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전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.28 no.9, 2015년, pp.551 - 554
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This paper was analyzed electrical characteristics of super junction IGBT with super junction field rings. As a result of super junction IGBT with super junction field rings, we obtained 3,300 V breakdown voltage and good thermal characteristics. we obtained shrinked chip size because field ring was...
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 전력 IGBT 소자는 어떤 산업분야에 걸쳐서 사용되는 소자인가? | 전력 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 소자는 중전압에서 고전압용에 해당하는 전 산업분야에 걸쳐서 사용되는 소자이다. 특히 사이리스터 계열이 많이 사용되는 대용량 분야에서 사이리스터 소자를 대체할 수 있는 소자로 각광을 받고 있다. | |
| IGBT 소자가 각광받는 이유는? | 특히 사이리스터 계열이 많이 사용되는 대용량 분야에서 사이리스터 소자를 대체할 수 있는 소자로 각광을 받고 있다. IGBT 소자는 MOS 구동 소자이면서 동작은 바이폴라소자 동작을 하기 때문에 구동능력이 뛰어나기 때문이다. 대용량 소자에서는 높은 전류와 전압에서 동작하기 때문에 소비전력 및 열 특성이 우수해야 하므로 상당히 낮은 온저항 특성을 갖는 초저합 (super junction, SJ) 구조를 갖는 IGBT의 개발에 박차를 가하고 있는 중이다. | |
| 전력 IGBT소자는 무엇의 대체 소자로써 각광받고 있는가? | 전력 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 소자는 중전압에서 고전압용에 해당하는 전 산업분야에 걸쳐서 사용되는 소자이다. 특히 사이리스터 계열이 많이 사용되는 대용량 분야에서 사이리스터 소자를 대체할 수 있는 소자로 각광을 받고 있다. IGBT 소자는 MOS 구동 소자이면서 동작은 바이폴라소자 동작을 하기 때문에 구동능력이 뛰어나기 때문이다. |
MOSFET Basics - Fairchild Semiconductor, 2000
G. P. Sim, B. S. Ann, Y. H. Kang, Y. S. Hong, and E. G. Kang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 26, 190 (2013)
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Y. S. Hang, E. S. Jung, and E. Y. Kang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 25, 276 (2012).
J. H. Lee, E. S. Jung, and E. Y. Kang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 25, 270 (2012).
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