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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.28 no.10, 2015년, pp.665 - 669
최주연 (충남대학교 에너지과학기술대학원 에너지과학기술학과) , 조영준 (충남대학교 에너지과학기술대학원 에너지과학기술학과) , 장효식 (충남대학교 에너지과학기술대학원 에너지과학기술학과)
We investigated and compared two methods of in-situ oxidation and chemical etching treatment (CET) to remove the boron rich layer (BRL). The BRL is generally formed during boron doping process. It has to be controlled in order not to degrade carrier lifetime and reduce electrical properties. A boron...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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boron rich layer가 고효율의 태양전지를 제작하기 위해서 반드시 제거되어야 하는 이유는? | 이 SiB6가 성장된 층을 boron rich layer (BRL)라고 한다. 이 BRL은 웨이퍼 표면의 면저항을 균일하게 하지만[4], 캐리어의 재결합 사이트로 작용하고 [5], 웨이퍼의 라이프 타임을 감소시키는 등 전기적인 특성을 저하시키기 때문에 고효율의 태양전지를 제작하기 위해서 반드시 제거해야만 한다 [6]. 본 논문에서는 이 BRL을 제거하기 위해 in-situ oxidation과 chemical etching treatment (CET) 두 가지의 방법을 비교하였다. | |
n형 실리콘 태양전지의 장점은? | N형 실리콘 태양전지는 높은 라이프 타임 등 뛰어난 전기적 특성을 가진다 [1]. 또한, n형 실리콘 태양전지는 기존의 p형 태양전지와 다르게 제작 과정에서 보론이 사용되지 않기 때문에 B-O complex가 발생하지 않으므로 light-induced degradation (LID) 현상이 발생하지 않는다는 장점을 가지고 있다 [2,3]. 그렇기 때문에 본 연구에서는 기판으로 n형 웨이퍼를 사용하였다. | |
N형 실리콘 태양전지의 특성은? | N형 실리콘 태양전지는 높은 라이프 타임 등 뛰어난 전기적 특성을 가진다 [1]. 또한, n형 실리콘 태양전지는 기존의 p형 태양전지와 다르게 제작 과정에서 보론이 사용되지 않기 때문에 B-O complex가 발생하지 않으므로 light-induced degradation (LID) 현상이 발생하지 않는다는 장점을 가지고 있다 [2,3]. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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