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[국내논문] 3,000 V급 초접합 필드링을 갖는 초접합 IGBT 제작에 관한 연구
The Fabrication of Super Junction IGBT with 3,000 V Class Super Junction Field Rings 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.28 no.9, 2015년, pp.551 - 554  

강이구 (극동대학교 태양광공학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper was analyzed electrical characteristics of super junction IGBT with super junction field rings. As a result of super junction IGBT with super junction field rings, we obtained 3,300 V breakdown voltage and good thermal characteristics. we obtained shrinked chip size because field ring was...

주제어

#Planar gate   #Super high voltage   #Super junction   #NPT IGBT   #Breakdown voltage  

AI 본문요약
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문제 정의

  • 특히 3,000 V 이상을 구현하기 위해서는 활성 소자이외에 전계분포를 완화하기 위해서는 필드링 설계 및 제작이 필수적이다. 따라서 본 논문에서는 초고압(3,000 V 이상)을 유지하면서 온 상태 전압강하를 낮출 수 있으며, 열적 특성이 우수한 대용량 초접합 (super junction, SJ) IGBT 제작을 위해서 3,000 V급 필드링을 초접합 구조를 이용하여 설계하였으며, 이러한 필드링을 갖는 초접합 SJ IGBT를 제작하였다. 이에 따라 제작된 소자의 전기적인 특성을 분석하여 제시하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
전력 IGBT 소자는 어떤 산업분야에 걸쳐서 사용되는 소자인가? 전력 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 소자는 중전압에서 고전압용에 해당하는 전 산업분야에 걸쳐서 사용되는 소자이다. 특히 사이리스터 계열이 많이 사용되는 대용량 분야에서 사이리스터 소자를 대체할 수 있는 소자로 각광을 받고 있다.
IGBT 소자가 각광받는 이유는? 특히 사이리스터 계열이 많이 사용되는 대용량 분야에서 사이리스터 소자를 대체할 수 있는 소자로 각광을 받고 있다. IGBT 소자는 MOS 구동 소자이면서 동작은 바이폴라소자 동작을 하기 때문에 구동능력이 뛰어나기 때문이다. 대용량 소자에서는 높은 전류와 전압에서 동작하기 때문에 소비전력 및 열 특성이 우수해야 하므로 상당히 낮은 온저항 특성을 갖는 초저합 (super junction, SJ) 구조를 갖는 IGBT의 개발에 박차를 가하고 있는 중이다.
전력 IGBT소자는 무엇의 대체 소자로써 각광받고 있는가? 전력 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 소자는 중전압에서 고전압용에 해당하는 전 산업분야에 걸쳐서 사용되는 소자이다. 특히 사이리스터 계열이 많이 사용되는 대용량 분야에서 사이리스터 소자를 대체할 수 있는 소자로 각광을 받고 있다. IGBT 소자는 MOS 구동 소자이면서 동작은 바이폴라소자 동작을 하기 때문에 구동능력이 뛰어나기 때문이다.
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참고문헌 (5)

  1. MOSFET Basics - Fairchild Semiconductor, 2000 

  2. G. P. Sim, B. S. Ann, Y. H. Kang, Y. S. Hong, and E. G. Kang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 26, 190 (2013) 

  3. H. S. Lee, E. G. Kang, A. Shin, H. H. Shin, and M. Y. Sung, KIEE, 7 (2006). 

  4. Y. S. Hang, E. S. Jung, and E. Y. Kang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 25, 276 (2012). 

  5. J. H. Lee, E. S. Jung, and E. Y. Kang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 25, 270 (2012). 

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