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Particle and aerosol research = 한국입자에어로졸학회지, v.11 no.4, 2015년, pp.93 - 98
김동빈 (성균관대학교, 기계공학부) , 문지훈 (한국표준과학연구원, 진공기술센터) , 김형우 (성균관대학교, 나노과학기술협동학부) , 강병수 (한국표준과학연구원, 진공기술센터) , 윤주영 (한국표준과학연구원, 진공기술센터) , 강상우 (한국표준과학연구원, 진공기술센터) , 김태성 (성균관대학교, 기계공학부)
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Particles which generated from plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) during thin film deposition process can affect to the process yield. By using light extinction method, ISPM can measure particles in the large-diameter pipe (
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 입자 발생원인 파악 및 효율적인 오염입자 제거방법을 얻기 위해서는 어떤 분석이 필수적으로 요구되는가? | Liquid crystal display (LCD) 또는 organic light emitting diode (OLED) 등의 디스플레이 제조 공정 중 진공 내 박막 제조 공정에서 유입되는 오염입자는 핫픽셀 및 데드픽셀 등의 불량을 일으키는 요인이 되며(Nakashima, 1994), 수율 감소로 이어진다. 오염입자의 제어는 발생원이나 발생한 입자를 제거하는 방법이 있는데, 외부 유입 또는 기계적인 내부 발생 등의 입자 발생원인 파악 및 효율적인 오염입자 제거방법을 얻기 위해서는 입자 특성분석이 필수적으로 요구된다. | |
| 박막 제조 공정에서 유입되는 오염입자가 공정에 미치는 영향은? | 스마트 기기로 일컬어지는 소형 다기능 전자기기의 시장 수요 증가로 인해 더욱 높은 해상도 및 밝기를 갖는 차세대 디스플레이 개발이 요구되고 있다. Liquid crystal display (LCD) 또는 organic light emitting diode (OLED) 등의 디스플레이 제조 공정 중 진공 내 박막 제조 공정에서 유입되는 오염입자는 핫픽셀 및 데드픽셀 등의 불량을 일으키는 요인이 되며(Nakashima, 1994), 수율 감소로 이어진다. 오염입자의 제어는 발생원이나 발생한 입자를 제거하는 방법이 있는데, 외부 유입 또는 기계적인 내부 발생 등의 입자 발생원인 파악 및 효율적인 오염입자 제거방법을 얻기 위해서는 입자 특성분석이 필수적으로 요구된다. | |
| 전자현미경을 이용한 비실시간 측정방법의 문제점은? | 기존의 비 실시간 측정방법은 우선 증착 공정에서 실제로 쓰이는 유리나 웨이퍼 등의 샘플 기판 또는 해당 측정장치에 맞는 전용 그리드를 이용하여 반응기 내부나 배기라인에서 입자를 포집한 후 측정하는데(Takahashi and Daugherty, 1996), 이와 같은 비 실시간 측정방법은 오염입자의 크기, 성분 및 형상 등의 다양한 정보를 확인할 수 있다는 장점이 있어 다양한 분야에서 널리 사용되고 있다. 하지만 이러한 방법은 입자의 공간 내 수 농도 측정이 어렵고 수율을 떨어뜨리는 치명적인 입자를 실시간으로 분석하여 제어하기가 용이하지 않으며 입자를 포집하기 위한 별도의 공정을 가동하는데 추가비용이 발생한다. 또 다른 문제로는 일부 입자의 경우 샘플 취급상의 변질, 산화로 인하여 측정결과가 달라지기도 한다. |
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