Y. Chu, Thin Solid Films, 517, 4094 (2009). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2009.01.181]
M. H. Choi and T. Y. Ma, Thin Solid Films, 550, 654 (2014). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.182].
C. W. Cheng, I. M. Lee, and J. S. Chen, Optics and Lasers in Engineering, 69, 1 (2015). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.optlaseng.2015.01.011]
H. Cho and Y. H. Yun, Ceramics International, 37, 615 (2011). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.ceramint.2010.09.033]
D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (A Wiley-Interscience Publication, 1990) p. 226.
B. G. Streetman, Solid State Electronic Devices, 4th ed. (Prentice-Hall international, Inc., 1995) p. 184.
C. A. Hoel, T. O. Mason, J. F. Gaillard, and K. R. Poeppelmeier, Chemistry of Materials, 22, 3569 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1021/cm1004592]
D. R. Lide, CRC Handbook of Chemistry and Physics (CRC Press, 2004).
B. G. Streetman, Solid State Electronic Devices, 4th ed. (Prentice-Hall International, Inc., 1995) p. 312.
http://www.lenntech.com/periodic-chart-elements/ionization-energy.htm.
C. Leach, Acta Materialia, 53, 237 (2005). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.actamat.2004.07.006]
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
오픈액세스 학술지에 출판된 논문
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.